Линия задержки

 

Союз Советских

Социалистических

Реслублнк

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ рл801156 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.04.79 (21) 2751989/18-09 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 300181. Бюллетень Мо 4

Дата опубликования описания 300181 (51)pA „з

Н 01 Г 9/02

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 6 1.372 (088 . 8?

l

Ю.Н.Пчельников, Н.Е.Иванова, В.К.Дзугаев;;и Е.И.Вурылин ( (72) Авторы изобретения

: t

Московский институт электронного машинос г.роения (71) Заявитель (54) ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться при проектировании радиотехнических устройств высокочастотного и сверхвысокочастотного диапазона.

Известна линия задержки, содержащая диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников имметричной двух-проводной линии, имеющий форму меандра, причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра (1), Одна <о известная линия задержки, 15 имеет малое время задержки.

Цель изобретения — увеличение времени задержки.

Указанная цель достигается тем, что в линию задержки, содержащую диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меандра, причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра, дополнительно введены дне диэлектрические пластины, каждая из которых размещена на одном из проводников симметричной двухпроводной линии, и две пластины с нысокои магнитной проницаемостью, установленные на диэлектрических пластинах.

На чертеже схематически представлена предлагаемая линия задержки.

Линия задержки содержит диэлектрическую подложку 1, по обе стороны которой размещены проводники 2 и 3 симметричной двухпроводной линии, имеющие форму меандра, дне диэлектрические пластины 4 и 5 и две пластины 6 и 7 с высокой магнитной проницаемостью.

Линня задержки работает следующим образом.

При подаче высокачастотного напряжения в противофазе между проводниками 2 и 3 симметричной двухпроводной линии происходит разделение электрического и магнитного полей: высокочастотное электрическое поле сосредоточивается в основном в объеме между проводниками, магнитное поле-снаружи проводника 2 и снаружи проводника 3, т.е. в материале с высокои магнитной проницаемостью. Вследствие этого погонная индуктивность тако» линии задержки возрастает з» счет локализа801156

Формула изобретения

Составитель Е Голуб

Техред Н. Ковалева Корректор Н. Бабинед

Редактор М. Митровка

Заказ 10446/73 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ции магнитного поля в материале с большой магнитной проницаемостью,. а увеличения потерь при этом не происходит, Увеличение погонной индуктивности приводит к увеличению замедления в ней и, следовательно, к увеличению удельной задержки.

Таким образом, использование предлагаемой линии задержки позволяет повысить время задержки при уменьшении габаритов и без увеличения потерь о в линии.

Линия задержки,. содержащая диэ- 1 лектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один иэ проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меандра, причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра, отличающаяся тем, что, с целью увеличения времени задержки„ в нее дополнительно введены две диэлектрические пластины, каждая из которых размещена на одном из проводников симмтеричной двухпроводной линии, и две пластины с высокой магнитной проницаемостью, установленные на диэлектрических пластинах.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США 3594665, кл . 333-31, опублик. 1971 прототип