Способ тепловой дефектоскопии изделий

 

О П И С А Н И Е „ 890203

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

Ф и (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.04.79 (21) 2774902/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (5l) М. Кл.

G 01 N 25/72

Гооударотееииык комитет

Опубликовано 15.12.81. Бюллетень № 46

Дата опубликования описания 25.12.81

IIo делам изобретеиий и открытий (53) УДК 536.6 (088.8) (72) Автор изобретения

В. А. Дятлов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ТЕПЛОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий, а точнее к способам тепловой дефектоскопии, и может быть,использовано для обнаружения дефектов в изделиях из фотопроводников (фоторезисторы, фототриоды, солнечные батареи и пр,).

Известен способ тепловой дефектоскопии, основанный на поверхностном нагреве изделия с последующим исследованием теплового поля поверхности изделия (1).

Однако этот способ позволяет, в основном, обнаруживать только приповерхностные дефекты.

Наиболее близким к предлагаемому является способ тепловой дефектоскопии, основанный на внутреннем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов (2).

Однако известный способ не обеспечивает достаточно высокой выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников в случае близких значений электропроводности дефектных областей и материала изделия., 2

Целью изобретения является повышение выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу тепловой дефектоскопии, основанному на внутреннеем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока.

Поскольку дефектная область и материал изделия обладают различными фотоэлектрическими свойствами, то при облучении изделия светом, т.е. электромагнитными волнами в диапазоне 10 — 15000 нм, разница в электропроводности дефектных областей и материала изделия возрастает, что приводит к увеличению перепада температур в области дефекта и, тем самым, обеспечивает повышение выявляемости дефектов. 6 Пример 1. Проводят дефектоскопию батареи пленочных фотоэлементов из сульфида кадмия (солнечная батарея) . Через фотоэлементы пропускают электрический ток

890203

Формула изобретения

Составитель С. Беловодченко

Редактор .. Тимохина Техред А. Бойкас Корректор Г. Назарова

Заказ 10951:/69 Тираж 910 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и от крытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 силой 0,1 А и при этом их облучают светом, вызывающим изменение протекающего электрического тока примерно в 1,5 раза, при освещенности, эквивалентной 100 мВт/см солнечного спектра. Распределение температуры регистрируют известным способом с помощью радиометра. Перепад температур в области обнаруженных дефектов (области нарушения качества контакта полупрозрачного электрода с пленкой сульфида кадмия) при дефектоскопии по предлагаемому способу в 2 — 2,5 раза превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа (без облучения светом) .

Пример 2. Проводят дефектоскопию керамических заготовок для пьезодатчиков из BaTiO. Через заготовки пропускают электрический ток силой 50 мкА и при этом их облучают светом от ртутной лампы ДРТ—

1000 при длине волны 100 — 600 нм. Перепад температур в области обнаруженных дефектов (включения двуокиси титана) при дефектоскопии предлагаемым способом в 2 — 5 раз превышает перепад температур в тех же областях в случае применения известного способа.

Предлагаемый способ обеспечивает повышение выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников благодаря увеличению различия в электропроводности дефектных и бездефектных областей изделия. Причем с увеличением фоточувствительности материала изделия возрастает и выявляемость дефектов. Использование предлагаемого способа обеспечивает своевременную разбраковку изделий, что способствует увеличению сроков эксплуатации и надежности устройств, в которых используются контролируемые изделия из фотопроводников. о

Способ тепловой дефектоскопии изделий, основанный на внутреннем нагреве изделия путем пропускания через него электрического тока, регистрации распределения температуры поверхности изделия и суждении по ней о наличии дефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения выявляемости дефектов в изделиях из фотопроводников, одновременно с нагревом изделие облучают светом, вызывающим изменение протекающего через изделие электрического тока.

Источники информации, принятые вс внимание при экспертизе

1. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры. Под з» ред. Б. Е. Бердичевского. М., «Советское радио», 1976, с. 128 — 129.

2. Капиллярные и тепловые методы неразрушающего контроля. Под ред. А. К. Денеля, часть 2, «Тепловые методы», М., ОНТИВИАМ„

1976, с. 47 (прототй п).