Способ изготовления тонкопленочныхсхем

 

Союз Советских

Социалистических

Рвспублик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ С ИВЛЬСТВУ р и841071 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 100179 (21) 2711216/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 238681. Бюллетень М 23

Дата опубликовани я описания 230681 (Я)м. кл.з

Н 01 L 21/265

Государствеииый комитет

СССР по делам изобретений и открытий (5S) УДК 621. 382. .002(088.8) аяви (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СХЕМ

Изобретение относится к микроэлектронике, оптоэлектронике и может быть использовано при изготовлении фоторезисторов.

Известен способ изготовления тонкопленочных схем, включающий изготовление гребенчатых электродов иэ металлических лент, укрепление их на изолирующей подложке, нанесение фотопроводника между гребенчатыми электродами 1 ).

Недостатками этого способа являются низкая разрешающая способность и .низкое качество электрического контакта между. электродами и фотопровод- 15 ником тонкопленочной схемы, изготовленной данным способом, большое количество технологических операций в связи с необходимостью создания гребенчатых электродов, выполненных иэ металлических лент, и их укреплением на изолирующей подложке.

Известен способ изготовления тонкопленочных схем, включающий последовательное нанесение на подложку из стекла фоточувствительной пленки и пленки металла, нанесение сетки иэ воска с заданным рисунком и избирательное травление. Этот способ позволяет улучшить качество электрического кон- ЗО такта изготовленной тонкопленочной схемы (2 j ..

Однако он обладает низкой разреша ющей способностью, содержит большое количество различных технологических операций в связи с необходимостью нанесения на фоточувствительную пленку пленки металла, сетки из воска с заданным рисунком и избирательного травления.

Известен также способ изготовления тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа A В", ll включающий нанесение на подложку полу проводниковой пленки и формирование электрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста.

Способ включает нанесение на подложку фоточувствительной пленки соедии и ° нения A В ; нанесение поверх фоточувствительной пленки металлической плен ки, создание контактной маски иэ фоторезиста; селективное травление металлической пленки для формирования электрода. Способ обладает высокой разрешающей способностьюЯ.

Однако он также содержит большое количество технологических операций в связи с необходимостью нанесения

841071

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 4796/80 Тираж 784 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 металлической пленки и ее последующего травления.

Цель изобретения — упрощение технологии

Поставленная цель достигается тем, что электрические контакты формируют бомбардировкой ионами аргона незащищенных фоторезистом участков поверхности полупроводниковой пленки.

Кроме того, бомбардировку ионами ведут до уменьшения поверхностного сопротивления в 10 -10 раз, по срав0 нению с исходным.

В данном способе электрод формируется в результате обработки в потоке ионов незащищенной фоторезистом поверхности полупроводниковой пленки. 15

Поток ионов, падающий на поверхность пленки, выбивает из нее часть атомов, однако атомов шестой группы выбивается намного больше, чем второй (металль1), в результате чего поверхность щ оказывается обогащенной атомами второй группы и поверхностное сопротивление резко уменьшается. Таким образом, создается низкоомный слой, играющий роль электрода на поверхности высокоомного фоточувствительного материала, каким является тонкопленочные полупроводниковые соединения A В

Способ упрощен тем, что исключает нанесение поверх фоточувствительной пленки металлической пленки и ее селективное травление для формирования электрода. Нанесение металлической пленки на фоточувствительную приводит к расходу дорогостоящего металла, например, индия. Кроме того, на гра- нице металлической и фоточувствительной пленки возникает потенциальный барьер, ухудшающий электрические свойства электродов. Селективное травление ухудшает поверхность фоточувстви- 4О тельной пленки за счет возникновения дефектов на поверхности и подтравливания самой поверхности.

Замена вышеперечисленных действий обработкой верхнего слоя поверхности фоточувствительной пленки в потоке ионов позволяет сократить расход дорогостоящего металла, улучшить электрические свойства электродов, благодаря исчезновению потенциального барьера, уберечь от разрушения поверхность фоточувствительной пленки. Число технологических операций при этом умень шается.

Обработанный ионами слой, поверхностное сопротивление которого от- 55 лича тся от исходного менее, чем в 10 раз, не обеспечивает удовлетворительного электрического контакта.

После уменьшения поверхностного сопротивления в 106 раз дальнейшая бомбардировка ионами не вносит существенного эффекта.

Пример. На подложку наносится фоточувствительная пленка толщиной

1 мкм химически осажденного из водного растора CdS, На фоточувствительную пленку CdS наносится маска из фоторезиста. Далее производится обработка в пОтоке ионов незащищенной фоторезистом поверхности CdS в следующем режиме: диодная система; парциальное давление газа (аргона) Р=10 Па; U — 2,7 кВ, J = 4,3 10 А, время обработки изменяется от 5 до 180 мин.

После обработки сопротивление по верхностного слоя фоточувствительной пленки уменьшается в 10 раз (исход6 ное поверхностное сопротивление R =

10"о Ом/см ).

Предлагаемый способ позволяет сок- . ратить расход дорогостоящего металла, повысить выход продукции за счет уменьшения числа технологических операций и уменьшения дефектности фоточувствительной пленки, повысить производительность труда при изготовлении схем а также снизить себестоимость готовой продукции.

1. Способ изготовления тонкопленочных схем на основе полупроводниковых соединений типа А В", включающий на к ч( несение на подложку полупроводниковой пленки и формирование электрических контактов к ней с использованием маски из фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств контактов, удешевления способа при одновременном упрощении технологии, электрические контакты формируют бомбардировкой ионами аргона незащищенных фоторезистом участков поверхности полупровод никовой пленки.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю шийся тем, что бомбардировку ионами ведут до уменьшения поверхностного сопротивления в 106 -100 раз, по сравнению с исходным.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 2937353, кл. 338-15, 1960.

2. Патент ФРГ 9 1166394, кл. 21 ф 29/01, 1964.

3. Авторское свидетельство СССР по заявке Ф 1927630/25, кл. Н 01 L 21/28, 1973 (прототип).