Аналоговое запоминающее устройство

 

Союз Советскик

Соцналистнческнк

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОЬРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1i i i 86() l 40 (6! ) Дополнительное и авт. сеид-ву Ni 711635 (Sl)M. Кл.

11 С 2700 (22) Заявлено 20. 12.78 (2! ) 2718712/18-24 с присоелииением заявки М (2З)Прнорнтетт11оуАарстиииый комитет

СССР

Io делам изобретеиий и открытий

Опубликовано 30.08.81. Бюллетень И 32

Дата опубликования описания 30.08.81 (53, УД К 681 327. .66 (088.8) (72) Авт ры изобретения

В. И. Бахотский и B. Н. Млааеттцев

1 .

Производственно-техническое предприятие Си ергопветмет (7I) Заявитель (54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в системах автоматического регулирования для интегрирования по времени дискретных сигналов, поступвюших с трехпозиционных регуляторов, в также длттеткного запоминания результатов интегрир ов ания.

По основному ввт. св. М 711635 известно аналоговое запоминаюшее устройство, используемое в системах автомвти10 ческого регулирования для интегрирования по времени дискретных сигналов, поступаюших с трехпозициснных регуляторов, и длительного запоминания результатов ин15 тегрирования. Это устройство выполнено ,на повторителе напряжения с бож шнм-обратным сопротивжнием управляюшего перехода и накопительном элементе, например, высокостабильном конденсаторе, 20 одна обкладка которого смдинена с шиной нулевого потенциала, и между шинами питания введены ключи, пассивные элементы, соединенные с шинами питания по мостовой схеме, в диагональ которого включены последоватетьно соединенные звряаный блок, нелинейные элементы и разрядный блок, BxoR которого соединен с выходом первого пассивного элемента, другая обкладка конденсатора соединена с выходом первого нелинейного элемента 1вхоаом второго нелинейного элемента и вхоаом повторителя напряжения, à вход второго зарядного блока подключен к унравляюшему выходу второго пассивного элементами, Однако для обеспечения длительного запоминания результатов интегрирования нелинейные элементы в устройстве доакны быть с самыми минимальными обратными токами, так как они в режиме запоминания находятся под обратным напряжением, при чем это напряжение постоянно меняется в зависимости от величины напряжения на обкладках накопительного элемента, а. значит и меняются обратные токи через нелинейные элементы. Эти токи влияют на величину потенциала на обкладках накопитеж ного элемента, т.е. они влияют нв алитель8601 нос.ть (ло;л-:.1 ..;ранения информации, и чем больше будут; —, и токи, тем больше будет скорость изменения потенциала на обкладКВх kîêîïèòeÿíîãî элемента, значит мень-. ше будет время хранения информации.

Uemь изобретения «увеличение времени хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминаюшее устройство введены пва эмиттерных повторителя при 0 чем вход первого эмиттерного повторителя нопключен к выходу повторителя напряжения, а выход подключен к зарядному блоку, вход второго эмиттерного повторителя подключен к нагрузочному элементу, а выхоп подключен к разрядному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторителя напряжения, а выход — ко входу второго эмиттерного повт орите ля.

На чертеже препставлена принципиаль20 на я схе м а аналогового з апомина1ояего устройства.

Аналоговое запоминающее устройство содержит ключи 1 и 2, пассивные элементы 3 и 4, нелинейные элементы 5 и 6, 25 разряпный блок 7, зарядный блок 8, накопительный элемент 9, повторитель 10 напряжения, нагрузочный элемент 11, нелинейный элемент 12, эмиттерные повторители 13 и 14.

Нелинейный элемент 12 введен для того, чтобы снизить начальное напряжение на выходе устройства и сделать его равным илц несколько меньше напряжения HB обкладках накопительноГо элемента. Эмит- 35 терные повторители 13 и 14 выполнены на транзисторах разной проводимости вместо с подключенными к ним пассивными элементами 3 и 4, причем эмиттерный повторитель 14 на транзисторе обратной 40 проводимости повторяет выходное напряжение на нагрузке, которое на незначительную величину меньше напряжения на обкладках накопительного элемента, а эмиттерный повторитель 13 на транзисторе прямой 4s

40 4 проводимости повторяет напряжение стокисток повторителя 10 напряжения. За счет этого выравниваются потенциалы входа и выхода нелинейных элементов 5 и 6, т.е. практически уменьшаются в несколько раз обратные напряжения иа этих элементах в режиме запоминания, а поэтому уменьшаются обратные токи через эти элементы. Зто позволяет увеличить время хранения информации в два раза по сравнению с, известным устройством. Погрешность запоминания предлагаемого устройства составляет 0,25 В/ч во всем диапазоне изменения выходного напряжения.

Использование изобретения позволяет увеличить время хранения информации, а также применять в качестве нелинейных элементов вместо дорогостоящих полевых транзисторов, включенных по диодной схеме, более дешевые точечные кремниевые ди оды.

Формула изобретения

Аналоговое запоминающее устройство по авт. св..". 711635, о т л и ч а ю— ш е е с я тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в устройство введены два эмиттерных повторителя, причем вход первого эмиттерного повторителя подключен к выходу повторителя напряжения, а выход подключен к зарядному блоку, вход второго эмиттерного повторителя подключен к нагрузочному элементу, а выход подключен к разрядному блоку, и нелинейный элемент, вход которого подключен к выходу повторителя напряжения, а выход - ко входу второго эмиттерного п ов тори те ля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М. 711635, кл. G 11 С 27/00.

860 140

Составитель В. Муратов

Техред И.Голинка Корректор С. Щомак

Редактор Л. Филь

7556/32 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаа наб., д. 4/5

Заказ

Филиал ППП Патент», r. Ужгород, ул. Проектнаи, 4