Измеритель т-фактора и тока насыщения р-п переходов

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<п>873164

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 261279 (21) 2859393/18-25 с присоединением заявки HP (23) Приоритет

Опубликовано 15.10 81.6кзллетеиь NP 38

Дата опубликования описания 151081 (51)М. Кл.з

G 01 и 31/26

Государствеииый комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 382.2 (088. 8) / ««« (72) Авторы изобретения

В. В. Денисенко и A. П. Кухаренко

Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова (71) Заявитель (54) ИЗИЕРИТЕЛЬ m-ФАКТОРА И ТОКА НАСЬПЦЕНИЯ р-п-ПЕРЕХОДОВ

Изобретение относится к измерению параметров полупроводниковых приборов и предназначено для измерения m-фактора и тока насыщения р-п-переходов.

Известно устройство для измерения тока насыщения р-п-переходов, содержащее источники тока, амперметры и вольтметр Г1).

Недостатком этого устройства также 10 является большая погрешность измерений, обусловленная влиянием температуры окружающей среды.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является измеритель m-фактора и тока насыщения

15 р»п-переходов, содержащий амперметр, операционный усилитель, цепь обратной связи которого содержит клемма для последовательного включения испытуемого прибора, причем, инвертирующий вход усилителя соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилителя®

Недостатком данного устройства является высокая погрешность измерений, обусловленная влиянием температуры окружающей среды, вследствие чего данное устройство может быть использовано только совместно с термостатированной камерой °

Цель изобретения - уменьшение погрешности измерений, обусловленной влиянием температуры окружающей среды на результат измерений.

Укаэанная цель достигается тем, что в устройство, содержащее амперметр, операционный усилитель, цепь обратной связи которого содержит клеммы для последовательного включения испытуемого прибора, инвертирующий вход усилителя соединен с источником тока, второй вывод которого соединен с неинвертирующим входом усилителя, введен транзистор, эмиттер которого соединен с выходом операционного усилителя, база — с его неинвертирующим входом, а коллектор соединен с амперметром, второй вывод которого соединен с баэои транзистора.

Введение в устройство транзистора позволяет снизить погрешность изме- . рений, обусловленную влиянием температуры окружающей среды за счет взаимной компенсации температурных зависимостей тока насыщения .и теплового потенциала р-и-переходов измеряемого прибора и транзистора.

873164

Формула изобретения

Составитель В. Немцев

Техред Т.Маточка Корректор М. Шароши

Редактор Н. Воловик

Тираж 7rr15 Подписное

BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 9026/71

Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4 на чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Схема содержит источник 1 тока, операционный усилитель 2, транзистор

3, амперметр 4 и испытуемый прибор 5.

Транзистор 3 ббеспечивает компенсацию температурных зависимостей параметров измеряемого p-n-перехода испытуемого ппибооа 5..

Используя модифицированную модель

Эберса-Молла, можно показать, что 10 в устройстве при условии равенства температур измеряемого р- и -перехода и транзистора 3, значения тока измеряемые амперметром 4, а, следовательно, и искомые параметры < m не зави- 1$ сят от температуры.

Однако в реальных условиях вследствие локальных флуктуаций температурного поля воздуха не обеспечивается точное равенство температур испытуе- 20 мого прибора 5 и транзистора 3. Поэтому погрешность измерений не может быть снижена до нуля, но, как показывают испытания, уменьшается до 5% и практически не зависит от температуры о в диапазоне 10-40 С. У известного при изменении температуры окружающей среды на 10 С вЂ” в- = 360%; ф =.5Ъ.

Таким образом, изобретение позволяет снизить погрешность измерений, обусловленную влиянием температуры ! окружающей среды, в 7 раз на градус о при колебаниях температуры более 1 С.

Это дает возможность исключить необ— ходимость проведения измерений в термо ст ат ир о в ан ной камере или повысить т точность измерений в 7 раз,на градус при колебаниях температуры окружающей среды боЛее 1 С.

Измеритель m-фактора и тока насыщения р-п-переходов, содержащий амперметр, операционный усилитель, цепь обратной связи которого содержит клемма для последовательного включения испытуемого прибора, причем,инвертирующий вход усилителя соединен с источника тока, второй вывод которого соединен с. неинвертирующим входом усилителя, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью уменьшения погрешности измерений, обусловленной влиянием температуры окружакицей среды, в него введен транзистор,эмиттер которого соединен с выходом операционного усилителя, база — с его неинвертирующим входом, а коллектор соединен с амперметром, второй вывод которого соединен с базой транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Носов Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники..М., "Советское радио", 1976, с. 167.

2. Батаковский П.Д. и др. Особенности методики автоматического измерения параметров статической модели биполярных транзисторов. Изв.ЛЭТИ, 1976, Р 195, с. 49 (прототип).

Измеритель т-фактора и тока насыщения р-п переходов Измеритель т-фактора и тока насыщения р-п переходов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх