Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов
k г .И 1 е у
;ч
1" 684614
ИЗОБРЕТЕН
Союз Советскнх
Соцнвлнстнческнх
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ТЕ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05,08.76 (21) 2393459 с присоединением заявки ЭЙ (23) Приоритет
Опубликовано 05.09.79 Бюлле
Дата опубликования описания (5 l ) M. Кл.
6 11 С 11/14
Гвсудзрстееннне нокнтет
СССР не делам нзобретеннй н отнрьтнй (53 ) УД 6(628.327.6 (088.8) (72) Авторы изобретения
А. Ф. Попков и И. А. Игнатьев (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ
МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ
Предлагаемое изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминающим устройствам на магнитных доменах.
Известны устройства для продвижения цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), oipaзованные проводящими шинами или контурами, нанесенными на поверхность доменосодержащего материала (1). Движение ЦМД осуществляется под действием градиента магнитного поля, поочередно создаваемого в последовательности контуров, образованных шинами за счет подачи в них электрического тока, Следующий тип структур продвижения ЦМД представляет собой каналы, сформированные в тонкой магнитной пленке, вдоль которых распространяются домены (2). Движение ЦМД в канале происходит за счет сил магннтостатического взаимодействия между доменами.
Наиболее близким к изобретению является устройство продвижения цилиндрических магнит. ных доменов, содержащее слой магнитного материала и пленку доменосодержащего материала (3). ЦМД распространяется вдоль канала из пермаллоевых тонкопленочных аппликаций
Y — образной формы, Движение ЦМД происходит при повороте вектора управляющего полн, лежащего в плоскости кристалла, которое по мере вращения образует в различных местах аппликацпй наиболее благоприятные условия для нахождения ЦМД
В силу того, что ЦМД перемещается под действием магннтостатического взаимодействия между его собственным магнитным потоком и магнитным потоком элементов структуры продвижения, существуют жесткие соотношения между размерами аппликаций или токовых контуров и диаметром доменов, соблюдение которых обеспечивает устойчивую работу устройства. Так ширина аппликации и минимальное расстояние между ними должны равняться примерно половине диаметра ЦМД, а их длина—
2,5 диаметра, а ширина шин контура — около 1/4 диаметра.
Увеличение плотности записи запоминающих устройств сопровождается переходом к ЦМД с диаметрами порядка нескольких микрон и менее. Это требует изготовления управляющих кациями.
Составитель В. Гордонова
Техред Jl.Àëôåðîâà
Корректор A. Гриценко
Редактор Б. Герцен
Заказ 5298/47
Тираж 681 Подписное
Ц11ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Иатент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 лены генератор и аннигилятор полосовых доменов, матнитосвязаниые с пластиной с полосовой доменной структурой.
2.Устройствопоп.1, отличающее с я тем, что генератор и аннигилятор полосовых доменов выполнены в виде магнитной пленки с нанесенными на нее токовыми апплиИсточники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. 11атент Великобритании и 1367474, кл. Н 3 В 1974.
2. Патент CIIIA К 3827036, кл. 340 — 174, 1974.
3. Патент С(!1Л М 3753250. кл. 340-- 174, 1973 (прототип) .
