Матричный накопитель для электроннооптических запоминающих устройств

 

ЕА..

ОПИтСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

11 Ц 682948

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.08.76 (21) 2398474/18-24 с присоединением заявки № (51) М. Кл.-"

G 11С 11,/42 (53) УДК 681.327.66 (088.8) (43) Опубликовано 30.08.79. Бюллстснь ¹ 32 (45) Дата опубликования описания 30.08.79 по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. И. Осадчий и А. Я. Паринский

Тульский политехнический институт (71) Заявитель (54) МАТРИЧ Н Ъ| Й НАКОП ИТЕЛ Ъ

ДЛЯ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЗАПОМИНАЮЩИХ

УСТРОЙСТВ

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для использования в цифровых вычислительных машинах с визуальным отображением информации на большом экране.

Известны электронно-оптические запоминающие устройства с электронно-лучевой записью, чтением и стиранием информации (1). В этих устройствах запоминание информации происходит за счет нанесения на диэлектрический экран электронно-лучевой трубки электрических зарядов с помощью управляемого электронного луча, причем заряды могут вызывать деформацию экрана, если он выполнен из термо- 15 пластика или тонкой пленки.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является матричный накопитель для электронно-оптических запоминающих устройств, содержащий диэлек- 20 трическую прозрачную подложку, на которой расположена матрица запоминающих элементов. Подложка нанесена на внутреннюю поверхность лицевой панели баллона, поверх нее установлен сплошной деформи- 25 рующийся под действием электростатического поля элемент, а на деформирующийся элемент нанесен фоторекативный слой, который деформируется вместе с этим элементом (2). 30

ГосУдаРственный комитет (23) П,ио „,, Недостаток такого накопителя состоит в относительно низкой информационной емкости, которая обусловлена нагревом н изменением физических свойств носителя информации (разложенпе) под действием облучения электронами; растеканием зарядов; влиянием внешних электрических полей; отсутствием возможности элекгрического считывания.

Цель изобретения — повышение информационной емкости накопителя.

Это достигается тем, что каждый запоминающий элемент матрицы содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, размещенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка, например, из полимера с нанесенными на нее над углублениями слоямп из магнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса а элементы считывания запоминающих элементов соединены последовательно.

На фиг. 1 изображен предложенный накопитель, общий вид; на фиг. 2, а, б — сечение одного запомннающего элемента матрицы для двух состояний содержания информации в запоминающем элементе, соответствснно нулевого состояния н состояния единицы; на фиг. 3 — в плане соеди682948 нение элементов считывания запоминающих элементов.

Матричный накопитель помещен в колбу

1, внутри которой расположены пушки 2, 3, 4 записи, стирания и считывания соотвeтс гвснно с "чала M и i правлсl11151 элсir гporrHblM лучами. Оси пушек 2, 3, 4 лежат в одной плоскости, параллельной дну колбы и на расстоянии нескольких микрометров от него. Дно колбы представляет собой диэлектрическую прозрачную подложку 5, »а которой расположена матрица запоминающих элементов, Каждыи запоминающий элемент (фпг. 2) содержи". слой 6 магнитотвердого материала, например ал- 15 нико, и элемент 7 считывания, размещенные в углублениях 8, выполнень х в подложке 5, па поверхности которой расположена гибкая пленка 9, например, из полимера с нанесенными на нее над углублс- 20 ниями 8 слоями 10 из магнитного материала с прямоугольной петлей гистсрсзиса, например никеля, и высокой отражающей способностью. Элементы 7 считывания соединены последовательно с нагрузкой 25 (фиг. 3).

На внутреннюю поверхность колбы нанесен аквадаг 11. Передняя поверхность колбы покрыта антиотражающим покрытием 12. Дно колбы со стороны запоминаю- 30 щих элемснтов освещено когерснтным поляризованным световым пучком 13. Отраженный пучок 14, несущий изображение в виде фазового распределения фронта пучка, может после корреляционной (гологра- 35 фической) обработки проецироваться на экран. В комплект устройства может входить магнитное перо 15.

Устройство работает следующим образом. 40

В исходном положении за счет начал»ного намагничивания слосв 6 и 10 пленка

9 вогнута внутрь элемента, что соотвстствует в двоичной системе нулевому состоянию элемента (фиг. 2,a). 45

В режиме записи виртуальная рамка, образованная электронными лучами пушек

2, 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и ло- 50 кально псремагничивает пленку. За счет магнитных сил отталкивания между слоями 6 и 10 пленка 9 занимает выпуклое положение над элементом, что соответствует в двоичной системе единичному состоянию 55 запоминающего элемента (фиг. 2,б). Материал слоя 6 выбран таким, чтобы его коэрцитивная сила была много больше коэрцитивной силы материала слоя 10. В соответствии с заданным кодом адреса па 60 матрице формируется пространственны r рельеф записанной информации. Одновременно записанную информацию опсратор наблюдает в отраженном световом пучке 14 за счет фазовой модуляции локальных лу- 65 чей, отраженных от запоминающих элементовв.

В режиме считывания виртуальная рамка, образованная электронными лучами пушек 2 3, 4, сканирует параллельно плоскости матрицы запоминающих элементов и локально персмагничивает слой 10. Прп этом предварительно проводят коммутацию электронных лучей в пространстве, тем самым измсняюг направление магнитного поля рамки. За счет магнитных сил притягивания между слоями 6 и 10 пленка 9 переходит в нижнее нулевое положение, если предыдущее состояние было единичным, и нс меняет своего состояния, если оно было нулевым. При переходе в нижнее состояние в элементе 7 наводится ЭДС, которая вызывает ток в нагрузке. Наличие или отсутствие сигнала в нагрузке соответствует условной единице или нулю информации. Время сохранения изображения нс ограничено. Однако считывапие происходит с разрушением информации. По истечении цикла считывания запоминающие элементы подготовлены к записи.

Для оперативного изменения информации запоминающего элемента может быть применено магнитное перо 15, представляющее собой дроссель с разомкнутым сердечником.

Выполненис накопителя в виде матрицы запоминающих элементов, кахкдый из которых содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, размещенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка с нанесенными на нее пад углублениями слоями из магнитного материала с прямоугольной петлей гистерсзиса, а также последовательное соединение элементов считывания позволяет использовать для записи и считывания носитель информации большой площади. Это повышает информационную емкость накопителя, обеспечивает высокоскоростное стирание и считывание информации виртуальной рамкой с током, образованной пересекающимися электронными лучами пушек, оси которых параллельны плоскости матрицы, при отсутствии контакта с носителем информации, что исключает его нагрев. Освещение матрицы запоминающих элементов когерентным поляризованным светом позволяет обеспечить визуальное отображение записанной информации на большом экране с использованием фазовой модуляции при высоком уровне яркости. Кроме того, время сохранения изображения принципиально не ограничено, в то время KBIc в известных устройствах оно ограничено из-за несовершенства электрической изоляции.

Наличис магнитного пера (элемента обменной связи оператора с вычислительной

682948

7 6 г а айаг. г

Составитель И. Загинайко

Техред А. Камышникова

Корректор Е. Хмелева

Редактор И. Грузова

Заказ 1787/14 Изд, № 493 Тираж 681 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 машиной) расширяет область применения предлагаемого устройства.

Формула изобретения

Матричный накопитель для электроннооптических запоминающих устройств, содержащий диэлектрическую прозрачную подложку, на которой расположена матрица запоминающих элементов, отличающи и с я тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, каждый запоминающий элемент содержит слой магнитотвердого материала и элемент считывания, расположенные в углублениях, выполненных в диэлектрической прозрачной подложке, на поверхности которой расположена гибкая пленка, например, из полимера с нанесенными на нее над углублениями слоями из магнитного материала с

5 прямоугольной петлей гистерезиса, а элементы считывания запоминающих элементов соединены последовательно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

10 1. Денбновецкий С. В., Семенов Г. Ф.

Запоминающие трубки в устройствах обработки информации. «Сов. радио», 1973, с. 278.

2. Патент США ¹ 3858080, кл. Н04 3/1б, 15 опублик. 1972, (прототип).