Полевой транзистор

Авторы патента:

НАЗАРЬЯН АРТАШЕС РУБЕНОВИЧ

КРЕМЛЕВ ВЯЧЕСЛАВ ЯКОВЛЕВИЧ

ЛАВРОВ ВАДИМ ВАЛЕРЬЕВИЧ

H01L29/812 - с затвором типа барьера Шотки

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик iii 646391! г

,> .д;," 6, 44". н1 (4 ( (61) дополнительное к авт. свид.ву(22) Заявлено01.11.77 (21) 2537101/18-25 с присоединением заявки №(23) ПриоритетвЂ” (51) М. Кл.

Н 01 L 29/76

Государственный комнтет

СССР ао делам неооретеннй н отнрытнй

Опубликовано 05.02.79,Бюллетень № 5 (53) УДК621.382 (088,8}

Дата опубликования описания 05.02.79

{72) Авторы изобретения А. P. Наварьян, В. Я. Кремпев и В. В. Лавров (7!) Заявитель (54) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к интегральным схемам, Наиболее эффективно оно мо-. жет быть использовано при построении больших интегральных схем, логических и запоминающих устройств. 5

Известен полевой транзистор с затвором в виде выпрямляющего перехода металлполупроводник (! ), Наиболее близким к изобретению по технической сущности является полевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник, со стоковой областью, расположенной между затворными областями, и с истоком (2), .15

Известные конструкции полевых транзисторов имеют существенный недостаток, заключающийся в относительно малой ширине стоковой области и большом сопротивлении растекания тока стока, что ограничи- вает величины коммутируемых приборам токов и в результате ограничивает быстродействие прибора. Кроме того, реализация прибора обуславливает повышение требований к минимальным размерам окон на фотошаблоне и к разрешающей способности фотолитографических операций, Цель изобретения вЂ” увеличение быстродействия полевого транзистора, Эта цель достигается тем, что в подложке на расстоянии введения в область стока от поверхности, не превышающем толщины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким, образом, . что ее проекцая полностью перекрывает контакт стоковой области г, подложке.

На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.

В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе, имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области !) потенциал, Когда

646391

3 в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь.

Уменьшение длины канала в предложенном транзисторе достигается посредством расположения краев области 4 и области 3 в одном вертикальном сечении.

В . данкой структуре ширина области 2 может быть выбрана достаточно большой и, следовательно, транзистор имеет малое последовательное сопротивление между истоком и стоком. Это позволяет использовать прибор для коммутации токов относительно больших величин и, следовательно, уменьшить время переходных процессов паразитных емкостей.

Транзистор может быть изготовлен по обычной технологии, принятой при "производстве полуп1.эводниковых приборов и интегральных схем.

Формула изобретения

Полевой транзистор с затворными областями, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник, со становой областью, расположенной между затворными областями, и с истоком, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, в подложке на расстоянии от поверхности, не превыц/ающем толщины слоя объемного заряда выпрямляющего контакта затвор-исток, расположена дополнительная область противоположного подложке типа проводимости таким образом, что ее проекция полностью перекрывает контакт стоковой области в подложке, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент США № 3804681, кл. 148 вЂ 1, 1974, 2. Авторское свидетельство СССР № 602055,.кл. Н 01 L 27/04, 06.01,77.

Составитель О. Федюкина

Редактор Ж. Рощкова Техред О. Луговая Корректор В. Куприянов

Заказ 122/42 Тираж 922 Подписное

ОНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

П 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .Филиал . ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС