Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<»»800913 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кл.з

G 001 1. R 31/26 (22) Заявлено 300379 (21) 2744723/18-25 с т»р соединением заявки No

Государственный комитет

СССР по делам изобретеиий и открытий (23) Г1риори тет

Опубликовано 30.01.81. Бюллетень Ж 4

Дата опубликования описания 10. 02. 81 (53) УДК 621. 382. .2(088.8) (72) Автор изобретения

М.А.Кисляков

° ..., «Д f (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ

И РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДОВ

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть ис-, пользовано для контроля напряжения стабилизации стабилитронов и стабисторов падения напряжения на диодах и разбраковки полупроводниковых диодов по дифференциальному сопротивлению.

Известно устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов, содержащее генератор постоянного тока, соединенный через измеритель тока с клеммами для подключения испытуемого диода, и измеритель напряжения, подключенный к тем же клеммам, и предназначенное для измерения напряжения стабилизации (1) .

Известно также устройство, содержащее генератор постоянного тока с измерителем его величины, генератор переменного тока, узел подключения испытуемого диода, с которым связаны калибровочный резистор, упомянутые генераторы токов и электронный вольтметр с избирательным усилителем. Это устройство позволяет измерять дифференциальное сопротивление полупроводниковых диодов (2! .

Недостатком известных устройств является низкая производительность контроля, обусловленная тем, что каждое из них позволяет измерять только один параметр испытуемого диода °

Наиболее близким техническим ре- шением к предлагаемому является уст.— ройство, которое содержит источник стабильного постоянного тока, генератор переменного тока, подключенные своими выходами к коммутатору объектов контроля, с которым соединены узлы подключения контролируемых диодов, магазин эталонных сопротивлений и полосовой фильтр, а также блок контроля напряжения (31.

Недостаток. этого устройства состоит в низкой производительности

20 контроля, обусловленной поочередной проверкой напряжения стабилизации. и дифференциального сопротивления ка»идого диода.

Цель изобретения — повышеки производительности контроля

Поставленная цель достигаетоя тем, что в устройство для контроля параметров и разбраковки полупроводниковых диодов, преимущественно стаЗ0 билитронов и стабисторов, содержа800913 щее источник стабильного постоянного тока, генератор переменного тока, подключенные своими выходами к коммутатору объектов контроля, с которыми соединены узлы подключения кон-, тролируемых диодов, магазин эталонных сопротивлений и полосовой фильтр, а также блок контроля напряжения, фильтр нижних частот, детектор, компаратор, блок памяти, схема управления, схема совпадения и блок фиксации результатов контроля, причем первый .вход блока фиксации результатов контроля соединен с коммутатором объекта контроля, второй вход — c тем же коммутатором через последовательно соединенные фильтр нижних частот и блок контроля напряжения, а третий вход — с выходом схемы совпадения, первый вход которой соединен с коммутатором объектов контроля через последовательно соединенные полосовой фильтр, детектор и компаратор, а также со схемой управления, к которой подключены второй вход схемы совпадения и блок памяти, связанный с компаратором.

Предлагаемое устройство позволяет повысить производительность контроля благодаря тому, что контроль напряжения стабилизации и дифференциального сопротивления диодов производится одновременно, и отбраковка диодов проводится не по величине дифференциального сопротивления, а путем срав нения с уровнем отбраковки.

На чертеже представлена блок-схема устройства для контроля параметров и разбраковки полупроводниковых диодов.

Устройство содержит источник 1 стабильного постоянного тока, генератор 2 переменного тока, коммутатор

3 объектов контроля, узел 4 подключения контролируемых диодов, магазин 5 эталонных сопротивлений, полосовой фильтр 6, фильтр 7 нижних частот, блок 8 контроля напряжения, детектор 9, компаратор 10, блок 11 памяти, схему 12 управления, схему

13 совпадения и блок 14 фиксации результатов контроля.

Устройство имеет два режима работы: режим калибровки и режим контроля.

Режим калибровки производится автоматически при установке в кассету (не показана) следующей партии полупроводниковых диодов. При этом коммутатор 3 объектов контроля подключает магазин 5 эталонных сопротивлений к выходам источника 1 стабильного постоянного тока и генератора 2 переменного тока и ко входам полосового фильтра 6 и фильтра 7 нижних частот. Переменный и постоянный токи создают на эталонном сопротивлении падение нагряжения. Переменная составляющая этого сигнала

65 ключению блока коммутации режимов производительность устройства значительно увеличивается. Время непосредственного контроля сокращается в два раза по сравнению с временем контроля при использовании известного устройства.

Формула изобретения устройство для контроля параметров и разбраковки полупроводниковых проходит через полосовой фильтр 6, настроенный на частоту генератора

2 переменного тока, выпрямляется детектором 9 и поступает на один .из входов компаратора 10, на другой вход которого поступает возрастающее напряжение с блока 11 памяти, управляемого схемой 12 управления. В момент равенства напряжений сигнал "Лог.1" на выходе компаратора 10 сменяется сигналом "Лог.О". Схема 12 управления прекращает изменение величины напряжения на выходе блока 11 памяти. Таким образом запоминается величина уровня отбраковки по дифференциальному сопротивлению.

15 Когда устройство переходит в режим контроля, коммутатор 3 объектов .контроля поочередно включает блоки узла 4 подключения контролируемых диодов. Постоянная составляющая сигЩ нала с контролируемого диода поступает через фильтр 7 нижних частот на вход блока 8 контроля напряжения, а переменная составляющая с частотой генератора 2 переменного тока поступает через полосовой фильтр б и детектор 9 на вход компаратора

10, который сравнивает его с сигналом с блока 11 памяти и выдает результат сравнения в виде логического уровня на первый вход схемы 13 совпадения. Через определенный промежуток времени, связанный с установлением переходных процессов, схема

12 управления подает разрешающий сигнал на второй вход схемы 13 совпадения. Если величина дифференциального сопротивления меньше предельно допустимой, то на ее выходе, связанном с блоком 14 фиксации результатов контроля, формируется сигнал "Лог.О", 4Q если больше — "Лог.1". Одновременно с блока 8 контроля напряжения поступает результат контроля напряжения стабилизации или падения напряжения, а с коммутатора 3 объектов контроля—

45 код номера контролируемого диода.

Управление всеми блоками осуществляет центральный блок управления (не показан).

Благодаря объединению выходов генератора переменного тока и источника стабильного постоянного тока, введению фильтра нижних частот между контролируемым полупроводниковым диодом и блоком контроля напряжения, объединению входов фильтров и ис800913

15

Составитель Ю.Брызгалов

Редактор И.Михеева Техред С.Мигунова Корректор Н.Григорук

Заказ 10413 61 Тираж 743 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

IIo делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 диодов, преимущественно стабилитронов и стабисторов, содержащее источник стабильного постоянного тока, генератор переменного тока, подключенные своими выходами к коммутатору объектов контроля, с которым соединены узлы подключения контролируемых диодов, магазин эталонных сопротивлений и полосовой фильтр, а также блок контроля напряжения, о т л и ч аю щ е е с я тем, что с целью уве1 личения производительности контроля, в него введены фильтр нижних частот, детектор, компаратор, блок памяти, схема управления, схема совпадения и блок фиксации результатов контроля, причем первый вход блока фиксации результатов контроля соединен с коммутатором объектов контроля, второй вход — c тем же коммутатором через последовательно соединенные фильтр нижних частот и блок контроля напряжения, а третий вход — с выходом схемы совпадения, первый вход которой соединен с коммутатором объектов контроля через последовательно соединенные полосовой фильтр, детектор и компаратор, а также схемой управления, к которой подключены второй вход схемы совпадения и блок памяти, связанный с компаратором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. Под ред.

Н.Н.Горюнова и Ю.P.Íoñoâà. М., "Советское радио", 1968, с. 90.

2. Там же, с. 92.

3. Полуавтомат для разбраковки стабилитронов. Информационный листок

BHMH ИЛ 13-06, 74-0724/ Б1323483 (прототип).

Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов Устройство для контроля параметрови разбраковки полупроводниковыхдиодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх