Способ удаления фоторезистивного покрытия

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТааУ

Союз Советскими

Социалистических езеспублмк (аа) 596902 е

>l

I ($II) М. Кл. (61) Дополнительное и авт. свеед-ву (22) Заявлено 2б,1273 Р ) 1979317 /23-04, < 03 С )/68 с нрисоелнненнене заявки М (23) Приоритет (43) Оп !блиноввио 0 50 3,76. I X H . @ (45) Дата оп бликования описания 1C02.78

) оцдарееаеанюа IIIINIITCT бенета III)!Its)poe CCCP, ао,данаю нзобретеннб

II II TII)III TIIIl (N) УДИ

776. ) 9 {ОВВ, Б) А.П„Мартыненко, К.Г. Марин, В.Г. Красов, A.It. Бел.;«.в, нзоо етеиия р ™ Ия Б.В. Стрижков и В.Г. Варакин (7Ц Заявитель (54) СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к способу удаления фоторезистивных покрытий с подложки иэделий, которые используются в микроэлектронике, полиграфии, радиотехнике и других отраслях про!о)шленности.

Известен способ удаления фоторезУ тивных покрытий с поверхностей изде лий путем термоокислительной деструк- 10 ции: прогрева их при температуре не менее 300 С в токе окислительного газа (1) . Недостатками известного способа являются окисление металлических поверхностей, возгонка некоторых )5 материалов при повышенных температурах и низкая скорость процесса.

Цель изобретения = создание споСоба удаления фоторезистивного покрытия с поверхности подложки с повышенной g0 скоростью процесса и пониженной температурой подложки.

Поставленная цель достигается тем, что процесс ведут в условиях эффекта электронного парамагнитного реэонан- 25 са при напряжении магнитного поля от

0,5 до 12,5 кГс, частоте радиоизлучения от 1,3 до 3,5 10 мГц, скорости окислительного газа 1 ° 10 - 10 см сек

-1 3 и давлении от 1 10 до 5 мм рт.ст.

Условия осуществления электронногQ парамагнитного резонанса (З()Р) вс,, Г ся к, размещению реактора-резон атор а в магнитном поле, перпендикулярном магнитной составляющей поля радиочастотного излучения в реакторе-резонаторе. Напряженность Н постоянного маг,нитного поля, выраженная в гауссах, выбирается из условия Н-0,3543 10 если частота 9 электро-магнитного излучения выражена в герцах.

Осуществление ЭПР обусловливает повышение эффективности введения энергии в полимерное покрытие и понижение температуры поверхности подложки. Вращение иэделия вокруг оси, перпендикулярной постоянному и изменяющемуся с частотой магнитным полям, обеспечивает одновременное удаление полимерного покрытия с различных участков его поверхности. Мощность источника электромагнитного излучения при этом составляет

0,3 1,0 квт. Окислительный газ, заполняющий реактор-резонатор до давле!)Ия

1 ° 10 -5 мм от. ст., обновляют со ско" д ростью 1.10 gYVclp см сек

При равновесном нагреве до.температуры Т + 100 С помещенного в реакторрезонатор изделия с полимерным покры596902

Формула изобретения

Тираж"564 Подписное

ЦНИИПИ Заказ 1134/44

Филиал ППП Патент, r. Ужгород,ул.Проектная,4 гяем в последнем наблюдается. образование радикалов.

Поглощение радиочастотного излученияя радикалами в условиях осуществления ЭПР приводит к разогреву полимерного покрытия, а следовательно, к эффективной генерации радикалов. Положительная обратная связь процессов геиерации радикалов и разогрева покрытия обеспечивает эффективную термоокислнтельную деструкцию последнего.

В оптимальных условиях проведения процесса в реакторе-резонаторе образуется каксимальное количество возбужденных атомов и ионов из молекул окислительного газа. Постоянное магнитное поле при этом действует на плазму ионов (эффекты магнето-плазменного и циклотронного резонансов), существенно увеличивая частоту их соударений с покрытием.

Более высокие подвижность и реакционная способность возбуждаемых атомов и ионов окислительного газа, по сравнению с этими же характеристиками его молекул, обуславливают высокую скорость образования летучих окислов деструктирукй@егося в условиях ЭПР полимерного покрытия.

П р и и е р 1. В вакуумируемый до давления 0,5 мм рт. ст. реактор-резонатор сверхвысокой частоты помещают диск кремния с нанесенным на его окисленную поверхность и структурированным при температуре 130 С полимерным покг рытием толщиной О, 8 мкм, сформированным 5 из фоторезиста марки ФП-383 {ТУМЭП бко 028017). В резонатор непрерывно подают негретый до 100 С кислород со

1 скоростью 1 см- сек и излучение резонансной. частоты 4Ре 9,.600 ° 10 мГц. 40

Постоянное магнитное поле свипируют с частотой 1Гц в окрестности резонансного значения, равного 3,301 кГс.

Полимерное покрытие удаляют полностью эа 1 мин.

Пример 2. В вакуумируемый до давления 5 мм рт.ст. реактор -резона- тор сверхвысокой частоты помещают полуфабрикат из кварцевого пьезореэонатора с нанесенным на его поверхность и структурированным при температуре 140 С .полимерным покрытием толщиной 2,5 мкм, сформированным из фоторезиста марки

ФН-ll/ТУ МХП 6-14-631-71/.

В реактор резонатор непрерывно подают нагретый до 140 С воздух со скоЪ ростью 10 см сек и излучение резонансной частоты ез = 3,5 10 мГц. Постоянное магнитное поле свипируют с частотой 1Гц в окрестности резонансного значения, равного. 12,25 к1с. Полимерное покрытие полностью удаляют эа 3 мин.

Пример 3. В вакуумируемый до

2 давления 10 мм рт.ст. реактор-резонатор сверхвысокой частоты помещают диск фосфида галлия с нанесенньпм на его поверхность и структурированным при температуре 140 С полимерным покрытием толщиной 1,2 мкм, сформированным иэ фотореэистора марки ФП-PH-7 (ТУ МХП 6-14Г-632-71). В реактор-резонатор непрерывно подают нагретый до 100 С фреон со скоростью 10 см,сек. и излучение резонансной частоты

2880 мГц. Постоянное магнитное поле свипируют с частотой 1Гц вокрестности резонансного значения, равного

0,990 кГс. Полимерное покрытие удаляют в течение 0,5 мин.

Пример 4. В вакуумируемый до давления 0,5 мм рт.ст. реактор-резонатор высокой частоты помещают диск карбида кремния с нанесенным на его поверхность структурированным при температуре 140-200 С и подвергнутым облучению пучком ионов ксенона(6„

20 кэВ )„е+= 1,6 ° 10 A.ñì, q = 1,3 10

К см ) йокрытием толщиной 1,0 мкм, сформированным из фоторезиста марки

ФП-617 /ТИ МЭП ETO.035.521/. В реактор-резонатор непрерывно подают нагретую до температуры 200 С смесь фреона и кислорода (5:1 по объему) со скорось тью 1 см сек . Для реализации условий магнитного резонанса используют постоянное поле Земли ° Частота подаваемого в реактор-резонатор излучения

1,454 мГц. Полимерное покрытие полностью удаляют за 1 мнн.

Способ удаления. фоторезистивного покрытия с поверхности подложки путем нагревания в токе окислнтельного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения "корости процесса и понижения температуры подложки, процесс ведут в условиях эффекта электронного парамагнитного резонанса при .напряже» нии магнитного поля от 0,5 до 12,5 кГс, частоте радиоизлучения от 1,3 до 3 5.

У

10 мГц при температуре 100-200 С

-1 3 ..( скорости газа 1 10 — 10 см..сек и давлении от 1 ° 10 до 5 мм рт.ст.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

9 352257, кл. Я 03 С 1/68 11.05.70.