Патент ссср 71592

 

Класс 57d, 5в1 № 71592

СССР

П. В. Гусаров

fi 1»;. т;

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЧ РЕЛЬЕФНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ

НА МОЛЕТАХ И ЬАЛАХ СИТЦЕНАБИВНОЙ МАМИНЫ

ФОТОМЕХАНИЧЕСКИМ ПУТЕМ

Заявлено 13 апреля 1940 r. за ¹ 233118 в Народный Комиссариат текстильной промышленности СССР

Опубликовано 31 августа 1949 г.

Предметом изобретения является способ получения рельефных изображений на молетах и валах ситценабивных машин путем накатыBBHHsI переводной краски на изображение, полученчое фотомеханическим гравированием, припудривачием канифолью и последующим дополч.пельным травлением рельефа для его углубления.

Сущность предлагаемого способа закгпочается в том, что снятые через растр изображения копируют на пленку хромированного коллоида и протравливают вал или молет после наложения на него пленки. С. цель1о предотвращения прилипания краски ко дну рельефа, ее накатывают при быстром вращении вала.

Травление производят до желаемой глубины рельефа. При необходимости же получения различных глубин и для возможности заменгы нескольких валов одним на вал для увеличения рельефа на большую глубину наносят столько краски, сколько необходимо для заполнения протравленного и углубленного рельефа одной или нескольких малых глубин.

Порядок операций в данном способе следующий.

С многокрасочного оригинала через светофильтры снимают три негатива, с которых делают диапозитивы на бромосеребряной бумаге или фотопластинке. Затем через растр (от 18 до 40 линий) снимают негативы.

Ра тровый диапозитив копируют на пленку, которую, в случае ослабления рельефа, корректируют травлением. Исправленный растровый диапозитив на пленке копируют на вал одним из существующих способов, например, покрытием горячей эмалью. Обливая эмалью, вал опускают вертикально в сосуд. Негатив закрепляют и дают равчомерное освещение, а проявление и закрепление производят при вращении вала

Затравляют крепкой азотной кислотой с предварительной промывкой этиловым спиртом. После этого на вал накатывают краску. Процесс травления в зависимости от желаемой глубины повторяют несколько раз.,.№ 71592

Предмет изобретения

Редактор Р. Б. Кауфман Текред A. А. Камк1шникова

Корректор В. В. Комарова

Поди. к пеи 10Р:1! — 61 г

Зак. 3138)3

Формат бум. 70;; 108 I!в

Тираж 220

ЦБТИ ири Комитете !:о делам пас орет< ги и и о!кр1гггий

I!pIt (.онс-.е," н:пи;". рои С((.Р

41о< ква Центр," I. !1ср,! " ескпй; ер д 2 6

О(гвск! 0,18 гад. гк

Цена 4 коп.

Ги!!Oi p!. i! 1). Саггуиопа, 2.

1. Способ получения рельефного изображения IIa молетак и валак ситценабивным машин фотомсхан,!!чески.5! путем с накатыванием на IIoлученное изобрг>кение переводной краски, припудриванием се канифолью и последу!ощим дополнительным травлением рельефа для его углубления, G т Tл и ч а ю шийся тем, что, с целью предотвращения прилипания краски ко дну рельефа ее накатывают на -вал во время его быстрого вращения.

2. Прием выполнения способа по п. 1, о тл и ч а ю шийся тем, что процесс углубления рельефа повторяют до достижения желаемой глубинь! его.

3. Прием выполнения способа по пп. 1 и 2, о T;I и ч а ю шийся тем, что, с целью получения на одном валу или молете одновременно р5133 различны. (Гл Оин В ре. !Ьсфс дл51 Возможности замены неско. !ьких печатных валов сд1пим BBëîì, на вал наносят столько краски, сколько нсобхо !Нмо для заполнения уже протравленного и достаточно углубленного рельефа.

Патент ссср 71592 Патент ссср 71592 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха
Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий
Наверх