Дата опуоликования описания 05 ° Х? ° 74 (53) УД1< 62I ° 382. .002 (098.8) В.Л. Бабенко, Г.Г. Боева, B.Е. Виолиы, Ю.А.Водаков, B.Ã. Иванова, T.Ã. Кмита, И.И. Круглов, Г.А.Ломакина, В.П. Новиков,В.И.Павличенко,И.В.Рыжиков и Г.Ф.Холуяыов (7т) Лвто1тГя и:нн11)етения (71) Заявитель (4) иногоэлиянтный полупРОводниковый

ИНДИКАТОР11ЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к полу= проводниковым приборам, излучающ;;и свет в видимой области спектра и предназначенным для использования в качестве индикаторных устройств,которые могут применяться в вычислительной,счетно=решающей и измерительной технике как для визуальной индикации,так и для записи на фотопленку.

1 звестны многоэлементные приборы для знаково" индикации, состоящие из раздельных дискретных р- >< вЂ” переходов, размещенных на общей базовой пластине полупроводникового материала с общим омическим контактом к базе.

Однако известные приборы отли«< price тем,что свечение осуществляется по контуру контакта, а не по площади всего перехода,что услокыет визуальное считывание; существен но усложнена техноп огия изгоронлени» структуры есвязанная как с ш:опт. одимостью получать полно2

1стью электрически развязанные дискретные р-Ь вЂ” переходы, так и с са мой ге омет рие И единичй оИ мат рицы ее

5 Цель изобретения - обеспечение свечения и о всей площади единичного перехода с одновременным упрощени ие м те хн ол оги и.

Для этого дискретные омические й1 контакты расположены на общем легированном слое и отделены друг от друга таким образом,что сопротивление легированного слоя между ними вдоль р- <-- перехода превышает

15 по крайнеИ мере в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.

На чертеже изображен многозлементныИ индикатор на карбиде кремнияе

В пластине 1 карбида кремния, легированной азотом, формируют две области: высокоомную р-область 2 толщиной, например, 0,1-0,3 мкм и

26 ) слаболегйрованную компенсированную

Составитель й1еЛОПЕШКИН

t Kго1 1 »ЛарИНа 1екред Н.СЕНИНа Корректор Я.ЯЕнд44ц

1lодиигиое з.;., gPг

Иаги М И1

Тираж ggQ) tIttHtttIit Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий

Москва, t 13035, Раушская иаб., 4

Предприятие «11атеит», Москва, Г-59, ?>ережковская иаб., 24 область 3 толщиной не более 0,51,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15 мкм, затем одновременно напылением через маску (или фотолитографией) получают ряд.дискретных омических контактов 5 к р-области и общий контакт 6 к кобласти, а затем по известной технологии присоединяют вывода.

В данной структуре при создании поверхностного р-слоя, например, диффузией бора сопротивление этого слоя вдоль р- и - перехода в

100 раз больше сопротивления по нормали к переходу.

11редлагаеыый прибор работает при подаче прямого смещения на общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны общего тонкого легированного слоя. При этом наблюдается свечение заданной комбинации знаков благодаря тому, что свечение имеет место только под дискретным омическим контактом,а отношение сопротивлений вдоль и нормально к р-л- пврвходу обеспечивает отсутствие краевых засввток из-аа растекания тока и соответственно резкий кон5 тур рисунка. ищет изаввятжния

Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор, состоя«10 щий из кристалла полупроводникового материала, имеющего р-n - переход, общий омический контакт к области одного типа проводимости и ряд дискретных омических контак15 тов к области другого типа проводимости, о т л и ч а ю и(и И с я тем, что, с целью обеспечения свечения по всей площади дискретного единичного р-< - перехода, @ дискретныв омическив контакты расположены на общем легированном слое и отделены друг от друга таким образом, что сопрстивление легированного слоя между ними вдоль

2ь р- вЂ” перехода превышает,по крайнеИ мере, в 10 раз сопротивление этого слоя по нопмали.

Оптический индикатор // 302053

Оптический индикатор // 258458

Устройство для возбуждения свечения электролюминесцентного индикатора // 203092

Многослойный преобразователь излучения // 200007

Патент 192959 // 192959

Электролюминесцентный экран с электродами гребенчатой структуры // 182763

Электролюминесцентный преобразователь изображения // 165845

Всесоюзная мшш4?х;-;^'^г-шб'тисг';--"^ // 320862

Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б'-^ л 1-ю г на // 310597

Управляемый линейный резистор // 299874

Патент 284046 // 284046

Многослойная // 274839

Патент 256091 // 256091

Полупроводниковая твердая схема «не—или» // 248847

Полупроводниковое устройство // 243076

Патент 233103 // 233103

Интегральная схема // 208056

Интегральная схема с двумя типами моп-транзисторов // 2100874

Микрополосковый направленный ответвитель // 2101808

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения в качестве элементной базы тонкопленочных интегральных высокочастотных узлов таких как разделительно-суммирующие устройства, радиочастотные мультиплексеры, фазовращатели, фильтры и другие

Способ прямого нанесения пленочного рисунка // 2103847

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию