Способ изготовления свч-транзисторов

Авторы патента:

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n⁺-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Способ изготовления вч р- @ -р транзисторов // 845678

Способ изготовления вч и свч кремниевых n - p - n транзисторных структур // 766416

Способ изготовления малошумящих высокочастотных транзисторов // 764549

Способ изготовления транзисторных структур // 745298

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления транзисторных структур с полным эмиттером

Способ создания вертикального pnp транзистора в составе ис // 2106037

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления СИ на биполярных вертикальных PNP транзисторах

Способ изготовления биполярных планарных n-p-n-транзисторов // 2107972

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для изготовления биполярных планарных транзисторов как в дискретном, так и в интегральном исполнении

Способ изготовления биполярного транзистора // 2110868

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах с использованием методов самосовмещенной технологии (ССТ)

Способ изготовления автомасштабируемого биполярного транзистора // 2234162

Способ изготовления биполярного транзистора // 2262774

Полупроводниковый элемент и способ его изготовления // 2274929

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники

Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов

Способ изготовления биполярного транзистора // 2351036

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов

Способ изготовления самомасштабированной самосовмещенной транзисторной структуры // 2408951

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления высоковольтного биполярного транзистора с изолированным затвором // 2420829

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором на основе кремния