Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (u)71 01 16

* —, /

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 20.1276(21) 2431754/18-21 (51)М. Кл.2 с присоединением заявки Йо

Н 05 К 3/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК 621.396 6. .049.75 (088 . 8) Опубликоваио 1501.80, Бюллетень М 2

Дата опубликования описания 15.01.80 (72) Авторы изобретения

В.Б.Балтрушайтис, К.В.Садаускас (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОКОПРОВОДЯ14ЕГО

РИСУНКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть ис— пользовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем СВЧ-диапазона для получения высококачественного токопроводящего рисунка.

Известен способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, заключающийся в том, что на подложку методом трафаретной печа10 ти наносят пасту, содержащую мелкодисперсные порошки стекла и благородных металлов, дисперсированные в органическом связующем материале, после чего подложку подвергают высокотемпературному обжигу (1) .

Также известен способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, заключающийся в roM, что очищенную в горячей хромовой кислоте подложку с постоянной скоростью погружают и вынимают из раствора металлоорганического соединения. После удаления растворителя металлоорганическое соединение разлагается при 315 С, при этом осажо дается соответствующий металл, кото.рый затем вжигается в подложку при

530-760 С. Необходимый рисунок проводящих элементов микросхемы создают методом фотолитографии(), Известные способы не позволяют получить токопроводящий рисунок микросхемы с достаточной электропроводимостью и адгезией к подложке.

Целью изобретения является повышение электропроводимости и адгезионной прочности токопроводящего рисунка микросхемы. для достижения поставленной цели на очищенную подложку наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, затем на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь.

Технология способа состоит в следующем.

Предварительно очищенную и глазурированную подлЬжку помещают в центрифугу и при скорости 2400-300б об/мин наносят пипеткой раствор жидкого золота. Вращение поддерживают в течение 1 мин для удаления растворителей.

Образовавшуюся пленку вжигают при о

800 С. Затем пластину (подложку с золотым покрытием) в качестве катода подвешивают между анодами из нержа710116

Формула изобретения

20 толщина пленки золота

2000-3000 А ее адгезия к подложке адгезия пленки меди к золоту удельное сопротивление токопроводящего рисунка

200-300 кг/см

2

100 кг/cM

0,003 Ом/кВ ЗО

Составитель Е. Хвощева

Техред З.Фанта Корректор М.Вигула

Редактор Л.Янова

Заказ 8776/52 Тираж 885 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 веющей стали находящимися в электролите и подвергают катодно-анодной обработке при плотности тока 2 А/дм в течение 2-3 мин. После промывки в проточной воде проводят предварительное меднение в электролите при 4550 С и катодной плотности тока а 5

2 A/äì в течение 5 мин. Далее после промывки пластину помещают в другой электролит и проводят окончательное меднение. При комнатной температуре и катодной плотности тока 4 A/äì скорость наращивания меди составляет

25 мкм/час . В случае необходимости

" на медное .покрытие может быть наложено защитное покрытие. Необходимый токопроводящий рисунок получают методом фотолитографии.

Технические характеристики токопроводящего рисунка микросхемы следующие:. Годовой экономический эффект при объеме выпуска 100 тыс. микросхем составляет 208,7 тыс.руб.

Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, включающий нанесение на очищенную подложку проводящего материала, его выжигание и формирование токопроводящего рисунка методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости и адгезионной прочности, в качестве проводящего материала наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, после чего на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Микросхемы интегральные гибридные СВЧ-диапазона. Платы микрополосковые. Типовые технологические процессы. ОСТ 4Г0.054.068 ред. 1-73.

2. Электрохимическая технология Врайт Е.E и др. т. 2, 262, 1964.

Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)
Изобретение относится к способу изготовления многослойной платы с печатным монтажом

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления

Изобретение относится к созданию трехмерной электронной аппаратуры
Наверх