Способ получения р-п структур
ОПИCAН И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ (п,639358
Союз Советских
Соцналнстнческнх
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.07.74 (21) 2039694/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30,07.79. Бюллетень ¹ 28 (45) Дата опубликования описания 30.07.79
{51) М Кл 2
H 01L 21/208
Государственный комитет (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений н открытий 72) Авторы изобретения В. Д. Лисовенко, И. Е, Марончук, Ю. Е. Марончук, Б. П. Масенко и Б. И. Сушко
Институт физики полупроводников Сибирского отделения
АН СССР (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р — и-СТРУКТУР
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в полупроводниковой электронике при изготовлении приборов с р — n-переходом.
Известен способ получения р — n-перехода в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.
Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р — n-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.
Известен способ получения р — и-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.
Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине. Кроме того, этот метод не дает возможности получения многослойных p — n — p — и-переходов в едином процессе, Цель изобретения — получение многослойных р — и — р — и-структур с контролируемым распределением примеси по толщине.
5 Для этого по предлагаемому способу выращивание осуществляют перекристаллизацией в постоянном градиенте температур, а среднюю температуру расплава периодически изменяют соответственно выше и ниже
10 точки инверсии амфотерной примеси, Сущность способа получения эпитаксиальных р — и-структур поясняется на примере выращивания р — n-структуры на основе
AI Ga,.As.
Готовят поликристаллическую таблицу состава AI Ga „As (0(xi) с определенной концентрацией кремния. На подложку из арсенида галлия наносят слой растворителя, например галлия, на который накладывают таблетку AI.,Ga,As. Пакет помещают в реакционную зону с вертикальным температурным градиентом. После вывода установки на режим при постоянной средней температуре выше инверсии за счет
25 градиента температур происходит зонная перекристаллизация поликристаллической таблетки АI,.Ga,As в монокристаллический слой AI.,Ga>,As n-типа проводимости.
639358
Форму 1a изобретения
Составитель Н. Хлебников
Техред А. Камышннкова Корректор Л. Орлова
Редактор Т. Колодцева
Заказ 1777/3 Изд. № 469 Тираж 923 Подписное
НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
1!осле выращивания слоя п-типа необходимой толщины температуру снижают и далее выращивание р-слоя осуществляют также за счет градиента температуры при средней температуре ниже точки инверсии.
При выращивании многослойных р — п — р— и-структур для получения последующего слоя п-типа проводимости среднюю температуру вновь увеличивают выше температуры инверсии, после выдержки в течение времени, необходимого для образования слоя п-типа заданной толщины, среднюю температуру снижают ниже температуры инверсии и выращивают эпитаксиальный слой р-типа.
Способ получения р — n-структур жидкостной эпитаксией при переходе через кри5 тическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси, отл и ч а ющи и с я тем, что, с целью получения многослойных р — и — р — n-структур с контролируемым распределением примеси по толщи10 не, выращивание осуществляют перскристаллизацией в постоянном градиенте температур, а среднюю температуру расплава периодически изменяют соответственно выше и ниже точки инверсии амфотерной при15 меси.
