Мембранный тензорезистор

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«1635394 (61) Дополнительное к ав-.. свид-зу— (22) Заявлено 15.04.77 (21) 2479031/25-28 с присоединением заявки М— (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.11.78. Бюллетень М 44 (45) Дата опубликования описания 30.11.:8 (51) М. Кл.2 6 01 В 7/18

Государственный комитет по делам изобретений и открытий (53) УДК 531.781.2 (088.8) (72) Автор (54) МЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для контроля процесса разрушения материалов под нагрузкой, и может быть»с.пользовано для измерения скорости и направления развития трещин, исходная точка возникновения которых заранее известна.

Известен мембранный тензорезистор, содержащий подложку из электроизоляционного материала и тензорешетку, выполненную в виде набора прямых проводников. соединенных звездой и направленных по радиусам от центра подложки (1).

Однако этот тензорезистор позволяет определить только направление трещины при условии, что ширина трещины будет дост".точной для разрыва проводника.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности 11 достигаемым рсзультатам является мембранный тензорезистор, содержащий подложку из электроизоляционного материала, внутреннюю решетку в виде набора проводников, соединенных звездой и выполненных в виде концентричных дуг, и внешнюю тензорешетку, так?ке выполненную в виде концентричньх токопроводящих дуг (2).

Однако этот тензорезистор не позволяет измерять направ: ение развития трещины. зо

Целью изобретения является измерение направления развития трещины.

Поставленная цель достигается тем. чт< проводники внутренней решетки выполнены в виде участков спиралей, общая вершин» которых находится в центре дуг внешней решетки.

На чертеже представлен мембранный тензорезистор, общий вид.

Мембранный тензорезистор содер?кит подложку 1 из электроизоляционного материала, на которой размещена внешняя тензорешетка 2 и внутренняя тензорешетка

:? с проводниками 4, выполненными в виде участков спиралей. Общая вершина 5 этих спиралей находится в центре концентричHbIx дуг внешней тензорешетки 2. Проводники 1! соединены звездой. Свободные концы проводников 4 соединены с контактными площадка!!1: 1?.

Тензорезистог работает следующим образом.

ДО начала .спытаний подложк1 наклеивают на исследуемую поверхность так, чтобы центр тензорешеток совпал с исходной —:: чкой возникновения треш:!Ны. Свободные концы обеих тензорешеток 2 и 1 соединяю! проводной линией с регистратором. Прп гоявлении трещины на поверхности материала он разрь!вает поочередно сначала проводники 4, а затем дуги внешней тензорешетки 2. Последовательность сигналов, возникающих в момент размыкания соответствующих электрических цепей, записывается регистратором, и по этой записп .",— дят о скорости и направлении развития тре-.щины.

Применение описанного мембранного тензорезистора позволяет контролировать не только скорость, но и направление развития трещины, что имеет большое значение для правильной расшифровки процесса разрушения материала. 1ензирезистор обеспечивает повышенне1о надежность контроля трещин, распространяющих в любом направлении, так как у него о-.сутствую зоны нечувствительности, имеющиеся в известных типах тензорезисторов.

Использование мембранного тензорез:.стора при испытаниях новой техники. в частности наземного и авиационного транспорта, металлургического оборудования, изделий химического машино -.роения и т. п., позволяет повысить качество и надежность

--.Нх машин.

Формула сизобретения

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США № 2318102, кл. 338 — 2, 1943.

2. Авторское свидетельство СССР ¹ 345350, кл. G 01 В 7/20, 1969.

Мембранный тензорезистор, содержащий подложку из электроизоляционного материала, внутреннюю тензорешетку в виде набора проводников, соединенных звез10 дой, и внешнюю тензорешетку в виде концентричных токопроводящих дуг, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью измерения направления развития трещины, проводники внутренней решетки выполнены в виде участков спиралей, общая вершина которых находится в центре дуг внешней решетки.

7,5

Составитель И. Тимошенко

Редактор Г. Яковлева Текред A. Камышникова Корректор И. Симкина

Заказ 847/1276 Изд ъ 782 Тпрагк 850 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

Москва, iK-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фиги пред. «Патент»