Состав для обезжиривания
Союз Советскмн
Соцмалмстмчесимк республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ к лвтоескомю свидютальствю 899620 (6 I ) Допол н и тел b ное к а вт. с вид- ву— (22) Заявлено 240380 (2() 2916292/23-26 с присоединением заявки М(23) Приоритет
Опубликоваио 230 (82. Ьюллетеиь .% 3
Дата опубликоваиия описания 230 1.82 (51)М. Кл.
С 09 K 3/32
Гоаударствснный квинтет
СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621.79. .026(088.8) (72) Авторы изобретения
H. И. Короткевич и В. Б. Залесский Ъ .
Институт электроники AH Белорусской СС, (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ ОБЕЗЖИРИВАНИЯ
Изобретение относится к полупровод никовой технологии и может быть использовано для очистки, например, полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем.
Известны органические растворители, применяемые для обезжиривания в полупроводниковой технологии, s частности для удаления с поверхности полупроводниковых пластин остатков грубых органических загрязнений, применяемых для наклеивания пластин на полировальные диски, широко используется трихлорэтилен Е13, Однако трихлорэтилен плохо растворяет пицеин и пихтовый бальзам.
4з-за подверженности растворителя гидролизу, снижающему растворяющую способность трихлорэтилена, нельзя допускать попадания в него воды.
При гидролизе растворителя на очищаемой поверхности остается большое количество трудноудалимых ионов хло" ра, поэтому перед работой необходима
2 его стабилизация. Кроме того, для повышения эффективности обезжиривания необходимо нагревание растворителя. Трихлорэтилен при соприкосновении с пламенем, нагретыми предметами, а также при длительном действии света разлагается с образованием паров хлористого водорода и фосгена, в связи с чем не допускается его кипячение электрическими нагревательными
1О элементами, процесс требует сложного аппаратурного оформления, Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является состав для
15 обезжиривания, состоящий из перекиси водорода, аммиака водного и воды в соотношениях 1:1:4; 1:1:5; 1:1:6;
2:1:7. При температуре 75-80 С сос20 тав обезжиривает поверхность полупроводниковых материалов, растворяя воск, пицеин, пихтовый бальзам, глиф талевую и другие смолы и компаунды, минеральные масла и жиры и, связывая
899620
20 "50
50-80
Диамин
Перекись водорода
Пример 1 . Для приготовления состава для обезжиривания используют 1,2-диаминоэтан марки "хч" и . перекись водорода марки "осч". Компо- <> в комплексы ряд металлов I u II групп (Ag, Ni, Cu, Cd, Со и др,1, переводит примеси тяжелых металлов в растворимое состояние (2J.
Недостатком указанного состава является длительность и трудоемкость процесса очистки.
Для обезжиривания полупроводниковых материалов необходимо приготовить тройную смесь, состоящую из перекиси водорода, аммиака водного и воды, и обеспечить ее достаточное количество для полного погружения в нее очищаемого материала.
Для эффективности процесса обезжи- t5 ривания необходимо обеспечить нагревание смеси до 75"80 С, далее в горячий раствор погрузить полупровод"1 никовые пластины и выдержать их в смеси в течение 10 - l2 мин. Общее zo время, необходимое на очистку в перекисно-аммиачном растворе, составляет
25 - 30 мин.
Кроме того, необходимость создания условий для нагревания и конт- 2$ роля температуры раствора в промыш" ленных масштабах требуетесложного аппаратурного оформления и энергетических затрат.
Целью изобретения является сокра- 30 щение времени обезжиривания и упрощение процесса очистки.
Эта цель достигается тем, что состав для обезжиривания, включающий перекись водорода и азотсодержащий компонент, в качестве азотсодержащего компонента содержит диамин при следующем соотношении компонентов, об.4: ненты состава берут B следующем соотношении, об. 4:
Перекись водорода
Ди амин
По истечении активной цепной реакции процесс обезжиривания завершается, пластины промывают в потоке деионизированной воды и высушивают центрифугированием при 2500 об/мин.
Пример 2 . Для обезжиривания полупроводниковых пластин готовят состав, содержащий, об.9. :
Перекись водорода 75
Диамин 25
В приготовленный раствор комнатной температуры погружают кремниевые пластины и выдерживают в течение времени протекания активной цепной реакции, Инкубационный период, предшествующии реакции, составляет 20 - 30
У активная реакция, а следовательно, очист ка продолжается в те чение
5-2 мин.
Пример 3 . Перекись водорода и диамин смешивают в кварцевом стакане в соотношении 804 204 В полученный раствор помещают кремниевые пластины, время их обезвоживаний со; ставляет 1 5 - 2 мин.
Результаты определения качества очистки пластин предлагаемым и известным составами приведены в таблице.
Для эффективной очистки смешивают два реактива при комнатной температуре. Активная цепная реакция начи" нается через 5-6 мин после смешения и продолжается в течение 1 мин. При этом происходит активное пенообразование, поверхность пластин очищается.
Температура раствора достигает 117 С.
899620
* О
)Ч
Ю
» ф
z о
3)Ч
СЭ
)Ч
)Ф
Э Й
Ф Ъ б/
I(; 1 б \ х » ф--- 4Л б
Э
X 2
Х %
Э
У Я
X X с э
Э Р
Ф l
, о
Ю .ф
I I
)Ч а
1
I !
1 !
1
I
)
1 ! !
В
3
l
I
I
CO
Э К
Щ (((Ф
S S о а
Э S
=Т %
1 о а с с
Э .0 бX х
Ф
X к а ф
О о
iS
z
v
Э
IO
ЛС
° 3(I
c4 th
I
I !
1 о
l
I !
:I
I
1
I 1
I
I
1
I (I
1 (3 !
I
1
» 3
1
1
1
3
1 !
I
I а
*Z I3:
Ф S I»
ere
o I- e m
C. -O S O
oem а к о
I- S O. 5
OOCIIS
ЫХ Ф X
I Э 1
el= m
Q. Cl э о
Ф (- Я
Ф Ig е 1» а (- .6 IQ
o58z
vexz
Э фР() ь
LA Ч)
)Ч о 3
IO 3(В о о
3 CV
Ф
lA ф
)Ч CV
РО
-Ф - Ф
I (Ч CV
A Ю
О D а а
I (Ч
)Ч (CO
I
1
1
1
I
I !
I
I
I
1
I
1 !
1
1 !
I ( (!
I !
I (I
l
I
3
I
I
I
1 !
1
3
1
3
I
3
I
I
l
I (1
899620
20-50
Диамин
Формула изобретения
Составитель В. Сальников
Редактор И. Николайчук Техред М. Надь Корректор А. Дзятко
Заказ 12057/33 Тираж 657 Подписное
ВНИИПИ государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, MocKBa, >(-35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Из таблицы видно, что срок обеэжиривания уменьшается в 4 - 1О раз, при зтои увеличивается пенообраэование и число светящихся точек в поле зрения микроскопа и контроле вольтфарадных характеристик, свидетельствующих об эффективности очистки.
Таким образом, предлагаемый состав позволяет улучшить качество полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем.
Состав для обезжиривания, включа» ющий перекись водорода и азотсодержащий компонент, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью сокращения ар мени обезжиривания и упрощения процесса очистки, в качестве аэотсодержащего компонента он содержит диамин при следующем соотношении компонентов, об.4:
Перекись водорода 50-80
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Федоров Л. П. и др. Производство полупроводниковых приборов.
M., "Энергия", 1979, с. 176.
2. Поляжек К. П. и др. Очистка поверхности кремниевых пластин растворами на основе Н О . Труды МИЭМ, 1974, вып. 40 (прототип).
