Накопитель для запоминающегоустройства

Авторы патента:

ОГАНЕЗОВ РАФАЭЛЬ ХАЧИКОВИЧ

ЛЕВИЦКИЙ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ

ЩУЧКИН ГАНС СЕРАФИМОВИЧ

БЫЛОВ КОНСТАНТИН ВЛАДИМИРОВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

C0Io3 Советских

Социалнеткчвсккх

Рветтублкк

<и 824306 (5l)М. Кл. (53) УД К 681.327. .66 (088.8) (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.10.78 (21) 2678274/18-24 с присоединением заявки МвЂ” (23 } П ряоритет

G 11 с 11/14

lbcyaapcreate il комитет

CCCP ао аелек изобретений и открытий

Опубликовано 23.04.81. Бюллетень М 15

Дата опубликования описания 23.04.81 (72) Авторы изобретения

Р Х. Огайезов, А. С. Левицкий, Г. С. Щучкин и К. В. ылов.. >-„,, 7 t,é77

{7E) Заявитель (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной фехнике и может быть применено в запоминающих устройствах на основе цилиндрических магнитных доменов.

Известен накопитель для запоминающих устройств, содержащий магннтоодноосную пленку с элементами управления доменами (1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является накопитель, содержащий источники магнитных полей управления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подключенные к внешним выводам накопителя соединительными проводниками (2) .

Недостатком таких накопителей является низкая надежность, так как в процессе присоединения выводов н эксплуатации накопителя нарушается электрический контакт в местах соединения выводов с кристаллом.

Так как соединительные выводы в известных накопителях к контактным площадкам кристалла крепят методами сварки илн пайки, что сопровождается нагревом кристалла и появлением местных механических напряжений в результате механического воздействия на кристалл, то при этом сужается область устойчивой работы кристалла и самого накопителя.

Цель изобретения вЂ” повышение надежности накопителя для запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в накопителе, содержащем источники магнитных та полей управления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подключенные ко внешним выводам накопителя соединительными проводниками, в отверстие то подложки установлен кристаллодержатель, выполненный в вцце рамки из термостабильного материала, в отверстии которой расположен кристалл иэ доменосодержащего материала, а . соединительные проводники расположены на плоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла иэ доменосодержащего материала.

На чертеже изображен накопитель.

824306

1а 88 4

Составитель В. Розенталь

Редактор Н. Рагулич Техред А. Ач Корректор М. Немчик

Заказ 7315 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретбиий и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Он содержит магнитопровод 1, источники магнитных полей управления вЂ” источник 2а постоянного магнитного поля и источник 2б пере- менного электромагнитного поля, кристалл 3 из доменосодержащего материала, соединительные проводники 4, кристаллодержатель 5 из термостабильного материала, подложку 6 с отверстием, внешние вьшоды 7 накопителя и элементы 8 управления доменами.

Кристалл 3 вмонтирован в отверстие кристал-10 лодержателя 5, который в свою очередь вмонтирован в отверстие подложки 6. Внешние вы воды 7 присоединены в подложке методом пайки или запрессованы в нее. Крнсталлодержатель и подложка выполнены из одного и то-, 15

ro же материала. Соединительные проводники 4 выполнены в виде тонкопленочных металлических проводников напылением в вакууме или в виде толстонленочных проводников методами шелкографии или гальванического параши- 20 вания.

Предлагаемый накопитель имеет повышенную надежность по сравнению с известными устройствами.

Формула изобретения.

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий источники магнитных полей управления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подключенные к внешним выводам накопителя соединительными проводниками, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения надежности накошпеля, он содержит установленный в отверстии подложки кристаллодержатель, выполненный в виде рамки из термостабильиого ма- . териала, в отверстии которой расположен кристалл из доменосодержащего материала, а соединительные проводники расположены на плоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла из доменосодержащего материала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. ТИИЭР, 1975, т. 63, И 8, с. 99.

2. Electronucs, ч. 49, 11"- 30, 1976 (прототип).

Похожие патенты:

Кольцевой сдвиговый регистр // 809385

Магнитный переключатель // 809374

Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов // 809373

Запоминающее устройство // 809372

Устройство для считывания цилин-дрических магнитных доменов // 809346

Запоминающая ячейка // 803012

Переключатель цилиндрическихмагнитных доменов // 803011

Компрессор цилиндрическихмагнитных доменов // 801099

Индукционное устройство длясчитывания информации // 801098

Накопитель информации // 796915

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)