Мощный свч-транзистор
Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.
Похожие патенты:
Мощная вч (свч) транзисторная структура // 656432
Биполярный свч-транзистор // 650131
Полупроводниковое устройство // 640686
Полупроводниковый прибор // 626713
Устройство согласования // 557438
Мощная свч-транзисторная структура // 2216069
Мощная свч-транзисторная структура // 2216070
Мощная свч-транзисторная структура // 2216071
Мощный свч-транзистор // 2216072
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов
Мощный свч-транзистор // 2216073
Мощный свч-транзистор // 2227945
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов
Мощный свч-транзистор // 2227946
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ-полупроводниковых приборов
Мощная полупроводниковая структура // 2238604
Высоковольтный полупроводниковый прибор // 2395869
Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств
Мощная полупроводниковая структура // 2457576
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов
