Способ формирования изображения на термопластическом носителе

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

«.

I (51) M. К 2

С 03 См 18/18 (61) Доно.1ннтельное к авт, свил-ву (22) Заявлено18.10.76 (21) 2412810/28-12 с присоединением заявки ."й (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.11.78«Бюллетень No. 41 (45) Лата опубликования оппсанпя10. 11. 78

Гасударственный комитет

Совета Миннстров СССР оо делам нзобретений и открытий (53) УЛ< 772.9Э (088. 8) А. A. Пасечник, В. И. Булгаков и B. И. Павлов (72) Авторы изобретения (71) Заявите.ть (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Н А Т ЕРМО ЧЛ А СТ И Ч ЕСКОМ НОСИТЕЛЕ

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к области фототер. мической записи на термопластический носи гель

Известен способ фототермопластической записи, заключающийся в формировании скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе путем подключения пульсирующего напряжения между проводящим слоем носителя и фотополупроводниковой пластиной, находя- 10 щейся в механическом контакте с носителем, экспонирования с одновременной подачей напряжения противоположной полярности и последующего появления электростатического изображения нагревом (1) . I5

Недостаток этого способа заключается в неравномерности фона получаемых изображений.

Целью изобретения является повышение равномерности фона получаемых изображений.

Эта цель достигается reM, что одновременно с отводом фотополупроводниковой пластины от термопластического носителя приложенное постоянное напряжение снижают до 600-1000в и отделение осуществляют при этом напряжении.

На чертеже изображен график зависимости пробойного напряжения от величины воздушного зазора, на котором доз я d$ — величины зазора, а

1 2

Ц пр иасап, — пробойное напряжение

П р н м е р. Термопластический носигель состоит из основы (лавсана толщиной 50-100 мкм), нанесенного на нее прозрачного проводящего слоя (хром), 2 имеющего со про ти вл ение 1 0" ом/см, и термопластического слоя толщиной 7 мкм.

Фотополупроводниковая пластина состоит из металлической подложки (дуралюминий) и фотополупроводникового слоя (селенид мышьяка) толщиной 15 мкм. Проявление осуществляется в проявляющем устройстве, состоящем из проявляющего элемента (пластина слюды со слоем 1 vl 0g ) и импульсного источника питания.

В исходном положении фо гопалу.проводниковая пластина отведена от термоплас631858

25

18

24 тического носителя и напряжение записи на систему не подается.

Процесс записи происходит следующим образом.

Между термопластическим носителем и фотополупроводниковой пластиной прикладывают постоянное напряжение 1500 в, подводят последнюю к термопластическому носителю и производят экспозицию (на фотополупроводниковую пластину прое.-10 цируют равномерный белый фон через дифракционную рещетку с частотой 25 лин/мм)

Время экспозиции составляет 1 с (для чего соответствующим образом выбирают освещенность). По окончании экспозиции пе- )5 реключают напряжение с 1500 в на 800в и сразу же отводят пластину под действием этого напряжения. Сформированное таким образом на термопластическом носите ле скрытое электростатическое изображЬ- >О ние проявляют в проявляющем: устройстве.

Формула изобретения

Способ формирования изображения на термодластическом носителе путем прикла-45 дывания между термопластическим носителем и фотополупроводниковой пластиной постоянного напряжения, подвода пластины

K носителюр экспонированияу отвода ФОТО» полупроводниковой пластины и проявления, so отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности фона полуЦля определения целесообразности использования предлагаемого способа и его полезности производилось сравнение качества изображений, получаемых при исполь» зовании известного способа записи, и предложенного. Для этого производилось получение изображения по способу, при котором подвод, экспонирование и отвод фотополупроводниковой пластины осуществлялись при одном напряжении 1500 в. Фото полупроводниковая пластина, термопластический носитель и экспозиция были при э том такими же самыми.

После проявления изображений на микроинтерферометре Линника (МИИ-4) про-. изводились измерения глубины микродеформаций, из которых состояли изображения.

Результаты сравнения двух способов записи приведены в нижеследующей табли. це. чаемых изображений, одновременно с отводом фотополупроводниковой пластины от термопластического носителя приложенное постоянное напряжение снижают до 6001000 в и отделение осуществляют при этом напряжении.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США % 3214272, кл.

96-1, 1965

631858

Составитель Г. Бежанов

Редактор Г. Кузьмина Техред 3, Фанта Корректор Н. Ковалева

Заказ 6339/45 Тираж 522 Подписное

ПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж.-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4