Устройство для моделирования полу-проводникового элемента

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<>834723 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (53)М. Клз

G 06 G 7/62 (22) Заявлено 210979 (21) 2822923/18-24 с присоединением заявки йо(23) Приоритет -

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий

Опубликовано 3 0581 Бюллетень 1 1о 20 (5Ç) УДК 681.333 (088. 8) Дата опубликования описания 300581 льцеРт (72) Авторы изобретения

М.С.Валитов, Б.A.Âîëêîâ, И.И.Пестрякова, Н.В.Копытов, В.О.Оленин и -Г.Г.Березен

1

Московский институт радиотехники, элект юники и автоматики (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА теристик парноподобных транзисторов.

Так как подобрать пару транзисторов с полным совпадением характеристик не удается, то неточность подбора влияет на точность моделирования. Другой недостаток — невозможность изменять одновременно входное сопротивление и коэффициент передачи по току,что не позволяет моделировать поведение транзистора в условиях нейтронного облучения.

ЦЕль изобретения — расширение частотного диапазона.

Указанная цель достигается тем, что в устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, база которого соединена с одним выводом делителя напряжения и операционный усилитель, введены эталонный резистор и усилитель мощности, выход которого соединен с другим выводом делителя напряжения, один вывод эталонного резистора подключен к шине нулевого потенциала и к неинвертирующему входу операционного усилителя, другой вы, вод эталонного резистора соединен с эмиттером транзистора и через мас штабный резистор подключен к инвертирующему входу операционного усилиИзобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованию и измерению параметров транзисторов, и может быть использовано для анализа поведения радиоэлектронных устройств в условиях воздействия различного рода облучения: длительногонейтронного, г -илучения, А -излучения, протонного.

Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее генератор напряжения и генератор тока 11.

Недостаток устройства — невысокая точность моделирования. 15

Наиболее близким.к предлагаемому является устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее генератор напряжения, генератор тока, операционные усилители, дели-,20 тель напряжения и транзистор (2).

Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента пере дачи тока транзистора без изменения входных и выходных характеристик, что 2 обеспечивает высокую точность соответствия модели поведению транзистора.

Недостаток устройства заключается в том, что точность моделирования определяется точностью совпадения харак- ЗО

834723 теля, выход которого подключен ко входу усилителя мощности.

На чертеже представлена схема устройства.

Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя 1, в цепь 5 . обратной связи которого включен резистор 2. Операционный усилитель 1 соединен с усилителем мощности 3, выход которого связан с базовой цепью транзистора 4 через делитель 5 напряжения в эмиттерную цепь транзистора 4 введен эталонный резистор

6, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя 1, инвертирующий вход последнего связан через 15 масштабный резистор 7 с транзистоpret 4.

Ъ

Устройство работает следующим образом.

Иа транзистор 4 подается напряже- {) ние, которое вызывает протекание тока в транзисторе. Сигнал управления, сиимаемай с резистора 6, подается на вход операционного усилителя 1.

Точный подбор резисторов 2 и 7 позволяет получить нужное усиление операционного усилителя. С выхода операционного усилителя усиленный сигнал поступает на вход усилителя 3 мощности, а затем через делитель 5 напряжения — в базовую цепь транзистора. Регулировкой глубины обратной связи посредством переменного резистора имитируется изменение коэф\. фициента передачи по току К; н транзистора. Частотный диапазон йредлагаемого устройства выше на 1-2 порядка по сравнениюс известным f2) .

Формула изобретения устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, база которого соединена с одним выводом делителя напряжения и операционный усилитель, о т л и ч а ю.щ е е с я тем, что, с целью расширения частотного диапазона, в него введены эталонный резистор и усилитель мощности, выход которого соединен с другим выводом делителя напряжения, один вывод эталонного резистора подключен к шине нулевого потенциала и к неинвертирующему входу операционного усилителя, другой вывод эталонного резистора соединен с эмиттером транзистора и через масштабный резистор подключен к инвертирующему входу операционного усилителя, выход которого подключен ко входу усилителя мощности.

Источники информации, принятые во,внимание при экспертизе

1. Степаненко N.Ï. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.

М., "Энергия", 1973, с.209-214.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 631944, кл. G 06 G 7/62, 1977 (прототип) .

834723

Составитель И.Дубинина

Редактор Н.Бушаева ТехредA. Савка Корректор О. Билак

Эакаэ 4103/77. Тираж 745 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4