Устройство для измерения пробивного напряжения р-п перехода

 

ОЙ ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

0ш 65 491Ó

СоЮ Соаетскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.10.77 (21) 2529149/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03,79. Бюллетень М 12 (45) Дата опубликования описания 30.03.79 (51) М. Кл.-"

G 01k 31l26

Государственный комитат

СССР ио делам изооретеиий и открытий (53) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. М. И в а нов и В. М. П о годин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО

НАПРЯЖЕНИЯ р-и-ПЕРЕХОДА

Устройство относится к области испытаний полупроводниковых приборов и может быть использовано для их отбраковки по пробивному напряжению.

Известно устройство для измерения пробивного напряжения полупроводников (1), содержащее высокочастотный и низкочастотный генераторы, смеситель, фильтр, фазочувствительное устройство и индикатор, причем момент пробоя регистрируют по прохождению высокочастотной фазовой характеристики р — и-перехода через нуль.

Недостатком данного устройства является малая помехоустойчивость.

Известно также устройство для измерения пробивного напряжения полупроводников (2), содержащее источник напряжения, короткозамкнутую цепь, компаратор, индикатор и схему задержки, причем при возникновении пробоя испытуемого образца для предотвращения его разрушения срабатывает короткозамыкающая цепь, управляемая от компаратора.

К недостаткам данного устройства относится то, что испытуемый образец в течение некоторого времени, определяемого быстродействием короткозамыкающей цепи, находится в состоянии пробоя.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является устройство (31, содержащее генератор импульсного напряжения и измерительное устройство, а также стабилитроны, ограничивающие напряжение на испытуемом образце при его пробое. Недостаток устройства состоит в возможности теплового пробоя испытуемого полупроводникового прибора при длительном воздействии испытательного режима.

Кроме этого, для испытуемых приборов различных типов необходим разный уровень стабилизации, что вызывает необходимость настройки устройства в процессе его эксплуатации.

Цель изобретения — обеспечение нераз15 рушающего контроля пробивного напряжения полупроводниковых приборов.

Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемое устройство введен конденсатор, подключенный между выходом гене20 ратора импульсного напряжения и клеммами для подключения испытуемого элемента.

Конденсатор образует с испытуемым образцом дифференцирующую цепь, постоянная времени которой зависит от сопротив25 ления испытуемого полупроводникового прибора.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Устройство состоит из генератора 1 импульсного напряжения с регулируемой по

654917 где

Составитель И. Музанов

Редактор Т. Рыбалова Техред Н. Строганова Корректор О. Тюрина

Заказ 318/13 Изд. Лв 256 Тираж 1089 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, .5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 известному ф времени закону амплитудой ймпульЪа, конденсатора 2, испытуемого полупроводникового прибора 3, измерителя 4 .н@ьряжения и выходных клемм 5 и 6 для подключения испытуемого прибора.

Устройство работает следующим образом.

Импульсы напряжения от генератора 1 через конденсатор 2 поступают на полупроводниковый прибор 3. Измерение и контроль напряжения на приборе 3 (или тока через него) производится на измерителе 4 напряжения. Амплитуда импульсов генератора постепенно повышается до наступления пробоя испытуемого изделия.

При пробое сопротивление полупроводникового прибора резко падает, столь же резко падает и постоянная времени заряда конденсатора 2. Это приводит к укорочению воздействующего импульса и снижению напряжения на приборе 3 или до величины, при которой пробой срывается.

Время, в течение которого испытуемый прибор работает в режиме пробоя, зависит от постоянной времени заряда конденсатора 2 при пробое и может быть существенно меньше, чем у аналогичных устройств, использующих схемы сброса испытательного напряжения.

Величина емкости выбирается из условия

С("— С., R т — длительность импульса на выходе генератора;

R ; С: — соответственно сопротивление и емкость испытуемого полупроводникового прибора при напряжении, меньшем пробивного.

Формула изобретения

Устройство для измерения пробивного напряжения p — n-перехода, содержащее генератор импульсного напряжения и измерительное устройство, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения неразрушающего контроля, в него введен конденсатор, 20 подключенный между выходом генератора импульсного напряжения и клеммами для подключения испытуемого элемента.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

25 1. Авторское свидетельство СССР

Мю 421959, кл. G 01R 31!26, 30.03.74.

2. Авторское свидетельство СССР

М 401940, кл. G 01Я 31/26, 14.05.72.

3. Авторское свидетельство СССР

30 Кв 172374, кл. G 01R 31/26, 25.05.63.