Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями

 

ОЛ ИСАИИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскнк

Соцналнстнческнк

Реслублнн и 750586 (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл.

Н 01 (j 3/26 (22) Заявлено26. 12.77 (2l ) 2562599/18 21 с присоединением заявки М

Всудерстееииый комитет (23) Приоритет во делам изобретений и открытий

Опубликовано 23.07.80. Бюллетень Рй 27 (53) УДК621.396. .677:621,382 (088.8) Дата опубликования описания 25 07 80 (72) Авторы изобретения

В. А, Виноградов и М. Л. Слуцкий (7I ) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ

ФАЗОВРАШАТЕЛЯМИ

Изобретение относится к области радиосвязи и может быть использовано в устройствах управления антенными решетками.

Известно устройство управления полупроводниковыми фаэоврашателями, содержащее источники прямого и обратного смещения, в котором с целью зашиты элементов в цепях переключения источника обратного смешения от коротких замыканий р1й -диода или линии связи с фазо- о врашателем, коллектор транзистора переключения источника обратного смешения через сопротивление, ограничивающее ток в аварийном режиме, подключен к источ15 нику обратного напряжения, при атом мощный импульс тока для рассасывания объемного заряда Pin -диода в момент переключения создается включением в цепь коллектора укаэанного транзистора катуш20 ки индуктивности (1), Недостатком такого устройства является потеря мощности и невозможность микромини атюрного исполнения.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее транзистор переключения источника прямого смещения, транзистор переключения источника обратного смешения, коллектор которого подключен к источнику обратного смешения непосредственно или через токоограничивающий резистор, а эмиттер или коллектор транзистора переключения источника прямого смещения подключен к источнику прямого с мещения непосредственно или также через токоограничиваюший резистор (23.

Отсутствие зашиты элементов схемы

1 переключения источника обратного сме-. щения от коротких замыканий линии или

Pin — диода снижает надежность этого устройства, Белью изобретения является повышение надежности.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство управления полупровод никовыми фазоврашателями, содержащее

3 750 источники прямого и обратного смещения, транзисторы прямого и обратного смещення, которые соединены с инвертирующим усилителем, с источником напряжения прямого смещения и полупроводниковыми фазовраща телями, введены последовательно включенные формирователь импульсов и коммутирующий транзистор, коллектор которого через резистор подключен к коллектору транзистора переключения обратного смешения, а эл иттер соединен с источником напряжения обратного смешения . и через ограничительный резистор - с иквертирующим усилителем и с базой транзистора обратного смешения.

На чертеже показана схема описываемого устройства управления полупроводниковыми фазоврашателями.

Устройство содержит транзистор переключения источника прямого смещения 1, транзистор переключения источника обратного смешейия 2, транзистор 3 инвертируюшего усилителя, токоограничиввюший резистор 4, коммутирующий транзистор 5, база которого подключенв к устройству формирования коммут ируюших импульсов

6, согласующие резисторы 7 и 8, Pth диоды 9 и 10 (полупроводниковые фазоврашатели).

Устройство управления полупроводниковыми фазоврашателями является частью устройства управления фазированной антенной решеткой. Сигнал управления, AeNствуюший на одном иэ управляющих входов обеспечивает установку режима прямого или обратного смешения пары pin-дйодов 9 и 10 одного разряда фазоврашателя. Количество управляющих входов управления равно произведению количества фазоврашвтелей на разрядность одного фазоврашателя, Устройство работает следующим образом.

На базу транзистора переключения источника прямого смещения 1 и транзистора 3 инвертируюшего усилителя от регистра памяти разового распределения антенной решетки (на чертеже не показан) поступают сигналы управления Pixel -АиоАами 9 и 10 в виде "высокого" и "низкого" уровней напряжения, "Низкому уровню напряжения соответствует режим прямого смешения Pin- диодов 9 и 10 (диоды 9 и 10 открыты и через них течет ток от источника прямого смешения + E„) Высокому уровню напряжения на входе соответствует режим обратного смешения

1 (PtA — диоды 9 и 10 закрыты напряжением источника обратного смешения E.

OL

В режиме прямого смешения транзистор переключения источника прямого смешения 1 находится в состоянии насьпцения, а транзистор переключения источника обратного смешения 2 — в состоянии отсечки, при этом к pitl диодам 9 и

10 через переход коллектор-эмиттер

10 транзистора переключения источника прямого смешения 1 и согласующие резисторы 7 и 8 подключается источник прямого смещения, Независимо от режима прямого или

15 обратного смешения )in- диодов 9 и 10 коллектор транзистора переключения источника обратного смешения 2 периодически подключается к источнику обратного смещения через переход коллекторэмиттер коммутирующего транзистора 5 на время действия íà.его базе коммутирующих импульсов.

В режиме обратного смещения pinдиодов 9 и 10 транзистор переключения

25 источника прямого смешения 1 и транзистор 3 инвертируюшего усилителя закрыты, и на базе транзистора переключения источника обратного смещения 2 относительно эмиттера устанавливается отрипа30 тельный потенциал, а переход база-эмиттер открыт, и pic-диоды 9 и 10 находятся под запирающим напряжением источника обратного смещения.

Лля ускорения рассасывания обьемно35 го заряда фп- диодов 9 и 10 при переходе от режима прямого к режиму обратного смещения коллектор транзистора переключения источника обратного смешения 2 на время, равное длительности ком40 мутируюших импульсов, подключается к источнику обратного смещения.

Коммутирующие импульсы формируются с помощью устройства формирования коммутирующих импульсов 6.

В случае короткого замыкания pinдиодов 9 или 10 или линии связи, эа время длительности коммутирующего импульса через токоогрвничиввюший резистор 4, транзистор переключения источни50 ка обратного смещения 2 и согласующие резисторы 7 и. 8 течет ток, по величине близкий максимальному значению рассасывающего тока, а при отсутствии коммутирующего импульса течет ток от источника обратного смещения через коллекторную, нагрузку транзистора 3 инвертируюшего ,усилителя, переход база-эмиттер транзис.торв переключении источника обратного

5 7505 смещения 2, согласующие резисторы 7 и

8. Эти токи незначительны по величине и не опасны для алементов схемы.

Изобретение позволит повысить надежность ус тро йств а, S

Формула изобретения

Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями, содержащее источники прямого и обратного смещения, транзисторы прямого и обратного смещения, которые соединены с инвертирующим усилителем, с источником напряжения пря-15 мого смещения и полупроводниковыми фазовращателями, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения надеж86 6 ности, дополнительно введены последовательно включенные формирователь импульсов и коммутирующий транзистор, коллектор которого через резистор подключен к коллектору транзистора переключения обратного смещения, а емиттер соединен с источником напряжения обратного смещения и через ограничительный реэистор— с инвертирующим усилителем и с базой транзистора обратного смещения, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США М 3708697, кл. 343-854, 1973, 2, Георгопулос Х. Проектирование модуляторов для управления PiFl-диодами, пер, с англ., 1972 (П-62874}, рис, 2 (прототип) .

Составитель Ю. Васильев

Редактор П. Горькова Техред И. Асталош Корректор И. Муска.Заказ 4659/40 Тираж 844 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открыжй

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4