Контактное устройство

 

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

Гюеударстеенный кемнтеФ ссср пе делам нзебретеннй н открытей (72) Авторы изобретения

А. А. Ошемков, В. Н. Стеценко и В. Н. Хоптянов

Одесский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт (71) Заявитель (54) КОНТАКТНОЕ УСТРОЛСТВО

Изобретение относится к контактным устройствам и может быть использовано для подключения к измерительной аппаратуре полупроводниковых приборов, преимущественно транзисторов с жесткими объемными выводами.

Известны контактные устройства, для подключения радиоэлементов к измерительной аппаратуре, содержащие корпус с неподвижными контактами, в полости которого установлен диэлектрический вкладыш с соосными отверстиями разного диаметра, соединенными между собой коническими отверстиями 11) .

Однако известные устройства не надежны и не универсальны из-за неудовлетворительной переходной характеристики, что объясняется наличием дребезга, большой длиной контактов. Это ограничивает их применение на высоких частотах.

Цель изобретения — повышение качества и надежности контактирования.

Для этого в контактированное устройство, преимущественно для подключения к измерительной аппаратуре полупроводниковых приборов, содержащее корпус с непод2 вижными контактами, в полости которого установлен диэлектрический вкладыш с соосными отверстиями разного диаметра, соединенными между собой коническими отверстиями, упругую мембрану, снабженную подвижными контактами, размещенными в отверстиях вкладыша и герметично закрывающую полость корпуса, снабжено шариками ртути, каждый из которых расположен в коническом отверстии диэлектрического вкладыша с возможностью взаимодействия тв с каждым из неподвижных контактов, а каждый подвижный контакт установлен с возможностью взаимодействия с одним из шариков ртути.

На фиг. 1 показан общий вид контактно15

ro устройства в разрезе; на фиг. 2 — вид сверху; на фиг. 3 — пример взаимодействия одного подвижного контакта с неподвижным контактом.

Контактное устройство состоит из корпуса 1 с запрессованными в него неподвижны20 ми контактами 2, диэлектрического вкладыша 3 с соосными отверстиями 4 и 5 разного диаметра, соединенными между собой коническими отверстиями 6, упругой мембра714548

Формула изобретения

2 ны 7 с подвижными контактами 8 и 9 каждый из которых имеет цилиндрический толкатель 10, и шариков ртути 11, размещенных в конических отверстиях 6 эластичного вкладыша 3; контакты 8, 9 снабжены углублениями 12.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии мембрана 7 занимает положение, при" котором контакты устройства разомкнуты. Ртуть под действием сил поверхностного натя.кения находится в форме шарика 11 на конусной поверхности конического отверстия 6, переходного между отверстиями 4 и 5 разных диаметров.

Прй поступательном движении транзистора в направлении, перпендикулярном плос кости расположения подвижных контактов

8 — 9 первым контактирует вывод транзистора, расположенный против высокого контакта 9, затем контактируют остальные выводы транзистора. Транзистор, перемещаясь в том же направлении, прогибает мембрану 7 контактами 8 — 9. Подвижный контакт своим толкателем 10 цилиндрической формы толкает шарик ртути 11. При этом часть ртути затекает в отверстие 5 и касается неподвижного контакта 2. Первым контактирует шарик ртути, принадлежащий высокому контакту 9. Неподвижные контакты служат для подсоединения устройства к измерительной схеме.

После проведенных измерений транзистор движется в обратном направлении, и мембрана 7 под действием сил упругости занимает исходное состояние. Подвижные контакты 8 — 9, закрепленные на мембране 7, выходят из контакта с ртутью. Так как внешнее механическое воздействие на ртуть прекратилось, то под действие сил -поверхностного натяжения ртуть опять приобретает форму шара 11, вытягивая в область коническо-, го отверстия 6 ту часть ртути; которая затекла в отверстие 5. Это возможно в том случае, если объем ртути в отверстии 5 значительно меньше объема ртути, оставшейся в отверстии 4 конического отверстия 6.

Диаметр ртутных шариков целесообразно выбирать в пределах 2,5 — 3,0мм. Диаметр толкателя цилиндрической формы 10 должен быть меньше диаметра отверстия 4.

Подвижные контакты 8 — 9 на поверхности имеют по всей длине углубления 12. Это углубление обеспечивает контакт с выводом транзистора по поверхности, так как концы транзисторных выводов скруглены. Контакт по поверхности уменьшает величину переходного сопротивления.

У транзисторов разных типов маркировка выводов различна. Размеры транзисторов также различны. Поэтому для,возможно более широкого использования контактного устройства контакты на мембране расположены по окружности и имеют удлиненную форму. У этих контактов концы, обращенные к центру устройства, сужены для предотвращения замыкания между собой при прогибе мембраны.

Контактное устройство, преимущественно для подключения к измерительной аппаратуре полупроводниковых приборов, содержащее корпус с неподвижными контактами, в полости которого установлен диэлектрический вкладыш с соосными отверстиями разного диаметра, соединенными между собой коническими отверстиями, упругую мембрану, снабженную подвижными контактами, размещенными в отверстиях вкладыша, и герметично закрывающую полость корпуса, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактироваиия, оно снабжено шариками ртути, каждый из котоз рых расположен в коническом отверстии диэлектрического вкладыша с возможностью взаимодействия с каждым из неподвижных контактов, а каждый подвижный контакт установлен с возможностью взаимодействия с одним шариком ртути.. о

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 235131, кл. Н 01 Н 29/04 06.12.67.

714548

Фиг. 3

Составитель 3. Яшина

Редактор Л. Гельфман Техред К. Шуфрнч Корректор Г. Решегник

Заказ 9306 55 Ти рамс 844 Подписное

ЦНИ И ПИ Государствейного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Яосква, )К вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Контактное устройство Контактное устройство Контактное устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх