Устройство установки схем цифровой автоматики в исходное состояние

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

N АВТОРСТВ©МУ СВ ТЕЛЬСТВУ

Сеюэ Сееетскнк

Сециаинстюмкиик

Ркеубек

<>873390 (61) Дополнительное и авт. сеид-ву (221 Заявлено 0304,78 (21) 2604970/18-21 (51)М. Кл з

Н 03 К 3/286//

Н 03 К 3/57 с присоединением заявки Й9 (23)Приоритет,.

Гвсуяеуственяыя «виятет

СССР

II0 явави язвбРФтвння я ет«рытяя

Опубликовано 15.1081. бюллетень Нт 38 (53) УДК 621. 327 (088.8)"

Дата опубликования описания 151081

P 2) Автори изобретения

В.С.Заика, С.Б.Школык (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО УСТАНОВКИ СХЕМ ЦИФРОВОЙ

АВТОМАТИКИ В ИСХОДНОЕ СОСТОЯНИЕ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть испольэовано в схемах цифровой автоматики.

Известно устройство установки схем цифровой автоматики в исходное состояние при включении источннКа питания, содержащее реэистивный мост, одно плечо которого зашунтиро« вано конденсатором, .причем в одну. его диагональ включен источник. питания, а во вторую - компаратор.,:к выходу которого подключен формируМщий каскаде

Недостатками этого устройстэа является то, что нормальная работа .. 15 этоМ усцюйства при включении.источ-.. ника питания или кратковременийх пропаданиях напряжвиия-питанйя.обес-печивается лйшь в,.тех случаях, когда нарастание значения.: нанря- ур жейия. праисжщт{т за время, ви!иьвтее постоянибй времени цени .мос-та с,. конденсатором, а уменьшение значения напряжения происходит за время, большее ностояйной.времени 25 цепи моста с конденсатором. Kpeiee того, уотрОйство обладает относительной ,слбжиостью.

Известно также устройство, содержащее транзистор, база которого через З1) первый резистор соединена с первой линией питания, через второй резистор — со второй шиной питания, эмиттер соединен с катодом стабилитрона и через третий резистор со второй шиной питания, через конденсатор — с первой шиной питания и с анодом стабилитроном, коллектор транзистора соединен с управляющим электродом тирнстора.

Недостатком устройства является недостаточная технологичность.

Цель изобретения — улучшение технологичности устройства.

Цель достигается тем, что в устройство, содержащее диод, катод которого соединен с первой шиной питания, анод через первый резистор .- со второй шиной питания, которая соединена с катодом стабилит- . роиа, анод которого через второй резистор соединен с первой шиной нитания, первый транзистор, база которого соединена с анодом диода, коллектор — с выходом устройства, введен второй транзистор, обратного типа проводимости но отношению к первому транзистору, база которого сое.динена с анодом стабилитрона, эммиттер — с эмиттером первого транзис873390 тора, коллектор — с первой шиной питания.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Схема содержит диод 1,катод которого соединен с первой шиной питания 2, анод через первый резистор 3 — со второй шиной питания 4, которая соединена с катодом стабилитрона 5,анод каторого через второй резистор 6 соединен с шиной 2, первый транзистор

7, база которого соединена с анодом диода 1, коллектор - с выходом устройства, эмиттер — с эмиттером второго дополнительного транзистора

8, база которого соединена с анодом стабилитрона 5, коллектор — с шиной

2.

Устройство установки схем цифровой автоматики в исходное состояние работает следующим образом.

При нарастании напряжения от нуле- 20 вого значения до номинального на потенциальном выходе источника питания, питающего также схемы цифровой автоматики, происходят следующие процессы в устройстве установки схем д5 цифровой автоматики в исходное состояние.

До достижения напряжением значения, равного значению максимально допустимого постоянного обратного напряжения стабилитрона 5, через последний протекает постоянный обратный ток, значение .которого мало, а соответственно значение сопротивления стабилитрона 5 велико, и, как следствие, напряжение, приложенное к делителю, состоящему из стабилитрона 5 и второго резистора 6, выделяется на стабилитроне 5, а падение напряжения на втором резисторе б близко к нулевому значению. 40

В то же время уже при значениях напряжения на потенциальном выходе источника питания, меньших значения порогового напряжения полупроводникового диода 1, большая часть тока, протекающего через первый резистор

3, далее протекает через переход база — эмиттер первого транзистора 7 на эмиттер второго транзистора 8.

Сюда же протекает ток нагрузки по цепи коллектор-эмиттер первого транзистора 7. Далее ток протекает на .общую шину источника питания, причем меньшая часть — по цепи переход база-эмиттер второго транзистора 8, а большая часть — по цепи эмиттерколлектор второго транзистора 8.

При этом первый транзистор 7 находится в режиме насыщения, а второй транзистор 8 — в усилительном режиме с малым значением напряжения между 40 базой и коллектором, равным падению напряжения на втором резисторе

6. Эти режимы первого 7 и второго 8 транзисторов сохраняются вплоть до достижения на потенциальном выходе источника питания зыачения напряжения, равного значению максимально допустимого постоянного обратного напряжения стабилитрона 5.

Увеличение значения силы тока нагрузки, происходящее одновременно с нарастанием значения напряжения на потенциальном выходе источника питания, не приводит к какому-либо осуществленному увеличению напряжения на коллекторе первого транзистора

7, так как режим насыщения первого транзистора 7 поддерживается одновременно происходящим нарастанием значения силы тока, протекающего через первый резистор 3, большая часть которого далее протекает в базу первого транзистора 7. Не происходит также существенного увеличения напряжения на эмиттере второго транзистора 8 из-за увеличения тока нагрузки, так как это увеличение происходит лишь за счет увеличения падения напряжения на втором резисторе б и переходе база-эмиттер второго транзистора

8 от. протекания по этой цепи тока базы второго транзистора 8, который составляет незначительную часть тока нагрузки. Таким образом, нелинейный характер цепи, по которой протекает ток нагрузки, способствует поддер-. жанию требуемого малого значения напряжения на коллекторе первого транзистора 7 от тока нагрузки при нарастании значения напряжения на потенциальном выходе источника питания, а соответственно и на стабилитроне 5 вплоть до значения, равного значению максимально допустимого постоянного обратного напряжения стабилитрона 5 °

Дальнейшее нарастание значения напряжения на потенциальном выходе источника питания приводит к пробою стабилитрона 5, резкому увеличению тока через стабилитрон 5, увеличению падения напряжения на втором резисторе 6, увеличению значения напряжения на эмиттерах первого 7 и второго 8 транзисторов, увеличению зна Чения напряжения на базе йервого транзистора 7 до уровня,ограничиваемого прымым падением найряжения на полупроподниковом диоде 1, увеличению тока, протекающего через полупроводниковый диод, и уменьшению тока, протекающего через переход база-эмиттер, первого транзистора 7. Как следствие это приводит к резкому излому характеристики выходного напряжения на коллекторе первого транзистора 7 г при токовой нагрузке от изменения напряжения источника питания. Резкий излом характеристики происходит вследствие того, что почти все приращение напряжения источника питания передается через стабилитрон 5 на второй резистор б, при этом первый и второй транзисторы запираются.

87ЗЗ90

Составитель Ю.Фнрстов

Техред И.Надь . Корректор Г.Огар

Редактор Е.Дорошенко

Заказ 9070/83 Тираж 991

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Подписное

Филиал ППП Патент", п.Ужгород, ул.Проектная,4

Для нормальной работы устройства установки схем цифровой автоматики в исходное состояние необходимо, чтобы сумма значений максимально до йустимого постоянного обратного напряжения стабилитрона 5 и порогового напряжения диода была меньше номинального значения напряжения источника питания, но достаточной для нормальной работы схем цифровой автоматики.

Для нормальной работы устройства установки схем цифровой автоматики в исходное состояние необходимо также, чтобы супса значений напряжений на переходах база-эмиттер первого 7 и второго 8 транзисторов была меньше значения порогового напряжения диода 1.

Значение сопротивления первого ре зистора 3 выбирается таким, чтобы ток, протекающий через этот резистор с учетом нелинейного шунтирующего влияния диода 1 обеспечивал режим насыщения первого транзистора 7 до достижения на потенциальном выходе источника питания значения напряжения достаточного для нормальной работы схем цифровой автоматики.

Улучшение технологичности достигается эа счет исключения тиристора и конденсатора при неизменно высокой нагрузочной способнОсти.

Предложенное устройство может быть исполнено иа одном кристалле и применяться в бортовых системаХ цифровой автоматики.

Формула изобретения устройство установки схем цифровой автоматики в исходное состояние, содержащее диод, катод которого соединен с первой шиной питания, анод через первый резистор - со второй шиной питания, которая соединена с катодом стабилитрона, анод которого

15 через второй резистор соединен с первой шиной питания, первый траизистор, база которого соединена с анодом диода, коллектор — с выходом устройства, о т л и ч а ю щ е е с я

20 тем, что, с целью улучшения технологичности устройства, в него введен второй транзистор, обратного типа проводимости по отношейию к первому

i база которого соединена с анодом стабилитрона, Эмиттер - e эмиттерои первого транзистора, коллектор - с первой шиной питания.