Стекло

 

Союз Советскик . Соцнапнстическик

Республик

ОПHCAHHE

И 3 О Б Р Е Т Е п И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ .

<и>8О8398 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 220379 (21) 2764409/29-33 (51)М. Кл.

С 03 С 3/30

С 03 С 3/12

С 03 С 3/14 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

СС С P по делам изобретений и открытий (23) Приоритет— (53) УДК 666 ° 11292 (088. 8) Опубликоваио280281 Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания (12) Авторы изобретения

О.Е.Модебадзе, М.И.Бродзели, Ц.В.Кикачеишвили, Н.A.Àëèìáàðàøâèëè и В.M.Калыгина,;7

4 5»

° ° " -,:"м < ", 1 " - "" "М

Институт кибернетики AH Грузинской CCP (71) Заявитель (5 4) СТЕКЛО

Изобретение относится к составам полупроводниковых стекол для элементов запоминающих устройств, применяемых в электронике.

Известно стекло для изготовления активных элементов переключения и памяти, включающее, вес.Ъ:

Чд О5

55-65

18-22

Чд О4

5-15

СаО 8-12

Данное -стекло имеет Ьф "340 С, удельное сопротивление P 10 OM.см .(1).

Однако известное стекло обладает недостаточно низкими пороговыми на- 15 пряжениями переключения.

Наиболее близким к предлагаемому по составу является стекло (2), включающее, вес.Ъ: 20

В О> - 2-50

В12 03

15-80

СаО О, 5-10

5j О1 10-60

О, 5-15 25

ВаО О, 5-10

Известное стекло не обладает достаточно низкими пороговыми напряжениями переключения и имеет недостаточно высокую химическую ус:.":.чивость. 30

Цель изобретения — получение стекла, обладающего низкими значениями порогового напряжения переключения, и увеличение химической устойчивости стекла.

Поставленная дель достигается тем, что стекЛо, включающее В О, СаО, В1 03, дополнительно содержит В О, при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ: 2O3 5-31

СаО 4-15

".2 3

45-75

В1 О, 5-20

Полученное стекло имеет низкие пороговые напряжения переключения с высокоомного в низкоомное состояние (40-80 В при расстоянии между электродами порядка 100 мкм или же менее

30 В при толщине пленки стекла порядка 50 мкм).

Электрическое сопротивление предлагаемого стекла в высокоомном стеклот образном состоянии составляет 10

10" Ом -см. Химстойкость стекла — 1 гидролитический класс.

Стекло не кристаллизуется при термической обработке при 390-520"C ь течение 0,2-1 ч с последующим охлаждением со скоростью 80 гоад/ч.

808398

Формула изобретения

Составитель В.Товмасян

Редактор М.Ткач Техред Т. Маточка Корректор Н.Стец

Заказ 37/? 0 Тираж 531 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал tl .ÒÏ ™Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Стекло характеризуется максимумом светопропускания при 670 720 нм с высотой максимума 20-603.

Предлагаемое стекло по сравнению с существующими полупроводниковыми стеклами характеризуется повышенной химической стойкостью, повышенной термической устойчивостью и возможностью изменения окраски путем термической и др. обработки, при котором светопропускание в видимой части спектра сни- о жается На 10-40Ъ. Температура варки стекла 900-1250 С, продолжительность варки 0,2-1,5 ч, температура размягчения 330-530 С, температура обжига 310-520 С.

Пример 1. Стекло, содержащее, вес.Ъ: В20з 5; СаО 15; В 0 75; о

В(04 5, варят при 980 С в алундовых тиглях в слабоокислительной среде

Продолжительность варки 0,8 ч, температура обжига 380 С. Пластинки из 20 укаэанного стекла прозрачны в видимой части спектра с максимумом светопропускания при 670-720 нм; в процессе обжига стекло не кристаллизу— ется и не меняет светопропускание.

Из стекла изготовляются элементы запоминающих устройств, расстояние между никелевыми электродами:100 мкм, пороговое напряжение 40-50 В. При переходе элемента из высокоомного состояния (Rp = 2 106 0M) в низкоомное (Кc -- 1,2. 10 Ом) предварительная специальная формовка не требуется. Устройство в высокоомное состояние возвращается с помощью электрического импульса тока с амплитудой

100-150 мА.

Пример 2. Стекло, содержащее, вес. Ъ: В О 31; СаО 4; В(03 45;

В(04 20, варят при температуре

1220ОС, продолжительность варки 40

1,2 ч, температура обжига 470-520 С, максимум светопропускания при 680720 нм с высотой 50%.

Из указанного стекла изготовляют элементы запоминающих устройств; 4 расстояние между электродами 100 мкм, пороговое напряжение 65.В, При переключении из высокоомного в низкоомное состояние наблюдается изменение сопротивления с 10 8 до 10 Ом.

Установление первоначального высокоомного состояния происходит с помощью импульса тока с амплитудой )00130 мА.

Предлагаемое стекло характеризуется повышенной влагоустойчивостью и химстойкостью, улучшенными кристаллизационными и оптическими свойствами, термической чувствительностью: при определенных температурах обработки оранжевый цвет меняется на коричневый и темно-коричневый,что можно использовать в специальных электронных устройствах.

Запоминающие устройства из предлагаемого стекла выдерживают в 1,52,5 раза больше циклов переключения, чем из известных стекол.

Предлагаемое стекло прозрачно в видимой части спектра с максимумом светопропускания (20-60%) при 560720 нм, который при термических обработках может быть сдвинут влево (520-680 нм) и понижен на 10-40%.

Кроме того, предлагаемое стекло не содержит дефицитных и дорогостоящих оксидов. В его состав входит малое количество компонентов и поэтому существенно упрощается технологический процесс изготовления пленок и

t, следовательно, многоматричных элементов.

Стекло, включающее В О, СаО, В О, отлич ающеес я тем, что, с целью получения стекла, обладающего низкими значениями порогового напряжения переключения, и увели-. чения химической устойчивости стекла

У оно дополнительно содержит В О при следующем соотношении компонентов, 4 вес.%:

В О 5-31

СаО 4-15

В1 03 45-75

В1 0+ 5-20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1 ° Авторское свидетельство СССР

Р 420583, кл., С 03 С 3/30, 1972 °

2, Авторское свидетельство СССР

9 559909, кл. С 03 С 3/08, 1975.