Накопитель для запоминающего устройства

 

Союз Советскик

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ . К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

729635 (61) Дополнительное к а вт. свил-ву— (22) Заявлено 30.05.78 (21) 2627659/18-24 с присоединением заявки М (23) П риоритет

Опубликовано 25.04.80. Бюллетень .% 15

Дата опубликования описания 25.04.80. (51 ) М. Кл.

Ci 11 С 11/14

Ввударственный квмитет

СССР по делам изобретений н вткрытнй (53) УДК 681,327.. 6 (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. А. Иванов и Ю, ll. Розенталь (7! ) Заявитель

Институт электронных управляющих машин (54) НАКОПИТЕЛЬ LIJIH ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при построении доменных запоминающих устройств.

Известен накопитель на магнитных доменах, содержит магнитоодноосную плен5 ку с цилиндрическими магнитными доменами (IIMQ), на поверхности которой расположены регистры хранения информации $1) . Регистры хранения информации то подключены к входному и выходному каналам продвижения БМД.

Это устройство обладает низким быстродействием, так как время поиска информации в этом накопителе определяется длиной регистра хранения. Среднее время поиска информации в этом случае равно времени продгчжения IIMQ половины длины регистра хранения.

Наиболее близким к изобретению по > своей технической сущности является магнитный доменный накопитель, который содержит магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены регистры хранения информации. Регистры хранения информации подключены к входному и выходному каналам продвижения БМД(2) Однако указанный магнитный доменный накопитель обладает также низким быстродействием, так как время поиска информации в устройстве прямо пропорционально длине регистра хранения.

Белью изобретения является повышение быстродействия накопителя.

Достигается это тем, что накопитель содержит переключатели цилиндрических магнитных доменов, расположенные в регистрах хранения информации на расстоянии не менее трех диаметров IIMLI, и токовые шины управления, каждая из которых магнитосвязана с. одноименными переключателями UMjl, одни конпы токовых шин управления подключены к шине нулевого потенпиала, а другие - к входам накопителя, 729635 4 в выходной канал 4) или переведена из одного малого регистра в другой. После считывания происходит восстановление информации, Переключатели 5 nm осуществляют передачу информации из одного канала

ы продвижения llMll в другой при подаче е импульса тока нужной полярности в токовые шины управления 6, соединенные

1Î с шиной нулевого потенциала 7 и входами накопителя 8.

Таким образом, в предлагаемом устII ройстве осуществляется принцип динамическогоо перераспределения информации.

Предлагаемое устройство обладает повышенным быстродействием и имеет возможность непосредственного подключения накопителя к микро (мини-) ЭВМ без промежуточного буферного запоминающего устройства.

На чертеже представлена конструкция предлагаемого накопителя для запоминающегo устройства на ЦМД.

Предлагаемое устройство вь|полнено следующим образом.

На поверхностй пленки 1 магнитоодноосного материала с LIMLl расположен регистры хранения информации 2, которы подключены к входному 3 и выходному

4 каналам продвижения БМД. Накопитель содержит переключатели UMlI 5 и л (где n — номер регистра хранения информации, т — номер переключения lIM в регистре), расположенные в регистрах хранения информации 2. При этом регистры хранения информации 2 оказываются разбитыми на ги -1 малых последовательно соединенных регистров, Токовые шины управления 6, которые магнитосвязаны с одноименными переключателями ЦМД, связаны с шиной нулевого потенциала 7 и входами накопителя 8, Устройство работает следующим образом, Запись информации в регистры хранения 2 происходит из входного канала продвижения IlMP 3 через переключатели 5nm . Записанная информация продвигается синхронно во всех сдвиговых регистрах хранения под действием общего продвигающего магнитного поля, Овна страница информации хранится вдоль горизонтальной линии в одном из малых регистров и показана черными точками. Эта страница будет расположена в том месте, номер которого равен числу запросов, прошедших после того, как эта страница запрашивалась в последний раз. Страницы, к которым никогда не происходит обращение, расположены в местах с самыми большими номерами, т. е. в самом нижнем малом регистре. Следовательно, часто запрашиваемые страницы, расположены -вверху, а редко запрашиваемые— внизу регистра хранения информации.

При получении запроса к какой-либо странице, информация передвигается по пегистру хранения до тех пор, пока не подойдет к переключателям 5 nw. Теперь страница может быть сосчитана (переведен

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены регистры хранения информации, подключенные к входному и выходному каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов, о тл ича ющ и й— с я тем, что, с целью повышения быстродействия накопителя, он содержит переключатели цилиндрических магнитных . доменов, расположенные в регистрах хранения информации на расстоянии не менее трех диаметров цилиндрических магнитных доменов, и токовые шины управления, каждая из которых м,".гнитосвя4О зана с одноименными переключателями цилиндрических магнитных доменов, одни концы токовых шин управления подключены к шине нулевого потенциала, а другие — к входам накопителя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США N 340-174, М 4020476, опубл, 26.04.77.

2. Патент США, кл, 340-174, % 4007453, опубл. 08.02.77 (прототип).

729635

Составитель В. Гордонова

Редактор Е. Гончар ТехредС. Мигай. Корректор В. Сининкая

Заказ 1290/44 Тираж 662 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх