Ячейка аналоговой памяти
Ж0Ж1.а Я р о "1-:. и: 4:т
Союз Советских
Социалистических
Респубинк
О П И )4%1
ИЗОБРЕТЕНИЯ
<» ?33031
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6() Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 09.11. 77 (2l ) 2540270/18-24 с присоединением заявки № (23} Приоритет—
Опубликовано 05.05.80. Бюллетень ¹ 17
Дата опубликования описания 12.05.80 (5) ) М..Кл.
G 11 С 27/00
Гаеударстеенный комитет на денни нзобретеннй н аткрытнй (53) УДК 681. .327.66 (088.8) (72) Автор изобретения
A. В. Свистунов (7l) Заявитель (54) ЯЧ ЕЙКА АНАЛОГОВОЙ ПАМЯТИ
Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах автоматики, аналоговой вычислительной техники и различных радиоэлектронных устройствах.
Известна ячейка аналоговой памяти, содержащая ключ на полевом транзисторе, исток которого подключен к источнику входного сигнала, сток соединен с одной иэ обкладок запоминающего конденсато1О ра, другая обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, а затвор— с шиной управления Ц.
Существенный недостаток известной
15 ячейки памяти заключается в том, что при работе ключа через паразитные емкости поступают раэнополярные импульсы, обусловленные передним и задним фронтами импульса управления, имеющие, как правило, различные длительности и амплитуды, которые интегрируются на запоминающем конденсаторе и приводят к появлению постоянного помехового сигнала.
Наиболее близким техническим реш нием является-ячейка аналоговой памяти, содержащая ключ на МОП-транзисторе, исток которого подключен к источнику входно3 го сигнала, сток — к одной иэ обкладок конденсатора, другая обкладка которого соединена с шиной нулевого потенциала, а затвор — к управляющей шине, соединенной через инвертор с затвором дополнительного ключа на МОП-транзисторе, сток которого соединен со стоком МОПтраиаиотора-ипюча (P) .
Выбросы ключей поступают в цепь сигнала в противофазе и компенсируют друг друга.
Однако полная компенсация выбросов а возможна только при полной идентичности параметров полевых транзисторов и строгом равенстве длительности фронтов импульсов в шине управления и на выходе инвертирующего элемента.
Бель изобретения — повышение точнос.ти запоминания ячейки, 7ЗЗОЗ1 4 го конденсатора) возможна полная взаимHBB компенсация выбросов ключей HB конденсаторе 1
Лоставленная цель достигается тем, что в ячейку аналоговой памяти, содержащую первый накопительный элемент, например конденсатор, одна из обкладок которого соединена с шиной нулевого потенциала, первый ключ, например первый полевой транзистор, исток которого соединен со входом ячейки, второй ключ, например второй полевой транзистор, и шину управления, введены второй и третий накопительные элементы, например конденсаторы, регулирующий элемент, например переменный резистор, подвижный контакт которого подключен к шине управления, первый вывод переменного резистора соединен с одной из обкладок второго конденсаторе и затвором первого полевого транзистора, сток которого соединен с истоком второго полевого транзистора, сток второго полевого.транзистора подключен к другой обкладке первого конденсатора, второй вывод переменного резистора соединен с затвором второго полевого транзистора и одной из обклвдок третьего конденсатора, друrие обкладки второго и третьего конденсаторов соединены с шиной нулевого потенциала.
Изобретение пояс ня ется ч ертежом, на котором представлена схема предлагаемой ячейки аналоговой памяти.
Ячейка памяти содержит первый накопительный элемент 1, например конденсатор, первый 2 и второй 3 ключи, например первый и второй полевые транзисторы, второй 4 и третий 5 накопительные элементы, например конденсаторы, одни из обкладок которых соединены с соот ветствующими выводами регулирующего элемента 6, например переменного резистора, другие обкладки конденсаторов
1, 4 и 5 подключены к шине 7 нулевого потенциала, подвижный контакт переменного резистора 6 соединен с шиной 8 управления.
При поступлении с шины 8 управления импульса ключ 3 в своей работе запаздывает по отношению к ключу 2 и отсекает часть его выброса, обусловленного передним фронтом импульса управления, в противном случае ключ 3 будет отс кать часть заднего выброса в ключе 2.
При регулировании ЯС-цепочек изменяется энергия выбросов ключей и величина отсечки выбросов ключа 2. Лри определенном соотношении постоянных времен (сопротивление части переменного резистора 6 и емкость соответствующеВключение последовательно с ключом 2 ключа 3, опережающего или отстающего в своей работе в ключе 2 при регулировании постоянных времени интегрирующих В.С-цепочек в цепях затво1О ров обоих транзисторов, позволяет устранить постоянный помеховый сигнал нв конденсаторе 1 с необходимой степенью точности, исключить иэ схемы инвертирующее устройство и применять любые пары транзисторов одного типа без предварительного подбора по параметрам, а ч акже сделать схему некритичной к длительности фронтов уцравляющего импульса.
Регулировка постоянных времени интегрирующих Я,С-цепочек упрощается, если последние собраны на двух конден25 саторвх и одном .потенциометре, а сигнал управления подается на среднюю точку потенциометра.
I ,р Формула изобретения
Ячейка аналоговой памяти, содержащая первый накопительный элемент, например конденсатор, одна иэ обкладок
35 которого соединена с шиной нулевого потенциала, первый ключ, например первый полевой транзистор, исток которого соединен со входом ячейки, второйдатюч, например второй полевой транзистор, и
4О шину управления, о т л и ч а ю щ а я— с я твм, что, с целью повышения точности запоминания ячейки, в нее введены второй и третий накопительные элементы, например конденсаторы, регулирующий
4 элемент, например переменный резистор, подвижный контакт которого подключен к шике управления, первый вывод переменного резистора соединен с одной из обкладок второго конденсатора и затворов
_#_ п еeрpв о го 0 п о0л еев о г о т рpа нHз иHсcтTо р а, сток которого соединен с истоком второго полевого транзистора, сток второго полевого транзистора подключен к другой обкладке первого конденсатора, второй вывод переменного, резистора соединен с затвором второго полевого транзисторс и одной из обкладок третьего конденсатора, другие обкладки второго и третье.5 733031 6 го конденсаторов соединены с шиной ну- 1. Франция, заявка М 2235456, левого потенциала. кл. (д 11 С 11/40, опублик. 1975.
2. Авторское свидетельство СССР
Источники информации, % 462216, кл. Gr 11 С 27/00, принятые во внимание при экспертизе 1974 -(прототип), Составитель А. Воронин
Редактор О. Иванова Техред Я. Ковалева Корректор КХ Макаренко
Заказ 1749/44 Тираж 662 . Подписное
ЫНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная; 4
