Полупроводниковый диод
(19)SU(11)605491(13)A1(51) МПК 6 H01L29/86(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина:
(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД
Изобретение относится к полупроводниковым диодам, предназначенным для умножения частоты. Умножители частоты на полупроводниковых диодах широко применяются для генерации электромагнитных колебаний сверхвысоких частот, в частности для получения высокостабильных колебаний с помощью кварцованных умножительных цепочек. Типичная конструкция умножительного варакторного диода, выполненного на полупроводнике с барьерным контактным участком и двумя металлическими контактами. Однако этот диод требует трудоемкой настройки и недостаточно надежен. Наиболее близким техническим решением к изобретению является полупроводниковый диод, содержащий пластину, выполненную из нескольких пар слоев различных полупроводниковых материалов, причем в каждой паре один слой имеет меньшую величину отношения дрейфовой скорости насыщения подвижных носителей заряда к диэлектрической проницаемости, чем другой, и два контактных участка, по крайней мере, один из которых является барьерным. Целью изобретения является увеличение эффективности преобразования (умножения) частоты. Эта цель достигается тем, что число пар слоев в полупроводниковой пластине равно кратности умножения частоты, а барьерный участок содержит слой сильнолегированного полупроводника. Один из возможных вариантов предлагаемой конструкции диода представлен схематически на чертеже. Диод содержит металлические контакты 1,2, барьерный контактный участок 3, выполненный в виде Р+n+ перехода, и полупроводниковую пластину 4, которая состоит из m одинаковых пар слоев, выполненных из двух полупроводниковых материалов, отличающихся значениями отношения Us/
. Число пар слоев равно требуемой кратности умножения частоты. В другом возможном варианте предлагаемой конструкции барьерный контактный участок имеет структуру металл-сильнолегированный полупроводник. В рабочем режиме Р+n+-переход или контакт металл-полупроводник смещены в обратном направлении и образуют потенциальный барьер для носителей, инжектируемых в пролетный участок. Высокая концентрация примеси (N
1018 cм-3) в прилегающем к контакту n+(p+) cлое полупроводника обеспечивает достаточно малую толщину потенциального барьеpа (-10-6 cм), необходимую для эффективного туннелирования носителей заряда. Концентрация примеси во всех слоях пролетного участка существенно меньше, чем в контактном участке (n+); в рабочем режиме напряженность электрического поля в пролетном участке превышает значение, при котором происходит насыщение скорости носителей заряда. Для обычно применяемых полупроводниковых материалов это значение составляет 103-104 в/см. Для обеспечения эффективного туннелирования носителей заряда через потенциальный барьер концентрация примеси в прилегающем к контакту инжекционном n+/p+ слое выбирается достаточно высокой ( 
1018 см-3), а толщина этого слоя достаточно малой (
10-6 cм). Такая конструкция умножительного диода обеспечивает высокий КПД преобразования при значительных кратностях умножения частоты. Существенно также, что при использовании предлагаемого умножительного диода в умножителе частоты высокой кратности не требуется применения многоконтурных резонансных систем, вполне возможно применение двухконтурной системы, резонирующей на частотах входного и выходного сигналов. Дополнительным преимуществом предлагаемого умножительного диода по сравнению с известными (например, по сравнению с диодом с накоплением заряда) является отсутствие в спектре наведенного тока промежуточных (между частотами входного и выходного сигналов) гармоник входного сигнала, что снимает проблему фильтрации выходного сигнала и позволяет еще больше упростить контурную систему умножителя.
Формула изобретения
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД, содержащий пластину, выполненную из нескольких пар слоев различных полупроводниковых материалов, причем в каждой паре один слой имеет меньшую величину отношения дрейфовой скорости насыщения подвижных носителей заряда к диэлектрической проницаемости, чем другой, и два контактных участка, по крайней мере, один из которых является барьерным, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности умножения частоты, число упомянутых пар слоев равно кратности умножения частоты, а барьерный участок содержит слой сильнолегированного полупроводника.РИСУНКИ
Рисунок 1
