Терморезистор

 

Ю. А. Тхорик, Ю. М. Шварц, В. B. Митин, Д.

О. А. Миронов н С. В. Чистяков (72) Авторы изобретения

Институт полупроводников AH Украинской CCP (71) Заявители радиофизики и -электроники АН Украинской СС (54) ТЕРМОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к технике, температурных измерений, в частности к полупроводниковым терморезисторам, и может найти применение при измерениях криогенных температур.

Известны полупроводниковые термореэисторы, выполненные иэ монокристал- ла полупроводника Щ,(2).

Такие термореэисторы не обеспечивают достаточной точности измерений в î широкой области криогенных температур.

Известен также терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым

15 слоем и контакты (31.

В этом терморезисторе термочувствительный полупроводниковый слой состоит из 80Х кремния и 20Х германия.

Недостатком терморезистора является значительное изменение чувствительности при изменении температуры в небольших пределах. В результате такими терморезисторами можно измерять температуру с высокой точностью лишь в небольшом интервале температур.

Целью изобретения является расширение диапазона измеряемых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора Во всем диапазоне.

Поставленная цель достигается тем, что в терморезисторе, содержащем подложку с нанесенньзи на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германия, а подложка изготовлена из монокристаллического полупроводника. Предпочтительно пара- метр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германия.

Терморезистор работает следующим образом.

Я

Изменение температуры приводит к изменению .сопротивления пластически

t деформи Ьванной пленки германия. Воз87945

3. 8 никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают появление проводимости по примесям в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германия р-типа) . Сильная температурная зависимость проводимости по примесям к валентной зоне обеспечивает высокую термочувствительность преддагаемого термореэистора в диапазоне 4,2-300. К.

Для согласования сопротивления терморезистора с входным сопротивлением регистрирующего прибора толщину пленки следует выбирать в диапазоне

l-50 мкм. В качестве материапа подложки могут быть выбраны арсенид галлия и кремний. Контакты могут быть выпол-, нены иэ индия

Предлагаемый терморезистор может найти применение в широкодиапазонных устройствах для измерения температу4 ры, например в системах контроля тех нологических параметров.

Формула изобретения

Терморезистор, содержащий подлож- ку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона из- . меряемых температур при сохранении

10 высокой чувствительности термореэистора, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированнои пленки германия, а подложка изготовлена иэ монокристаллического полупроводника.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе !. Авторское свидетельство СССР

У 247554, кл. G Ol К 7/16, 1969. уе 2. Авторское свидетельство СССР

У 301571, кл. G 01 К 7/22, 1971.

3. Авторское свидетельство СССР

Ф 478202, кл. G 01 К 7/16, 1974 (прототип).

Коовектоо M. Коста

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Ю. Андрианов

Редактор О. Филиппова Texpeg Ж.Кастелевич

Заказ 10713/9 Тираж 910

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва И-35> Раушская наб. д. 4 5