Твердотельный экран
Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая однотипные области в сточки, контакты к областям противоположного типа проводимости расположены перпендикулярно поверхности экрана и на тыльной поверхности соединены в столбцы балочными выводами.
Похожие патенты:
Светодиод // 644301
Эпитаксиальная структура // 581755
Полупроводниковый источник света // 414950
Патент 401298 // 401298
Патент 327884 // 327884
Полупроводниковый источник света // 316378
Оптический индикатор // 302053
Светоизлучающий диод // 2114492
Светодиодное устройство // 2133068
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике, железнодорожном транспорте, черной металлургии, химической, тяжелой и в других отраслях промышленности
Светодиодное устройство // 2134000
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в энергетике и в других отраслях промышленности, а также в сигнальных осветительных устройствах на автомобильном, железнодорожном, морском и других видах транспорта
Источник света // 2142176
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к твердотельным источникам света
Инжекционный некогерентный излучатель // 2142661
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным, сверхярким и компактным полупроводниковым диодным источникам спонтанного излучения с узкой диаграммой направленности, которые применяются в устройствах отображения информации: световых указателях, светофорных приборах, полноцветных дисплеях, экранах и проекционных бытовых телевизорах; волоконно-оптических системах связи и передачи информации; при создании медицинской аппаратуры, для накачки твердотельных и волоконных лазеров и усилителей, а также как светодиоды белого освещения взамен вакуумных ламп накаливания и электролюминесцентных ламп
Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457
Изобретение относится к области технической физики
Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи
Изобретение относится к способам изготовления или обработки полупроводниковых приборов
Изобретение относится к элементам полупроводниковых приборов и может быть использовано в светодиодах, лазерных диодах, биполярных транзисторах и т.д
