Способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено ЗL00178 (21) 2580041!25-28 (51)М КЛ.
G N 3/08 с присоединением заявки ¹â€”
Государственный комитет
СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет—
Опубликовано 250680 Бюллетень ¹ 23
Дата опубликования описания 30. 06. 80 (53) УДК 620.172. 24 (088. 8) (72) Авторы изобретения
Р, И. Гарбер, И. М . Михайловский, П. Я. Полтинин и Л. И. Федорова (71) Заявитель (54 ) СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ HA РАЗРЫВ НИТЕВИДНЫХ
КРИСТАЛЛОВ
Изобретение относится к области испытания материалов на прочность, а именно к способам испытания на разрыв нитевидных кристаллов. .5
Известен способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов, э аключающийся в том, что кристалл помещают в камеру автоионного микроскопа, формируют на его рабочей части атомногладкую поверхность путем испарения в электрическом поле и разрушают кристалл, прикладывая н его вершине напряжение электрического поля положительной полярности (1).
Недостатком изнестного способа являются его ограниченные технологические возможности, так как при приложении высоких напряжений кристалл не разрушается, а испаряется.
Цель изобретения — расширение технологических возможностей способа.
Для этого перед испытанием на вершине кристалла создают сферическое утолщение, диаметр D которого определяют из соотношения;
Е (т где d — диаметр рабочей части кристаллаа;
Š— пороговая напряженность испарянячего электрического поля;
GT — теоретическая прочность на разрыв материала кристалла, а формирование атомногладкой поверхности проводят в атмосфере химически активного газа при напряженности электрического поля, равной пороговому значению автоионизации газа.
Способ осуществляют следующим об- . разом, На вершине нитевидного кристалла создают сферическое утолщение эа счет его нагрева до температуры поверхностной самодиффузии и выдерживают его при этой температуре до формирования сферического утолщения диаметром Дъ < (81(.(>т ), затем кристалл
Ь утолщением помещают в камеру автоионного микроскопа и в присутстнии химически активного газа, например, азота при давЛении 10 тор при напряженности электрического поля, равной пороговому значению автоиониэации газа, проводят формиронание атомногладкой поверхности вершины нитевидного кристалла. Затем кристалл разрушают, прикладыная к его вершине на742754
E 8 " т где d — диаметр рабочей части кристалла;
Š— пороговая напряже нность испаряющего электрического поля; бт — теоретическая прочность на разрыв материала кристалла, а формирование атомногладкой поверхности проводят в атмосфере химически активного газа при напряженности злек15 трического поля, равной пороговому значению автоионизации газа.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Гарбер P. И. и др. Доклады щ АН СССР, 1967, 174, с. 1044 (прототип) .
Формула изобретения
Составитель В. Ротницкая
Редактор Н. Воликова Техред М.Петко Коррек р то С . ШеК мар
Под пис ное
Заказ 3453/38 Тираж 1019
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 пряже ние положительной полярности электрического поля.
Описанный способ позволяет оценнть прочность высокопрочных нитевьуных кристаллов диаметром менее 10 мм беэ изменения размеров их перед разруше- . нием.
Способ испытания на разрыв нитевидных кристаллов, заключающийся в том, что кристалл помещают в камеру автоионного микроскопа, формируют на его рабочей части атомногладкую поверхность путем испарения в электрическом поле и разрушают кристалл, прикладывая к его вершине напряжение электрического поля положительной полярности, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических воэможностей способа, перед испытанием на вершине кристалла создают rÔåðè÷åñêoå утолщение, диаметр
D которого определяют из соотношения
