Зондовое устройство

Авторы патента:

ОСИПОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

КОСИЛОВ АЛЕКСАНДР ТИМОФЕЕВИЧ

КОМАРОВ ВИКТОР ГРИГОРЬЕВИЧ

КАНДЫБИН ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ

ИВАКИН АНАТОЛИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 050376 (21) 2330935/18-21 (51)M с присоединением заявим ¹ (23) Приоритет

Н 01 L 21/66

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 1 11.80. Бюллетень ¹ 42

Дата опубликования описания 151180 (53) УД (621. 396 °.6.047.75 (088.8) (72) Авторы изобретения

A.Н.Осипов, А,Т.Косилов, В.Г,Комаров, В.И.Кандыбин и А.A.Èâàêèí (71) Заявитель

Воронежский политехнический институт (54) ЗОНДОВОЕ УСТРОИСТВО

Изобретение относится к области электроизмерительной техники и может быть использовано для измерения электрических параметров интегральных схем.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является зондовое устройство, содержащее диэлектрический корпус с электропроводящим зондом, причем электропроводящий зонд выполнен из жесткого материала $1) .

Недостатком этого зондового устройства являются низкие производительность и точность измерений.

Цель изобретения заключается в повышении производительности и точности измерений.

Эта цель достигается тем, что в зондовом устройстве, содержащем диэлектрический корпус с электропроводящим зондом, электропроводящий зонд выполнен из материала, обладающего термоупругим фазовым превращением, например из сплава на основе меди:, С, -At-в -зе- Ми, На чертеже изображена конструкция зондового устройства.

Зондовое устройство содержит держатель 1, диэлектрический корпус 2, пружину 3, регулятор прижима 4,. зондодержатель 5 и электропроводящий зонд 6.

Эондовое устройство работает следующим образом.

5 При измерениях зондовое устро тво опускают на контактную площадку исследуемой интегральной схемы, осуществляя при этом электрический контакт электропроводящего зонда 6 с контактной площадкой. Индивидуальное нажа-, тие электропроводящего зонда 6 регулируется с помощью регулятора прижима 4 °

Электропроводящий зонд 6 выполнен

15 из сплава на основе меди, например, Си -М- И -fi е-Мп. Модуль упругости монокристаллов этого сплава на порядок и более меньше такового для электропроводящих зондов, выполненных из жест20 ких материалов, Кроме того, монокристаллы этого сплава обладают аномально высокой упругой деформацией до

10-15%.

Низкий модуль упругости и высокая упругая деформация монокристаллов сплава Си -М-Ni -Fe-bin гарантируют полную неповреждаемость контактных площадок исследуемой интегральной схемы при зондировании, причем .при

ЗО многократном использовании электро780083

Составитель Т.Каратыгин

Редактор H.Êîãàí Техред М.Кузьма

Заказ 9336/19 Тираж. 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, F,- 35, Раушская наб,, д, 4/5

Корректор Н.Григорук

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 проводящего зонда 6 получается досто- верная информация об измеряемых. параметрах, так как материал электропроводящего зонда 6 не проявляет остаточйой деформации при измерениях.

Сплав Си-М-Н -Pe-Nn обеспечивает долговечность изготовленного иэ него электропроводящего зонда 6 без повторной заточки, что повышает производительность зондового устройства при измерейиях. Вследствие своих особых упругих свойств электропроводящий зонд 6 обеспечивает постоянство контактных площадок исследуемой интегральной схемы, что позволяет по высить точность измерений. Использование мягкого электропроводящего зонда в зондирующем устройстве позволяет проводить электрические измерения параметров различного рода микрообъектов, в том числе и интегральных схем, без их повреждения °

Формула изобретения

Зондовое устройство, преимущественно для измерения электрических дараметров интегральных схем, содержащее диэлектрический корпус с электропроводящим зондом, о т л и ч а ювЂ” щ е е с я тем, что, с целью повыше ния производительности и.точности

1О измерений, электропроводящий зонд выполнен из материала, обладающего термоупругим фазовым превращением, например из сплава на основе меди: Cu-Ae-Pe- М -Ы .

1$ Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент СНА М 3611128, кл. 324-72.5, 1971 (прототип) .

Устройство для контроля радиодеталей по внешнему виду // 767871

Устройство для измерения эдс поперечного эффекта нернста- этингсгаузена в полупроводниковых материалах // 767870

Способ измерения удельного электрического сопротивления полупроводниковых материалов // 765909

Устройство для присоединения перемычек // 764014

Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик // 763821

Способ определения параметров варизонных структур // 753313

Устройство для испытания транзисторных матриц // 750401

Устройство для сортировки транзисторов с жесткими выводами // 748581

Термостатированный столик // 746348

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349