Способ изготовления керамических деталей

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскнн

Соцналнстнческнн

Республнк

<и 894812 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.03.80 (21) 2921421/18 21 с присоединением заявки М— (23) Приоритет— (53)M. Кл.

Н 01 J 9/00

3Ьсударствкнный комитат

СССР но делам изобретений н открытий

Опубликовано 30.12 81. Бюллетень J4 48

Дата опубликования описания 30.12.81 (53) УДК 621.385. .032 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. М. Морозов, 10. Г. Малынин и В. Г. Гостиев (7I) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ

ДЕТАЛЕЙ

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения антидиттатронного покрытия на поверхности керамических изоляторов электровакуумных приборов (ЭВП) .

Известен способ получения изготовления керамических деталей с антидинатронным покрытием путем нанесения на ее поверхность слоя диэлектрика, например, нитрида бора, с последующим закреплением его в защитной среде при 700 — 1400 С (1).

Недостатком данного покрытия является сравнительно высокое значение коэффициента вторичной электронной эмиссии, что не устраняет опасности возникновения вторично-элект1S ронного разряда.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ изготовления керамических деталей, например, материала

20 окна вывода энергии электронного прибора иэ глиноземистой керамики, путем нанесения на его поверхность тонкой пленки борнда титана толщиной 500 А (2I.

Недостатком способа является то, что покрытие из борида титана вызывает значительюе возрастание высокочастотных потерь из-за низкого значения удельного электросопротивления, что приводит к недопустимо высокому разогреву дтэлектрической детали в процессе работы СВЧ прибора и плохому согласованию вывода энергии с СВЧ-трактом.

Цель изобретения — сохранение диэлектри. ческих свойств керамики с антидинатронным покрытием.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления керамических деталей с антидинатронным покрытием для электронных приборов путем нанесения на поверхность детали пленки борида переходного материала 1Ч вЂ” Ч! групп периодической системы элементов, деталь после нанесения покрытия подвергается термообработке в атмосфере водорода с содержанием паров воды (1,5 — 3,0)% н10 мм рт. ст. при 600 — 900 С в течение

2 — 5 мин.

Указанные пределы содержания паров воды в атмосфере водорода и температуры от8948

Составитель Г. Жукова,.

Редактор В, Пилипенко Техред Т.Маточка Корректор Г. Назарова

Заказ 11501/83 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 жига определяются требованием обеспечения

КВЭЭ на уровне Ь„а„= 1,3 — 1,4 и диэлектрических параметров, близких к тактовымдля керамики без покрытия. Это достигается тем, что в процессе взаимодействия материала покрытия с парами воды в атмосфере водорода происходит образование стеклофазы с диспер.гированными в ней частицами борида. Увеличение температуры и влажности вышеуказанных пределов приводит к увеличению содержания окисла переходного материала в материале покрытия, что отрицательно сказывается на вторично-эмиссионных параметрах. Понижение температуры и, влажности ниже укаэанных пределов приводит к недостатку стеклофазы и как результат — к ухудшению диэлектри- ческих свойств. е

Пример. Детали из высокоглиноэемистой керамики предварительно подвергаются ультразвуковой очистке по типовой техно20 ногин, после чего на их рабочую поверхность методом ионно-плазменного распыления наносится антидинатронное покрытие из диборида ," титана толщиной 300 — 500 R, а затем проводят термообработку в атмосфере водорода с со25 держанием паров воды 2 ° 10 мм рт. ст. при

800 С в течение 3 мин.

В качестве материала для антидинатронного покрытия используют диборид титана. Однако известно, что дибориды переходных материалов

IV VI группы периодической системы элемензо тов обладают структурой с довольно высоким заполнением объема, причем атомы бора можно рассматривать как внедрение в междоузлия гексагональной решетки из более крупных атомов металла. Это делает дибориды похожими на типичные фазы внедрения и определяет своеобразие их физико-технических свойств, в частности металлический тип проводимости, 12 4 близость вторично-эмиссионных параметров и характера окисления, Это дает основания распространить полученные результаты на дибориды IV — VJ групп периодической системы элементов.

Получение покрытия снижает КВЭЭ высокоглиноземистой керамики до величинъ|б

1,3 — 1,4, не ухудшает диэлектрических свойств керамики (e и tg5), сохраняя их практически на том же уровне, что и для керамики без покрытия, обладает стабильностью свойств в процессе типового технологического цикла изготовления изделий и обеспечивает устранение вторично-электронного разряда на ряде образцов электровакуумных приборов СВЧ.

Формула изобретения

Способ изготовления керамических деталей с антидинатронным покрытием для электронных приборов путем нанесения на поверхность детали пленки борида переходного металла IVVl групп периодической системы элементов, отличающийся тем, что, с целью сохранения диэлектрических свойств керамики, деталь после нанесения покрытия подвергается термообработке в атмосфере водорода с содержанием паров воды (1,5 — 3,0) ° 10 1 мм рт.ст. при 600 — 900 С в течение 2 — 5 мин.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР Р 231005, кл. Н 01 J 5/10, 1967.

2, Show В. А., Hendry F, Thin Films in

Wicroware Tubes, 1ЕЕЕ Conference Record of

1966 Eighth Conference on Tube Technigues, р. 132 — 136.