Способ изготовления преобразователей телевизионных изображений

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, включающий нанесение на подложку прозрачного проводящего и диэлектрического слоев, формирование фоточувствительного слоя контакта, данного слоя с электрооптической средой, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества преобразователей, для формирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм.±(Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„822737 (51)4 Н 04 N 5/74

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

«

«.. а

Ф Ф Р Ф ф б б б !

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫЛИ (21) 2849643/18-25 (22) 04.12.79 (46) 07.11.86. Бюл. Р 41 (71) Ордена Ленина физический институт им. П.Н.Лебедева (72) П.В.Вашурин, А.А.Васильев, А.А.Егоров, Н.Ф.Ковтонюк, И.Н.Компанец, А.В.Парфенов, Ю.M.Ïîïîâ, Ю.Н.Пчельников, О.Н.Таленский и П.В.Шапкин (53) 631.382(088.8) (56) Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник — диэлектрик. М., "Энергия", 1976, с. 51

Fraas Ь.M., Bleha Ь.М., Grin ..

berg J., Jacobson А.D. J. of Appl.

Phys., 1976, 47, У 2, р.р. 584-590; (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, включающий нанесение на подложку прозрачного проводящего и диэлектрического слоев, формирование фоточувствительного слоя контакта, данного слоя с электрооптической средой, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества преобразователей, для формирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм.

45

1 8227

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к технологии изготовления преобразователей телевизионных иэображений и может быть использовано для создания устройств 5 ввода, преобразования и пространственной модуляции света.

Известен способ изготовления преобразователей телевизионных изображений на основе структур, содержащих фоточувствительный и электрооптический слои, заключенные между прозрачными электродами.

В данном способе монокристаллическая пластина полупроводника полируется с обе сторон до толщины 150200 мкм. Поверхность кристалла подвергается протравливанию, что необходимо для снятия дефектного поверхностного слоя толщиной примерно 1 мкм. 20

Затем на обеих сторонах полупроводниковой пластины образуются тонкие (0,2 мкм) слои диэлектрика, например, термическим окислением в сухом и влажном кислороде или осаждением из газовой фазы твердых .слоев ди— электриков. Поверх одного из диэлектриков наносится проводящий полупрозрачный слой, например никелевый.

К другому диэлектрику примыкает электрооптический слой, например электролюминофор, который осаждают химическим способом из раствора. Таким образом формируется преобразователь иэображения. 35

Такой способ создания преобразователей изображений обладает следующим недостатком. указанная .технология не позволяет изготовить полупроводниковый слой для преобразователей 40 толщиной менее 150 мкм, поскольку уже при этих толщинах поверхность полупроводниковой пластины обладает, значительной кривизной, а при меньших толщинах кристалл не обладает необходимой механической прочностью.

Преобразователи изображений, созданные по укаэанной технологии, обладают малой разрешающей способностью, низким оптическим качеством. 50

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является способ, при котором на две стеклянные подложки наносят прозрачный электропроводящий слой In<0>- SnO< толщиной около 0,04 мкм и поверхностным сопротивлением около 30 Ом/квадрат, затем на одну из подложек на токо37 проводящий слой наносят методом термического напыления в вакууме слой сульфида кадмия толщиной 16 мкм.

Режим нанесения слоя сульфида кадмия (температура подложки, скорость напыления) выбраны так, что при напылении поверх слоя сульфида кадмия последующего слоя теллурида кадмия, образуется плавная варизонная структура с фоточувствительностью в области 500-520 нм.

Поверх токопроводящего слоя на второй подложке наносят вакуумным напылением слой двуокиси кремния, который является ориентирующим покрытием для жидкого кристалла, который заливается в промежуток, образованный с помощью прокладок между первой и второй подложкой.

Недостатками такого способа изготовления преобразователей изображений являются: большая сложность создания фоточувствительного тонкопленочного гетероперехода с варизонной структурой; технология не обеспечивает повторяемости результатов в серии образцов и однородности свойства по площади для единичного образца; узкий спектральный диапазон чувствительности преобразователей изображения.

Целью изобретения является упрощение технологии и улучшение качества преобразователей.

Цель достигается тем, что для формирования фоточувствительного слоя на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины

10-100 мкм.

Последовательность выполнения предлагаемого способа поясняется чертежом.

На чертеже изображены подложка 1 (стекло, плавленный кварц), прозрачное проводящее покрытие 2, диэлектрический слой 3 (двуокись кремния, двуокись титана), пластина 4 полупроводникового монокристалла, жидкий кристалл 5, подложка 6 с проводящим покрытием.

Фоточувствительный слой. выполняется следующим образом.

На подложку 1 из плавленного кварца толщиной 10 мм и диаметром 40 мм наносят проводящее прозрачное покрытие 2 из 1п,Оз + 97 SnO< методом

Составитель Ю.-К.В.Розенкранц

Редактор А.Лежнина Техред Л.Сердюкова

Корректор Т.Колб

Подписное

Заказ 6052/1 Тираж 624

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул.Проектная,4

3 822737 4 электронно-лучевого испарения в ва- мают поверхностный поврежденный слой кууме. Это покрытие имело толщину и этой поверхностью клеят полупроводО, 1 мкм и поверхностное сопротивле- никовый кристалл к диэлектрическому ние 65 Ом/квадрат. Поверх проводя- слою. Затем полупроводниковый крис- щего слоя наносят методом химическо- g талл полируется до толщины 20 мкм го осаждения 4-х слойное композициои- .и травится. Этот фоточувствительный ное покрытие 3 из двуокиси титана— слой используется совместно со слоем двуокиси кремния общей толщиной жидкого кристалла 5 толщиной 2 мкм.

0,35 мкм. Пластину 4 кремния толщиной В качестве последнего применяют

2 мм и диаметром 2 см полируют с од- 0 смесь азоксисоединений с эфиронитной стороны по оптическому классу рилом. точности (шероховатость поверхности Настоящее изобретение позволяет менее 0,04 мкм, отклонение от плос- преобразовать телевизионные изобракости менее 1 мкм). Обработкой крем- жения в реальном времени с высокой ния в полирующем травителе СР-4A сни- 5 оптической однородностью.