Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов

 

Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов с помощью аннигиляции позитронов, содержащее радиоактивный источник позитронов, расположенный на подложке, и детекторы аннигиляционных гамма-квантов, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, устройство снабжено подложкой для установки образца, а подложка источника позитронов изготовлена в виде усеченного конуса, причем обе подложки выполнены из материала с атомным номером Zэфф 70.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиационной дефектоскопии, в частности, может быть использовано в рентгенотелевидении, рентгено-(гамма)-графии, нейтронографии и других методах радиационной дефектоскопии

Изобретение относится к рентгено-телевизионной технике и может быть использовано для целей неразрушающего радиографического контроля изделий и грузов

Изобретение относится к области неразрушающего контроля материалов и изделий, конкретнее к радиационной дефектоскопии, и может быть использовано для обнаружения малоконтрастных дефектов с помощью рентгеновских флюороскопов

Изобретение относится к регистрации быстропротекающих процессов

Изобретение относится к области радиационной интроскопии и предназначается для исследования вибропроцессов в непрозрачных объектах методами радиационной интроскопии

Изобретение относится к радиационной дефектоскопии, а точнее к устройствам для послойного рентгеновского контроля длинномерных клееных панелей типа "лист-лист", сотовых панелей и т.д

Изобретение относится к технике рентгеновской интроскопии, а именно к неразрушающему контролю и технической диагностике материалов и изделий, и может применяться в машиностроении, авиационной промышленности, энергетике, а также технике, используемой при досмотре багажа и ручной кладки пассажиров
Наверх