Полупроводниковая интегральная схема

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводнировую подложку первого типа про_водимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным;слоем того же,что и подложка, типа проводимости и совмещенные с ^локальными областями того жетипа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя,, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы при— • поверхностные области противоположного типа проводимости, о т л и ч а» ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения степени интеграции с расширением функциональных возможностей, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, рав- •ную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в одной из которых образованы приповерхностные области первого типа проводимости, концентрация примесей в которых не менее чем ' в пять раз превышает концентрацию .примесей в дополнительных областях.W\ю о ел4:^СГ>&'

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU<„, 20546

4(я) H 01 L 27/ 4

ОПИСАНИЕ: ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2671205/18-25 (22) 29.09.78 (46) 23.03.85. Вюл .. 9 11 (72) 10.В.Кружанов, В.П;Дубинин, В.С.Овчиннчков и В.Э.Сафронов (53) 621 382(088.8) (56) 1. Патент США У 3260902, кл. 357-48, опублик. 1966.

2. Патент США У 3575741, кл. 148-175; опублик. 1971.(прототип). (54)(57) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковую подложку первого типа прово-. димости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем того же,что и подложка, типа проводимости и совмещенные с Ьокальными областями того же тила проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы при-: поверхностные области.противоположного типа проводимости, о т л и ч а » ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения степени интеграции с расширением функциональных возможностей, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в одной из которых образованы приповерхностные области первого типа проводимости, концентрация примесей в которых не менее чем в пять раз превышает концентрацию примесей в дополнительных областях.

820

546

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем.

Известна полупроводниковая структура, выполненная на основе полупроводниковой подложки р-типа проводимости, в приповерхностном слое которой находятся области п — типа проводимости первого слоя, с расположен- 10 ными на ней эпитаксиальным слоем

h-типа проводимости, в котором выпол- . нены на всю его глубину области ртипа проводимости второго слоя, в приповерхностном слое которого расположены области обоих типов проводимости(13.

На основе такой структуры создана интегральная схема, содержащая:и-р-итранзисторы и П-резисторы и изолирую- 20 щие области, наличие последних приводит к значительному увеличению площади, занимаемой транзисторами на кристалле.

Известна полупроводниковая ин- д тегральная схема, содержащая полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем того же, что и подложка, типа проводимости и совмещенные с локальными областями того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по

35 крайней мере в одной из.которых соз- . даны приповерхностные области противоположного типа проводимости P2).

Известная структура интегральной

40 схемы содержит резисторы из материаl ла р-типа проводимости, для которых необходима изолирующая область итипа проводимости, занимающая дополнительную площадь на подложке, кро45 ме того, на такой структуре невозможно одновременно создать транзисторы р-tl-р и 11-р-h-типа.

Целью изобретения является увеличение степени интеграции с расширением функциональных возможностей.

Поставленная цель достигается тем, что в известной полупроводниковой интегральной схеме, содержащей полупроводниковую подложку первого типа 55 проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка, типа проводимости н совмещенные с локальными областями, того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, ло крайней мере в,одной из которых, образованы-приповерхностные области пер-. вого типа проводимости, концентрация примесей в которых не менее чем в пять раз превышает концентрацию примесей в дополнительных областях.

На чертеже представлена полупроводниковая интегральная схема.

Схема включает полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, участки 2 противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем 3, локальные области ч того же типа проводимости

1 глубина которых равна толщине эпитак < сиального слоя первого типа проводимости, приповерхностные области 5 противоположного типа проводимости, дополнительные области 6, образованные в- эпитаксиальном слое 3, того же ти-.. па проводимости, приповерхностные области 7 первого типа проводимости.

Как видно из чертежа1 интегральная схема содержит как р-h-p, так и h-р транзисторы, а также резисторы на основе полупроводникового материала

)h- и р-типа. Наличие резисторов на основе материала h- и р-типа позволяет увеличить степень интеграции, так как такие резисторы являются самоизолированными.

Для нормального функционирования эмиттера р-И-р транзистора данной структуры необходимо, чтобы концентрация примесей в приповерхностных

1 областях 7 по крайней мере в пять раз превышала концентрацию примесей в дополнительных областях 6 °

Реализация в предлагаемой схеме р-h-р транзисторов совместно с и-р-и транзисторами позволяет расширить функциональные возможности схемы, т.е. увеличить количество разнообразF

Редактор С.Титова Техред.С.Йовжий

Корректор В,Синицкая .

Заказ 1690/3 Тираж 679 .. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,. 4 ных устройств, реапизуемых на ве данной интегральной схемы, личить степень ее интеграции, 820546 4 осно- схем полупроводниковой интегральи уве- ной памяти улучшить также быстродейа для ствие и потребляемую мощность.