Магнитный накопитель

Авторы патента:

О 42-А НИ Е

ИЗОБЕЕтЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 804631

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.01.70 (21) 1397974/18-2 23) Приоритет (32) 10.01.69 (31) \ЯР21се / 137216 (33} ГДР (43) Опубликовано 25,04.78. Бюллетень М 15 (45) Дата опубликования описания30,0 !. Я. (51) М. Кл.

5 11 С 11/14

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (3) ÀK 628.327.6 (088,8) Иностранец

Райнхард Штраубепь (ГДР) (72) Автор изобретения

Иностранное предприятие

"Феб, Фипьмфабрик, Вопьфен" (ГДР) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ

Изобретение относится к системам информации, в частности к магнитному накопителю, в котором накопленная в форме доменных структур информация может быть сдвинута без искажений.

Известны устройства и системы, допускающие сдвиг информации без искажения. Они .основаны на том, что информация, накопленйая внутри магнитной ленты в виде встречнопараллельных магнитных зон, при приложении импульсного поля для сдвига через растр встре- lg чает препятствие к своему взаимному искажению (1).

Наиболее близким к предложенному является устройство, содержащее немагнитную подложку, выполненную из эластичной пленки, на которой расположены полосы из магнитомягкого материала (2).

Однако технология изготовления этих устройств не обеспечивает точного и достаточно плотного следования одного за другим витков для сдвинутых по фазе импульсов, что существенно влияет на емкость запоминающего устройства. С другой стороны, способы фототравлсния не обеспечивают непосредственного и соответственно точного растра магнитной ленты. 25

Пель изобретения вЂ” упрощение магнитного накопителя.

Это достигается тем, что магнитный накопитель содержит слой из магнитотвердого материала, расположенный над полосами из магнитомягкого материала и изолированный от них немагнитным слоем, а также тем, что слой из магнитотвердого материала выполнен из нескольких металлических слоев и тем, lT() слой из магнитотвердого материала выполи ll из немагнитного связующего слоя с однодомс11ными ферромагнитными частицами. Кроме гого, немагнитная подложка с полосами из магнитомягкого материала и слоем из магнитотвердого материала выполнена в виде бесконечной ленты.

Преимущества предложенного накопителя по сравнению с известными техническими решениями состоят в простоте конструкции и в уменьшенных технологических затратах на изготовление.

При использовании этого нак1)11итсля достигаются более точные магнитные растры и более высокая плотность записи.

На фи1. 1 н 2 нзобра)кс11 Mаг1111т111,11111;1ко11цтел ь.

Он имеет немагнитную подложку 1, слой 2 из магнитотвердого материала, полосы 3, вы

Адаптивный запоминвающий элемент // 597005

Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках // 591958

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов // 591957

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов // 588559

Способ направлеой синхронной передаси информации в тонких магнитных пленках // 585757

Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 583481

Магнитный дешифратор // 583479

Устройство для регистрации цилиндрических магнитных доменов // 577564

Переключатель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 575696

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)