Аналоговое запоминающее устройство

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИД1сПДЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (i1) 621024 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 08.02.77 (21) 2449771/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.78.Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 12.07.78

Я (51) М. Кл

С 11 С 27/00

Государственный номитет

Совета Министров СССР

Ао делам изооретеннй н открытий (53) УДК 681.327. ,66 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. Е. Волынский, С. А. Рачин. и А, А. Смирнов (71) Заявитель (54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮШЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюшим устройствам.

Известно аналоговое запоминающее устройство, состоящее из электронного ключа, запоминающего конценсатора и буферного усилителя (lj. В режиме хранения информации такому устройству прис;7-ща погрешность, обусловленная конечным сопротивлением разомкнутого ключа.

Известно так же аналоговое запоминающее устройство, содержащее ключ заряда, выполненный на МДП-транзисторе, исток которого подключен к накопительному элементу, например конденсатору, и входу усилителя, и блок управления (2).

Однако в режиме хранения информации в известном устройстве возникает погрешность, обусловленная разрядом конденсатора паразитными токами, которые вызваны разностью потенциалов истока и затвора, а также истока и подложки Mllfl- pavэистора; указанная погрешность является оцной из причин, or ðàíè÷èaàþøèõ время хранения информации в устройствах данного типа.

Белью изобретения является увеличение времени хранения.

Это достигается тем, что аналоговое запоминающее устройство содержит два развязывающих элемента, например два резистора, и два ключа, причем выход усилителя подключен через развязываюшие элементы к затвору и подложке MQII- òðàí70 зистора, а затвор и подложка МДП-тран зистора соединены через клкчи с блоком управления.

На чертеже показана принципиальная схема устройства.

Аналоговое запоминающее устройство содержит ключ зарядатвыполненный на

МДП-транзисторе 1, накопительный элемент выполненный на конденсаторе 2, уси7 литель 3, первый и второй развязываюшие элементы 4 и 5, выполненные на резисторах, первый и второй ключи 6 и 7 и блок управления 8.

Устройство работает следующим образом, 621024

Составитель В, Фролов

Редактор Н. Козлова Техред M. Борисова Корректор А. Гриценко

Заказ 4668/48 Тираж 717 Поцлисн ое

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская, наб., ц. 4/5

Фнлиап ППП Патент, r. Ужгород, уп. Проектная, 4

В режиме выборки выхоцной сигнал блока управления 8 открывает ключи 6 и

7, через которые поступают Hs затвор и подпожку <МДП гранзистора 1 отпирающие его напряжения, MQII-транзистор открывается и значение его входного напряжения запоминается конденсатором.

В режиме хранения информации ключи:

6 и 7 разомкнуты и выходное напряжение усилителя 3, равное напряжению на конденсаторе, фиксируется через резисторы

4 и 5.на затворе и подложке закрытого транзистора. Благодаря равным потенциаламм истока, затвора и подложки отсутствуют разряжающие конденсатор паразитные токи: между истоком и затвором, а также истоком и подложкой МДП-транзистора.

В предлагаемом устройстве устранен ряд факторов, вызывающих разряц запоминающего конденсатора, и увеличено время хранения информации в аналоговой форме.

Ф ормупа из обретения

Аналоговое запоминающее устройство, соцержащее ключ заряда, выполненный на

М,ПП-транзисторе, исток которого поцкпючен к накопительному элементу, например конденсатору, и входу усилителя, и блок управления, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения времени хранения, оно содержит цва развязывающих эпемента, например два резистора, и два ключа, причем выход усилителя. поцключен через развязывающие элементы к затвору и подложке МДП-транзистора, а затвор и подложка МЯП-транзистора соединены через ключи с блоком управления.

15 Источники информации принятые во внимание при экспертизе:

1. Грэм Дж. и др. Проектирование и применение операционных усилителей М., 1974, с. 378-382.

20 2. Шило В, Л..11инейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре.

М„1974, с, 261,