Способ формирования плоского блокапамяти ha ферритовых сердечниках

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски к

Соцмалистическмк

Республмк ()842953 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.11.79 (21) 2842579/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.з

G 11 С 5/02

Гееударетееаеые кемнтет

Опубликовано 30.06.81. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 05.07.81 па делам нзеаретений н открытий (53) УДК 681.327..66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Я, М. Беккер и Б. Д. Платонов (71) заявители (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛОСКОГО БЛОКА ПАМЯТИ

НА ФЕРРИТОВЫХ СЕРДЕЧНИКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих устройств (ЗУ) на ферритовых сердечниках.

Известен способ формирования плоских блоков памяти на ферритовых сердечниках, заключающийся в заполнении отверстий трафарета ферритовыми сердечниками путем вакуумирования полости под трафаретом и переклеивания сердечников на специальную липкую ленту с последующей их прошивкой координатными проводниками 11).

Однако способ сложен в осуществлении, малопроизводителен и не позволяет формировать поля ферритовых сердечников большой емкости, превышающей емкость трафарета.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ, заключающийся в заполнении трафаретов ферритовыми сердечниками, ориентировании ферритовых сердечников в трафаретах, размещении, установке и фиксации трафаретов с ориентированными сердечниками на основании для соосного расположения ферритовых сердечников, приклеивании сердечников на подложку блока памяти (21.

Недостатком известного способа является сложность в соосном расположении ферритовых сердечников различных трафаретов, установленных на общем основании с помощью сложной технологической оснастки.

Цель изобретения — упрощение технологии формирования плоского блока памяти.

Поставлен lая цель достигается тем, что в способе осуществляют установку и фиксацию трафаретов с ориентированными ферритовыми сердечниками на основании с полющью неоднородного магнитного поля.

Способ заключается в следующем.

Поле ферритовых сердечников формируют на плоской многосекционной плите-основании из трафаретов, заполненных сердечниками. Сердечники в трафаретах фиксированы, например, липкой лентой. Число секций на поверхности основания определяется емкостью матрицы ЗУ, т.е. числом трафазт ретов, входящих в состав матрицы. Отдельные секции плиты-основания выполнены в виде электромагнитов и могут намагничиваться независимо друг от друга. Сила прижатия

842953

Формула изобретения

Составитель В. Вакар

Редактор В. Матюхина Техред А. Бойкас Корректор С. Щомак

Заказ 5119/68 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ферритовых сердечников, а следовательно, и трафаретов к поверхности плиты определяется параметрами неоднородного магнитного поля, существующего около поверхности плиты. Эта сила может изменяться при изменении величины тока, протекаю- 5 щего по обмоткам электромагнитов.

Процесс формирования поля ферритовых сердечников осуществляют в следующей последовательности.

Трафареты с фиксированными в них сердечниками помещают на поверхность плиты-основания таким образом, чтобы сердечники выступали над трафаретами. При этом сердечники оказываются отделенными от поверхности плиты тонким слоем липкой лен- 15 ты. Пропуская по обмоткам плиты-основания ток, создают вблизи ее поверхности слабое магнитное поле и производят прижатие ферритовых сердечников к поверхности плиты.

Величина тока подбирается таким образом, чтобы обеспечивалась возможность переме- 2 щения трафаретов в плоскости плиты-основания. Путем перемещения трафаретов производят их совмещение в соответствии с требованиями прошивки матрицы. Убедившись в соосностн рядов сердечников, располо- 25 женных в разных трафаретах, увеличивают магнитное поле не менее, чем в три раза, и осуществляют фиксацию трафаретов на плите-основании. В том случае, когда необходимо изменить ориентацию одного из трафаретов, уменьшают подмагничивание соответствующей секции до первоначального значения, изменяют ориентацию и вновь увеличивают магнитное поле до величины, необходимой для фиксации трафарета на плите.

После совмещения и окончательной фиксации сердечников на плите производят их переклеивание на общее основание.

Формирование поля ферритовых сердечников предлагаемым способом менее трудоемко и более технологично. Это связано с исключением необходимости применения сложной технологической оснастки, служащей для механического совмещения трафаретов и фрагментов поля ферритовых сердечников. Использование общего основания для поля ферритовых сердечников. Использование общего основания для поля ферритовых сердечников упрощает процесс прошивки матрицы ЗУ. Возможность варьирования степени прижатия ферритовых сердечников к плоскости плиты позволяет совмещать ряды сердечников, расположенных в соседних трафаретах, с требуемой точностью и производить изменение ориентации одного или нескольких трафаретов.

Способ формирования плоского блока памяти на ферритовых сердечниках, заключающийся в заполнении трафаретов ферритовыми сердечниками, ориентировании ферритовых сердечников в трафаретах, размещении, установке и фиксации трафаретов с ориентированными сердечниками на основании для соосного расположения ферритовых сердечников, приклеивании сердечников на подложку блока памяти, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии формирования плоского блока памяти, осуществляют установку и фиксацию трафаретов с ориентированными ферритовыми сердечниками на основании с помощью неоднородного магнитного поля.

Источники информцаии, принятые во внимание при экспертизе

1. Гуральник А. К. и др. Устройство памяти ЦВМ. М., «Советское радио», 1976, с. 99 — 100.

2. Отчет МРП. Формирование полей ферритовых сердечников матриц и накопителей

ЗУ. Технологическая инструкция ЦЫ2.5201.

00008 ТИ. Астрахань, 1977 (прототип).

Способ формирования плоского блокапамяти ha ферритовых сердечниках Способ формирования плоского блокапамяти ha ферритовых сердечниках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх