Негативный фоторезист

 

Союз Советских

Социалистических

Рескублик

<">7О8287 (61) Дополнительное к авт. сеид-ьу () „- (.„г (22) Заввлеио 020876 (2)) 2396344/23-04 с присоедииеиием заявки Мо (23) Приоритет

G 03 С 1/68

Государственный коинтет ссср по делаи нзобретеннй и открытнй (53) УДК 7 71 . 5 (088.8) Опубликовано 05.01.80 5юллнтень Но 1

Дата опубликования описания 0801.80

К.З.Корытцев

Горьковский государственный университет HM,×.И.ЛобачЕвского (54) HEPATHBHE- E

Изобретение относится к нгативным фоторезистрам, которые используют в фотолитографии.

Известен негативный фоторезист, нключающий циклизонанный каучук, S

2, б-ди- (4-азидобенэаль) циклогексанон и толуол (1), Недостатком указанного фоторезистра является его высокая микродефект— ность. Так, при толщине сформирован- 10 ной из него защитной пленки 0,5 мкм

2 он имеет более 500 проколов см

Цель изобретения — снижение микродефектности фоторезиста.

Поставленная цель достигается 15 тем, что указанный Фотореэист дополнительно содержит.ацетофенон при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

Циклизованный каучук 5-15 20

2, б-Ди- (4-азидобенэаль) циклогексанон 0,5-2

Ацетофенон 2-10

Толуол Остальное

Предложенный фоторезист обладает 25 низкой микродефектностью, что поэво ляет значительно повысить выход годной продукции.

Пример 1 . Приготовление пленок олщиной 0,2-0,4 мкм. 30

Готовят 5Ъ-ный раствор циклиУованного кау 1ука в толуоле, содержащем i,. "-. очунстнителя — 2,б-ди-(4—

-азидобензаль, E иклогексанона и 10Ъ ацетс,cíoíà. Раствор, наносят на предварительно очищенную и обеэжирено ную подложку, сушат при 80 С B течение 10 мин. Подложку вакуумируют

20 лин .% "-.ê ñ. понируют под вакуумом через .:.:аблон лампой ПРК-4 на расстоянии 20 см н течение 30 с. После облучения пленку обрабатынают толуолом. При этом необлученные участки растворяются и на подложке образуется защитный рельефный рисунок.

Пример 2. Приготонление пленок толщиной 0,4-0,7 мкм.

Готовят 7,5Ъ-ный раствор циклиэованного каучука в то).уоле, содержащем 1Ъ 2,б-ди-(4-азидобензаль) циклогексаноча, 10Ъ ацетофенона.

Раствор наносят на преднарительно очищенную и обезжиренную подложку, сушат при 80"С в течение 10 мин.

Подложку вакуумируют 20 мин и экспонируют под накуумом через шаблон лампой ПРК-4 на расстоянии 20 см в течение 1 мин. После облучения пленку обрабатывают толуолом. При этом необлученные участки раство708287

Формула изобретения

Количество ацетофенона, вес.%

25 оличество роколов в ленках фотоезиста на

1 см2

30 500

300

160

35

2-5

Составитель A.Êðóãëîâ

Редактор Л.ушакова Техред М.Петко Корректор Г ° Назарова

Заказ 8482/41 Тираж 526 Пбдписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП Патент . r..Óæãîðîä, ул.Проектная,4 ряются и на подложке образуется защитный рельефный рисунок.

Пример 3. Приготовление плйнок толщиной 0,7-1 мкм.

Готовят 10%-ный раствор циклиэованного каучука в толуоле, содержа- 5 щем 1% 2,6-ди-(4-азидобензаль) циклогексанона, 10% ацетофенона. Раствор наносят на предварительно очищенную и обезжиренную подложку, сушат при 80 С в течение 15 мин. Подлож- р ку вакуумируют 20 мин и экспонируют под вакуумом через шаблон лампой

ПРК-4 на расстоянии 20 см в течение

1 мин.

После облучения пленку обрабатывают толуолом. При этом необлученные участки растворяются и на подложке образуется защитный рельефный рисунок.

Полученный фотореэист обладает меньшим количеством проколов при травлении пленок малой толщины (0,2-1 мкм) чем известный фоторезист (см.таблицу) .

Как видно из табл 1цы, число проколов резко снижается при введении в фоторезист добавок ацетофенона.

Применение предложенного фотореэяста снижает брак при изготовлении интегральных схем, увеличивает производительность труда, значительно уменьшает количество очувствителя и циклизованного каучука.

Приготовление предложенного фогореэиста не требует дополнительных затрат.

Негативный фотореэист, включающий циклизованный каучук, 2,6-ди-(4-азидобензаль) циклогексанон и толуол, о.т л и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения микродефектности, он дополнительно содержит ацетофенон при следующей соотношении компонентов, вес.%:

Циклизованный каучук 5-15

2-6-Ди-(4-азидобензаль)циклогексанон 0,5-2

Ацетофенон 2-10

Толуол Остальное.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидэтельство СССР

М 211317, кл.G 03 С 1/70, 1968 (прототип) ..