Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок

Авторы патента:

H01L21/205 - разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа aiiibv // 782605

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа aiibvi // 766418

Установка для получения покрытий осаждением из газовой фазы // 588579

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия // 511755

Способ осаждения слоев двуокисикремния // 508824

Способ получения слоев арсенида галлия // 500714

Способ управления электрическими свойствами кристаллов класса авс // 490388

Способ получения эпитаксиальной пленки // 330811

Способ получения эпитаксиальных слоев // 322115

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления // 2105379

Устройство для автоматизированного газофазного наращивания // 2143155

Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии

Способ получения тонких пленок многокомпонентных твердых растворов // 2156518

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Способ получения композиционных металлокерамических мембран cvd-методом и устройство для его реализации // 2164047

Способ получения пленки аморфного гидрогенизированного кремния // 2168795

Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления // 2188878

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния

Способ и устройство для изготовления тонкой полупроводниковой пленки // 2189663

Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического кремния и технология их получения // 2227343

Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения