Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов

 

Ю

О И

ИЗОБРЕТЕНИЯ. чалое

4Ай !

Союз Советскид

Социапистическия

Республик ач (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 0305.78 (21) 2611198/18-21 (51)

Н 01 L 21/306 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (5З) М 621. 319.4 (088. 8) Опубликовано 231280 бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 25.12НO (72) Авторы изобретения

Г. М. Алексеева, A П. Бекренев, В. В. Герасименко и Е. A. Альперович (71) Заявитель (54 ) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГРУППОВОЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов, в частности, для групповой обработки полупроводниковых элемен- % тов.

Известно устройство для групповой химической обработки полупроводниковых элементов, содержащее герметич- 1О ную камеру и кассету 1 13.

Недостатком такого устройства является то, что при обработке в общем объеме агрессивного травления большого числа арматур нарушение химически стойкого покрытия металлических частей даже одной арматуры приводит к ухудшению качества всех, одновременно обрабатываемых арма-: тур за счет адсорбции ионов, рас- - 29 травленного металла из травйтеля на обрабатываемую поверхность кремния.

Наиболее близким по технической сущности является устройство для групповой обработки в потоке реаген- 25 та, содержащее герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента и кассету 2

Недостатками этого устройства яв.ляются необходимость ручной загрузки 30 и выгрузки каждого полупроводникового элемента в индивидуальные ячейки, неизбежный контакт протравленного полупроводникового элемента с воздушной средой перед операцией промывкн, а также невозможность .обработки полупроводникового элемента газообразными составами, что снижает качество полупроводникового элемента.

Кроме того, из-за значительного расстояния обрабатываемой поверхности полупроводникового элемента от экрана происходит неэкономичный расход обрабатывающего реагента за счет неполного участия в реакции всего объема жидкости, имеющейся в ячейке.

Цель изобретения — повьваение качества обработки и снижение расхода реагентов.

Укаэанная цель достигается тем, что в устройстве для групповой обработки полупроводниковых элементов, преимущественно в потоке реагента, содержащем герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента и кассету, камера выполнена в виде двух герметично соединенных симметричных конусообразных полостей, между которыми размещена кассета

790038. со сквозными отверстиями и фиксаторами полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.

На фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрез на фиг.2 то же, вид сверху.

Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент(агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость б, затем через отверстия 7, в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.

Симметричное расположение отверстий относительно центрального входа и одинаковый их диаметр обеспечивает равномерный поток реагента в каждом отверстии.

Материал полукорпусов и кассетыфторопласт.

Использование сменной кассеты, которая загружается на предыдущей операции технологического процесса групповым методом, сводит процесс загрузки на операции травления элементов к помещению в устройство загруженной кассеты. Закрытое исполнение устройства и наличие индивидуального отверстия для каждого полупроводникового элемента позволяет осуществлять последовательно ряд химических обработок в. жидких и газо.образных средах, минуя промежуточные перегрузки и исключая контакт с воздушной средой, индивидуально для каждого загруженного в устройство элемента, что повышает качество полу проводниковых элементов.

Такая конструкция устройства позволяет осуществлять групповую или автоматическую загрузку полупроводниковых элементов в отверстия кассеты вне устройства, а также проводить последовательно, исключая перегрузки и контакт с воздушной средой, непрерывный цикл операций: травление в агрессивных жидкйх или газообразных средах, промывку моющими и обезжиривающими реагентами и осушку горячим воздухом индивидуально каждого загруженного полупроводникового элемента, что повышает качество обрабатываемых

)5 элементов, а также обеспечивает экономичный расход обрабатывающих реагентов.

Формула изобретения

Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, преимущественно в потоке реагента, содержащее герметичную камеру с каналами подвода и отвода реагента в кассету, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества обработки и снижения расхода реагентов, камера выполнена в виде двух гермеЗО тично соединенных симметричных конусообразных полостей, между которыми размещена кассета со сквозными отверстиями и фиксаторами полупроводниковых элементов, причем разность

35 диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах

1-3 мм.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

4Q 1. Авторское свидетельство -СССР

9 503319, кл. H 01 L 21/203 р 1974.

2. Авторское свидетельство СССР

9 457125, кл. Н 01 L 7/68, 1973 (прототип).

790038

9ьiiр f

Составитель Л. Беспалова

Редактор А. Шандор ТехредМ.Табакович Корректор М. Демчик

Заказ 9131/76 Тираж 844 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4

Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии и производству интегральных микросхем повышенной степени интеграции (БИС, СБИС), СВЧ-транзисторам

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости
Наверх