Преобразователь поверхностных акустическихволн

 

< >836772

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскмх

Соцналнстнческмх

Республнк(61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 02.07.79 (21) . 2788251/18-23 с присоединением заявки №.— (23) Приоритет— (51) М. Кл.з

Н 03 Н 9/145

Государственный комитет СССР (53) УДК 62! .396..966 (088.8) Опубликовано 07.06.81. Бюллетень № 21 по делам изобретений и открытий

Дата опубликования описания 09.06.81 (72) Авторы изобретения

С. В. Киселев, Д. В. Карпеев и В. Б. Акпамбет с (71) Заявитель (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНЫХ

АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в устройствах акустозлектронной обработки сигналов.

Известны преобразователи поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащие пьезоэлектрический звуконровод и расположенную на его поверхности встречноштыревую электродную структуру с изменяющимся перекрытием штырей вдоль предельной оси преобразователя по закону огибающей заданного импульсного отклика (1).

Недостатком известных преобразователей является сложность изготовления, что связано с необходимостью замены топологии сложной в изготовлении электродной структуры при изменении формы и ширины полосы амплитудно-частотной характеристики.

Из известных устройств наиболее близким к изобретению является преобразователь ПАВ, содержащий звукопровод из непьезоэлектрического материала, расположенную на его поверхности встречно-штыревую электродную структуру и прилегающую к ним тонкую пьезоэлектрическую пленку (2) ®

Электродная структура в этом преобразователе выполнена с изменяющимся перекрытием штырей вдоль продольной оси преоб2 разователя по закону огибающей заданного импульсного отклика, а ширина пьезоэлектрической пленки постоянна вдоль продольной оси преобразователя.

Этот преобразователь также сложен в изготовлении.

Целью изобретения является упрощение изготовления преобразователя.

Это достигается тем, что в преобразователе ПАВ, содержащем звукопровод из непьезоэлектрического материала, расположенную на его поверхности встречно-штыревую электродную структуру и прилегающую к ним тонкую пьезоэлектрическую пленку, ширина пьезоэлекТрической пленки изменяется вдоль продольной оси преобразователя по закону огибающей заданного импульсного отклика.

На чертеже показана конструкция предложенного преобразователя.

На поверхности непьезоэлектрического звукопровода 1 расположена встречно-штыревая электродная структура 2. Пьезоэлектрическая пленка 3 может быть создана на звукопроводе 1 до формирования структуры

2 либо нанесена поверх нее.

836772

Формула изобретения

Составитель В. Банков

Редактор Е. Братчикова Техред A. Бойкас Корректор Ю.Макаренко

Заказ 3205 44 Тираж 988 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

При подаче на преобразователь электрического сигнала в виде короткого импульса возбуждаются ПАВ в области перекрытия штырей с пьезоэлектрической пленкой, при этом импульсный отклик преобразователя определяется конфигурацией области перекрытия. Для получения импульсного отклика с огибающей h(t) степень перекрытия штырей преобразователя- с пьезоэлектрической пленкой должна изменяться по закону

W(x) = h(x/á), где V — скорость ПАВ.

Амплитудно-частотная характеристика преобразователя является Фурье-преобразованием его импульсного отклика. Следовательно, изменяя конфигурацию пьезоэлектрической пленки, можно управлять формой и шириной полосы пропускания амплитудночастотной характеристикой преобразователя. Это позволяет создавать устройства с различными характеристиками, используя одну базовую топологию преобразователя с постоянной длиной штырей; что упрощает процесс его изготовления, а следовательно. и приборов на ПАВ.

Предложенный преобразователь несложен в изготовлении. Изменение его электрических параметров достигается значительно проще по сравнению с известными преобразователями ПАВ.

Преобразователь поверхностных акустических волн, содержащий звукопровод из непьезоэлектрического материала, располо1О женную на его поверхности встречно-штыревую электродную структуру и прилегающую к ним тонкую пьезоэлектрическую пленку, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления, ширина пьезоэлектрической пленки изменяется вдоль продольной оси преобразователя по закону огибающей заданного импульсного отклика.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции № 2040881, кл. Н 03 Н 9/00, 1971.

2. Shiosaki Т. и др. «Applied physics

Letters», 1976, т. 28, № 9, с. 475 — 476.