Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала

 

Союз Советскик

Социапистическик

Реснублик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (iI)896581 (6l ) Дополнительное к авт. саид-ву (22)Заявлено 12.08,77 (21)2517171/18 21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 07.01.82. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 10.01.82 (51)М. Кл.

G 01 тт 27/08 (аеударстаеииый коиитет по делам изобретений и открытий (53) УДК 621 . .3 17.33 I

> н (088.8) (72) Авторы изобретения

В. А. Шмидт и Н. А. Соболев

Ордена Ленина физико-технический инст им A. ф. Иоффе (7l ) Заявитель (54) СП(СОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТАТИСТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к метрологии и стандартизации и может быть использовано в металлургической, электротехнической и электронной промышленности при определении статистических параметров

5 удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур.

Известен четырехзондовый способ определения удельного сопротивления полупроводникового материала с размешени10 ем зондов-иголок на плоской шлифованной поверхности полупроводника по вершинам квадрата так, что зонды перпен- ° дикулярны поверхности, а перпендикулярная поверхности ось симметрии зондов проходит через выбранную точку поверхности. В способе пропускают через зонды, расположенные на одной стороне квадрата, электрический ток заданной величины и измеряют падение напряжения . между зондами, расположенными на противоположной стороне квадрата; по измеpeHHbIM значениям тока и геометрических размеров полупроводника вычисляют усредненную по объему, вытянутому вдоль поверхности полупроводника в направле- нии перпендикулярном линии потенциальных зондов, реализацию удельного сопротивления материала в окрестности выбранной точки (1).

Однако вытянутость области усреднения обусловливает зависимость возмож- ° ного значения (реализации) удельного сопротивления в окрестности выбранной точки or ориентации зондовой системы.

Иными словами, удельное сопротивление неоднородного материала в окрестности выбранной точки при усреднении по вытянутому объему представляет собой случайную величину, а определяемое указанным способом возможное значение в метрологическом смысле недостоверно ввиду отсутствия сведений о дисперсии.

Наиболее близок к предлагаемому четырехзондовый способ измерения удельного сопротивления полупроводникового материала с размешением зондов на поверхности по прямой, заключакнцийся в том, что па плоскую ихи ова(тную поверх:ность неодноГ)одного полупроводнике устанавливают систему из четырех т оч::((ых зондов, представля)ощих собой меTB)LJBj÷åские иголки, расположенные в Оц то.:j 0==-... кости «а равном расстоя(п(и др»Г от,;)у—

Га Тан Ч» 0 0 Иъ)МЕТОД(OFrg Di-, i:=i »П -. .=:

AKK7JllRPILB ПОВРР2СРОС ч И П)О(" ОДЧТ "(Е(- =

Выбранну)0 точку поверхно тii„ iioo-;óc)IB,OT через крайттие зонды ",ок заданной вел)(» чины, измергпот падение напряжения мэж=ду средними зондами, по измеренным зна-. чениям ""îêà и ()апр)яжения с учетом рас —. стояния между зондами и геометриче--)"ки.( размеров полупроводклха вь(:»исля.от,с-.:

) >; редненную по объему, вытянутому вдоль поверхности неоднородного т(о)тупрово)(нк: ка в направлении перпендтпулярном )I)L . нии зондов, ревлизвцию уцельного сопротивления неоднородного материала в ок) рестности выбранной точки ) 2 ).

Однако и в e Toi. случае реализация недостоверна.

Пель изобретеьптя — определение до= стоверного значения удельного сопро .Ив=пения неоднородного материала в окрестРОСТИ БЬ»ОГ а»(т(»01(Т чк И, У)» ЕНЬУ(»2(Г(Г. Ь iiнч.. ния неоцеоооцно т"" ь48тер)иа)та на „.;-" ."=:."ль.тат измерения и получение характеристики степени неоднородности материала„повышение точности измерения в окрестности выоранной то=п:.и и расширение диапв: зона измеряемь(х удельных соi)poтивл:= ний в сторону больших значений, )(Оставленная цель дОстиГвется ТеМ. что в способе определения статистических

ПаРаМЕTPOB -»ДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУ-проводникового vi&териапа, заключающем: ся в том, iTO L,".B плоскую шлифовальн;»то р) ", поверхность неоднородi-".Oãî т(ол у)п)овод)) и:=ка устанавливают систему из четырех Точечных зондов, представляющих собой металлические иголки,, расположенные в одной плоскости на равном расстоянии друг от друга так,, что ось симметрии зондов перпендикулярна поверхности и проходит через выбранную точку поверхности„пропуска(от через крайние зонды пОстОянный тОк заданной величиныр изме ряют падение напряжения между средними П зондами по измеренным значениям тока и напряжения с учетом расстояния между зондами и геометрических размеров по.-лупроводников вычисляют усредненную по объему, вытянутому вдоль поверхности M неоднородного полупроводника в направлении перпендикулярном линии зондов, реализацию уцельного сопротивления в ок-рестности выбранной то- ти из бесконечного счетного мно)кества возможных знаE» . i (()(сопро т1(е ) (ет()(я Б Окрас тнос ти Выб раиной точки Îтбис)а)0(„", воз((0))цтых знаЧеи!(:(.. О!))ОЯЗУтоШИХ (»РЕДСт B)B)тт ЕЛЬНУЮ ВЫ борь -(н)о совоку) нос (,;::: ч-.го систему зонцов поворачив(ют ).. (.-г .> )(симмет,о ри)» »с BBgBHFL(ä.,» угл»>в»ь„. »»,>,,i B 3»» »

FI ДЛЯ К а))(Ц ОГО ф ИК С((Р ")" e» 1 ОГО Li 0 go)((Е))И((Я

Облв с ти усь) едн ения Определяют р еализа-. пию уцельного сопротивления неоднородного материала в окрестности выбранной точки, и по полученнь(м ) (реализациям удельного сопротивления выборки по углово):.»у перемещению вь)- исляют дисперсию уди(ьного сопро п(в)(ения D OKpec тности

Рь(брат(ной(точки и среднее удельное сопротивление выборки с у",»еньшением в )) раз дисперсий, На чертеже показа(-..0 р»аст(оложение зон, .-;Ов на поверхности )(От(»)(ро)»одника и О(»)т ас ) )(ус))едн еч (тя () ри оi(0 ei i el I e)iи)(с тB,— тистических параметров удельного сопротивления предлагаемым способом токовые зонды > потенциальные зонды 2, образец 3, облас»ь 4 vcpeg()eFIFI)), область

5 растекания токов» поверхнОсть 6 пОлусопротивления Fieogiiopo)(F!Oio ма!ериала в окрестности выбранной точки от ориентаiIKH область усреднения(,;» "1e)II-,F(oe сопро тивление в окрв )п»l»cт ;)>)()рe!Ин»0((точки очрелр))"-(еУс» 6ec)iol(е -)н);:i!, .—: i::.." HI»L(»i IvEHO жеством его возможных:зна»((»)т)(й. Практически ri)is(Определения статистических параметров удельного сопротивления (генеральной дисперсии и ге)(ерапь()от 0 сpс . диего) необходимо располагать конечным ..-— .(И»-;ЛОМ ВОЗ).,)0)КНЬ(Х ЗиаЧЕ)П(й (Кот;(Р Ь(Е МО т ут Гь(т» отобраны из бесконечного MHGжества приемов, обеспечивающих случайность отбора и получение представительной вь)борки, Такой отбор может быть осуществлен многократношаговь)м изморением возмОж ных реализаций при вращении системы зоНдоВ с угловым шагом 36G

И

ГДЕ ) ) - ЧИСЛО ИЗ(:(Е))Е)»(ИЙ„, ("рецнее удельное cо)п:)О:.(-:(твлен((е и цисперсии выборки определя. ;опоя ПО формулам

5 8965 где f. — реализация удельного сопротивления в окрестности выбранной гочки в измерении; и - объем выборки.

Использование предлагаемого способа обеспечивает по сравнению с известными способами определение достоверности значения удельного сопротивления в окрестности выбранной точки; при заданной надежности повышение точности определения; о выделение дисперсии неоднородности, обусловливаюшую в известных способах дополнительную погрешность и увеличивающую с ростом измеряемого удельного сопротивления, характеристику степени неоднородности полупроводникового материала по направлениям, проходяпцпл через выбранную точку.

Формула изобретения

Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала, заключающийся в том, что на плоскую шлифовальную поверхность неоднородного полупроводника устанавливают систему из четырех точечных зондов, представляющих собой металлические иголки, расположенные в одной плоскости на равном расстоянии друг от друга так, что ось симметрии зондов перпендикулярта поверхности и проходит через выбранную точку поверхности, пропускают через крайние зонды поверхностизЗ ток заданной величины, измеряют падение напряжения между средними зондами, по измеренным значениям тока и напряжения с учетом расстояния между зондами и геометрических размеров полупроводников вычисляют усредненную по объему, вытянутому вдоль поверхности неоднородного, полупроводника в направлении перпендикулярном линии зондов, реализацию удельного сопротивления в окрестности выбранной гочки, о г л и ч а ю шийся тем, что, с нелью определения достоверного значения удельного сопротивления неоднородного материала в окрестности выбранной гочки, уменьшения влияния неоднородности материала на результат измерения и получения характеристики степеGa неоднородное ги материала, повышения точности измерения в окрестности выбранной точки и расширения диапазона измеряемых удельных соцро гивлени и 8 с торону больших значений, из бесконечного счетного множества возможных значений удельного сопротивления в окресгнОсти выбранной точки отбирают и возможных значений, образуккпих представительную выборочную совокупность, для чего систему зондов поворачивают вокруг оси симметрии зондов с заданным угловым шагом на ЗОО и для каждого фиксирующегo положения области усреднения определяют реализаци|о удельного сопротивле» ния неоднородности материала в окрестности выбранной точки и по полученным тч реализациям удельного сопротивления выборки по угловому перемещению вычислтцот дисперсию удельного сопротивления в окрестности выбранной гочки и среднее удельное сопротивление выборки с уменьшенной в ч раз .дисперсией, где И - число измерений.

Ис гочники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Батавии В. В., Пантуев В. И., Прилипко B. И.— Измерительная техника, 1974., M 11, с. 71-72.

2. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов W, Высшая школа, 1975, с. 5-16

896581

Составитель Л. Сорокин

Редактор Н. Безродная Техред М.Рейвес Корректор., Г. Назарова

Заказ 1 1 692/35 Тираж 71 8 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. Ф/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала Способ определения статистических параметров удельного сопротивления полупроводникового материала 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для послеоперационного контроля качества электроконтактной сварки, контроля качества разборных электрических контактов в многоамперных токопроводах и в других случаях, когда требуется измерение малых величин сопротивлений

Изобретение относится к электроэнергетике, в частности к устройствам для измерения и контроля электрических величин

Изобретение относится к энергетике и, в частности, к предпроектным изысканиям при строительстве объектов электроэнергетики, линий электропередачи

Изобретение относится к энергетике, к строительству линии электропередачи и трансформаторных подстанций

Изобретение относится к области систем обработки информации и может быть использовано при управлении линией электропередачи (ЛЭП), на основе ее Г-образной адаптивной модели, перестраиваемой по текущей информации о параметрах электрического режима ЛЭП

Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к антенно-фидерным устройствам ДКМВ диапазона

Изобретение относится к области систем обработки информации и может быть использовано при функциональном контроле и диагностировании линейного токоограничивающего реактора/резистора на основе его модели

Изобретение относится к энергетике, в частности к строительству воздушных линий электропередачи

Изобретение относится к энергетике и, в частности, к строительству линий электропередачи, трансформаторных подстанций и других объектов
Наверх