Биметаллический трафарет

 

620! 36

Составитель Л. Теплова

Редактор Н. Козлова Техред А. Ллатырев Корректор A. Гриценко

Заказ 4653/43 .Тираж 564 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Со ета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент",, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 фугирования наносится слой негативного фоторезиста ФН11к и проводится формирование межслоевой изоляции через биметаллический трафарет. Проводники второго уровня коммутации формируются аналогично проводникам первого уровня. Биметаллический трафарет дает пологий край фоторезиста цракчмчески при любой его толщине. Экспонирование ведется через окна в металле, в связи с чем дефекты, которые обычно имеются на эмульсионном слое и на основе фотошаблона, отсуствуют.

Формула изобретения

Биметаллический трафарет, содержащий основу с отверстием, размер кото >ого болыпе размера прецизи нно! ) оТверстия в слое второго металла, о т— л и ч е ю ш и и с я тем, что, с целью повышения качества многослойных weночных структур для получения рисунка межслоевой изоляции без проколов и с пологим краем при экспонировании негативного фоторезиста, основа в нем размешена на фоторезисте.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Курносов А, И.,Юдин В, В. Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974, с. 70-71, 76-77.

2, Берри Р., Холл П., Тонкопленочная технология, М., 1972, с. 122.