Генератор сверхвысоких частот

 

Генератор сверхвысоких частот, содержащий отрезок коаксиальной линии, к центральному проводнику которого прикреплен своим выводом полупроводниковый диод, а между центральным проводником и внешним проводником размещен подвижный короткозамыкатель, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости режима работы, в него введена металлическая шайба, которая установлена на выводе полупроводникового диода, при этом внешний диаметр шайбы больше диаметра центрального проводника и меньше внутреннего диаметра внешнего проводника.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в установках СВЧ диапазона

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических устройствах различного назначения, в частности в радиоизмерительной технике

Изобретение относится к технике СВЧ, решает задачу генерирования и преобразования колебаний СВЧ полупроводниковыми диодами, стабилизации частоты, формирования диаграммы направленности в единой открытой резонансной излучающей системе

Генератор // 2183045
Изобретение относится к радиотехнике, конкретно к диодным генераторам миллиметрового диапазона длин волн

Изобретение относится к области техники сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано в качестве источника электромагнитных колебаний в радиопередающих устройствах

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к радиопередающим устройствам, и может быть использовано в качестве выходного каскада импульсных РЛС или в качестве модулятора

Изобретение относится к области электронных приборов и может использоваться в полупроводниковой электронике

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в малогабаритной приемопередающей аппаратуре широкополосных систем связи в качестве частотно-задающего генератора, управляемого напряжением, синтезатора частот

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной электроники и микроэлектроники
Наверх