Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках

 

О П И С А Н И Е (862235

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 07.01.80 (21) 2865385/18-24 с присоединением заявки № —— (23) Приоритет—,(51) М. Кл.з б 11 С 5)12

Государственный квинтет (53) УДК 681 327.6 (088.8) Опубликовано 07.09.81. Бюллетень №33 по делан нзооретеннй н открытий

Дата опубликования описания 12.09.81

Н. И. Бавыкин, В. Т. Граница, H. В. Замирец, H. Н. Канатчиков и Л. Т. Лысь (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВ,ЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЕИ

ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ П,ЛЕНКАХ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исполь- . зовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известны способы изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП (1) и (2) .

Один из известных способов (1) заклю-. чается в последовательном размещении на основании накопителя отдельных матриц

ЦМП.

Недостаток этого способа состоит в том, что с увеличением количества матриц возрастает число связей и паек между ними, снижается технологичность изготовления накопителей и их надежность.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП, заключающийся в закреплении числовых обмоток, образующих соленоиды, на изолирующих пластинках, выполненных, например, из текстолита, и закреплении их на основании, например, с помощью приклеивания, заполнении соленоидов стержнями с ферромагнитным покрытием, образовании разрядных обмоток накопителя путем соединения близлежащих концов с"ержней с ферромагнитным покрытием в разряде (2).

Недостатком способа является сложность соединения в разрядные обмотки накопителя близлежаших в разряде стержней друг с другом, высокая трудоемкость этого процесса и трудность его механизации.

Целью изобретения является упрощение изготовления накопителя и повышение его надежности.

Поставленная цель достигается тем, что по предложенному способу изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП перед соединением концов стержней с ферромагнитным покрытием все концы четных стержней с одной стороны и всех нечетных с другой

i S стороны накопителя загибают и стыкуют по разрядам с близлежащими незагнутыми концами стержней с ферромагнитным покрытием, а соединение произвадят с помощью сварки.

На фиг. 1 изображен накопитель, йзготовленный по предложенному способу, общий вид; на фиг. 2 — стержень с загнутым на конце участком; на фиг. 3 — схема сты862235 ковки и соединения загнутых участков с незагнутыми концами близлежащих в разряде стержней.

Накопитель для ЗУ на ЦМП содержит основание 1, плетеные полотна 2 числовых обмоток 3, изолирующие пластины 4, стержни 5, покрытые ферромагнитной пленкой с загнутым на конце участком 6 и торцовые панели 7 с продольными прорезями 8.

Накопитель изготавливают следующим образом.

На основание 1 устанавливают изолирующие пластины 4 с закрепленными на них плетеными полотнами 2 числовых обмоток 3 и закрепляют на основании 1. Торцовые панели 7 устанавливают на основание 1, совмещают их прорези 8 с соосными им соленоидами близлежащих плетеных полотен 2 и скрепляют с основанием 1. На одном из концов стержней 5 образуют загнутый участок 6. Через ряды прорезей 8 на панелях 7 заполняют стержнями 5 соленоиды числовых обмоток 3. Загнутые участки 6 стержней 5 и их незагнутые концы в прорезях 8 располагают рядом. Стыкуют загнутый участок 6 с соответствующим ему в разряде незагнутым концом близлежащего стержня 5 и, удерживая их, соединяют стержни 5 в местах стыковки, например, сваркой, образуя разрядные обмотки накопителя я.

При температурном расширении (сжатии) стержней 5 каждые из них попарно соединенные загнутым участком 6 имеют возможность свободно перемещаться на концах в прорезях 8, устраняя тем самым возникновение механических напряжений индивидуально в каждом стержне.

Пример. Предлагаемый способ был опробован для изготовления накопителя оперативной памяти емкостью 256 чисел, 20 разрядов.

На основание накопителя устанавливали

8 плетеных полотен числовых обмоток матриц. Каждая матрица содержала 32 числовые обмотки на 20 разрядов. Обмотки выполнялись проводом марки ПЭВТЛК диаметром 0,08 мм и содержали 6 витков провода каждая. Между числовыми обмотками вплетали по 3 витка магнитного кипера.

На концах каждой матрицы выполняли

10 витков буферных обмоток.

Между плетеными полотнами устанавливали изолирующие пластины из текстолита толщиной 0 5 мм и скрепляли с ними клеем плетеные полотна числовых обмоток, а изолирующие пластины скрепляли клеем с основанием накопителя.

На основание накопителя устанавливали торцовые панели из ситалла, ширина прорезей на панелях составляла 0,3 мм.

Диаметр стержней, покрытых ферромагнитной пленкой и слоем защитного лакового покрытия, составлял 0,15 мм. Шаг между стержнями в соленоидах числовых обмоток плетеных полотен составлял 0,5 мм, а шаг между стержнями в разрядах — 3 мм.

Перед заполнением соленоидов числовых обмоток стержнями на одном из их концов изгибали участки длиной 5 мм под углом около 90 .

Сначала заполняли одну половину всех стержней через прорези на торцовой панели, а затем другую половину стержней — через прорези противоположной панели. При этом в прорезях панелей размещали рядом выступающие из соленоидов числовых обмоток загнутые участки и незагнутые концы близлежащих в разряде стержней. Стыковали загнутые участки стержней с соответствую15 шими им незагнутыми концами близлежащих стержней, удерживали места стыковки и соединяли стержни в местах стыковки лазерной сваркой.

Контроль соединения стержней в местах

20 их стыковки загнутых участков с незагнутыми концами осуществляли визуально с применением лупы восьмикратного увеличения.

В результате были получены разрядные обмотки накопителя со свободным переме25 щением концов спаренных стержней в прорезях торцовых панелей.

Предлагаемый способ изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП позволяет упростить операцию соединения в разрядные обмотки накопителя близлежащих в разряде стержней друг с другом, обеспечить для каждых стержней индивидуальное устранение механических напряжений, возникающих при их тепловом расширении (сжатии), т. е. упростить процесс изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП, повысить их качество и надежность работы.

Формула изобретения

Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, заключающийся в закреплении числовых обмоток, образующих соленоиды, на изолирующих пластинках, 45 выполненных, например, из текстолита, и закреплении их на основании, например, с помощью приклеивания, заполнении соленоидов стержнями с ферромагнитным покрытием, образовании разрядных обмоток

g0 накопителя путем соединения близлежащих концов стержней с ферромагнитным покрытием в разряде, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления накопителя и повышения его надежности, перед соединением концов стержней с ферромагнитным покрытием все концы четных стержней с одной стороны и всех нечетных с другой стороны накопителя загибают и стыкуют по разрядам с близлежащими незагнутыми

8б2235 концами стержней с ферромагнитным покрытием, а соединение проводят с помощью сварки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Григорян Л. А. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных планках. М., «Энергия», 1975, с. 90 — 92.

2. Авторское свидетельство СССР № 440699, кл. G 11 С 11/18, 1974 (прототип).

Редактор Л. Утехина

Заказ 6624/48

Составитель В. Вакар

Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко

Тираж 645 Подписное

ВНИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 t3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент>, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ПЗУ Х-конфигурации

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти

Изобретение относится к схеме для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором, первый вывод которого соединен с входным выводом схемы и второй вывод которого соединен с выходным выводом схемы и вывод затвора которого соединен через первый конденсатор с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором, первый вывод которого соединен с выводом затвора первого транзистора, второй вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора и вывод затвора которого соединен с первым выводом первого транзистора и со вторым конденсатором, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого транзистора, а второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, причем транзисторы являются МОП-транзисторами, выполненными, по меньшей мере, в одном тройном кармане (Triple Well)

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти

Изобретение относится к игровым системам и, в частности, к способам и средствам, позволяющим определять местоположение игрового устройства в казино
Наверх