Индикатор для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветевей термоэлементов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 616599 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 090277(21) 2451329/18-25 с присоединением заявки И— (51) М. Кл.

G 01 R 31/26

Н. 01 . 35/34

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытии (23) Приоритет (43) Опубликовано 250778 Бюллетень № 27 (53) УДК 6 21 . 3 62 (088.8) (45) Дата опубликования описания 110678 (72) Авторы изобретения

В, И.Тихонов, A.Ì, Алексеев, Г.С. Петров, В. И.Соловьев и Ю. П. Хорунжин

Государственное специальное конструкторское бюро теплофизического приборостроения (73) Заявитель (54) ИНДИКАТОР ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СПЛАВОВ

И ВЕТВЕЯ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение .касается: исследования основных физических характеристик полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы. Оно может использоваться как при лабораторных исследованиях, так и при массовом изготовлении термоэлектробатарей.

Известен термозонд для определения типа проводимости полупроводников, в котором заостренный металлический стержень укреплен в вертикальном положении. На стержень навивается спираль, которая нагревает его до 801004С. Имеется также металлический электрод в виде диска. Стержень и дисковый электрод соединены с гальвайо метром (1 j .

Термозонд работает следующим образом.

На дисковый электрод помещается полупроводник с заранее известным типом проводимости, а затем приводят с ним в соприкосновение нагретое острие 5 стержня. В резульrare возникает термоэлектродвижущая сила, и зеркальце гальванометра поворачивается в. определенную сторону. Поворот зеркальца в противоположную сторону указывает на другой тип проводимости испытуемого полупроводника.

Однако низкая производительность зонда затрудняет его использование при массовом производстве ветвей термоэлементов и термоэлектробатарей.Особенно затруднительно его исполЬзование при разбраковке ветвей с токовым сечением Вто„ 1 мм

2.

Цель изобретения — повышение производительности при определении типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы.

Для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы в качестве индикатора используют водный раствор азотнокислой меди.

Известно, что при травлении медных изделий перед гальваническим нанесением металлических покрытий, изделия опускают в водный раствор азотной кислоты (2), при этом идет следующая реакция

3 Си ВННО ЗСи(NO>)>+2NO+ АН>О.

Получающаяся в результате реакции азотнокислая медь взаимодействует с веществом .п-ветви °

616599:

Формула изобретения

Легирующие добавки СЫЬ ея РЬ соответственно для ветвей,т - с и р-типов.

Составитель В.Кирсанов

Р акто Л ебенникова Тех e io.Попович Ко екто Л.Веселовская

Заказ 4061/43 Тираж 1112 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Ра ская наб 4 5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Пример использования изобретения можно проиллюстрировать на сплавах или ветвях термоэлементов, имеющих следующий состав (вес.е), ветви

Ф -типа

Ъ(53,165

Те, 43,822 5

Sei 3, 013, Ветви р-типа

Si, 16, 122 те 60,008 зе 26,870 l0

Приготавливают 40%-ный растворНИД4; в который вводят: 0,5г меди на каждые.

100 г раствора. Затем в полученный раствор помещают на 3-5сек термоэлектрические сплавы или ветви термоэлементов, после чего их промывают в воде и высушивают на воздухе. В результате происходящих при этом окислительно-восстановительных реакций на поверхности сплавов (ветвей) 5 -типа образуется красный налет, что лег25 ко обнаружить визуально, на ветвях ртипа налет не образуется.

Предлагаемый индикатор может использоваться для контроля качества сборки модулей перед коммутацией.

Опуская заготовку модуля в раствор предлагаемого состава, можно в течение нескольких минут проконтролировать правильность чередования ветвей

Ф - и р-типов в собранном модуле.

Применение водногс раствора азотнокислой меди в качестве индикатора для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Соминский M.Ñ. Полупроводники.

М., Наука, 1967, с. 257-258.

2. Федотьев Н,П., Алабышев А.Ф., Ротянин A.Ë. и др. Прикладная электрохимия. Л., ГНТИХЛ, 1962, с. 176.

Индикатор для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветевей термоэлементов Индикатор для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветевей термоэлементов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх