Известен способ изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающий выполнение методами фотолитографии рисунка иэ фоторезиста на металлической основе маски fl) .

Однако известный способ изготовления масок не позво)тяет получить. сложный рисунок тонкопленочных элементов за один цикл нанесения, так как необходимо применять последова" . тельно несколько масок.

Цель изобретения - получение сложного рисунка за один цикл нанесения.

Укаэанная цель достигается тем, что в способе изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающем выполнение методами фотолитографии рисунка из фоторезиста на металлической основе маски, рисунок из фоторезиста выполняют на металлической основе маски в виде сетки, на рисунок из фоторезиста и на пробельные места сетки наносят маскнрукщее защитное покрытие, стойкое к травильным растворам, после чего удалением фотореэиста с нанесенным на него маскирующим защитным покрытием получают рисунок маски.

На чертеже схематически изображено осуществление предлагаемого способа.

На подложку 1, изготовленную из фенольной смолы, для улучшения сцепления нанесенного, например вакуумным испарением, рисунка структурного слоя 2 наносится сцепляющее вещество 3.

901355

ВНИИПИ Заказ 12309/27 Тираж 1048 Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðîä,óë.Ïðîåêòíàÿ,4

Плотно прилегающая к сцепляющему веществу 3 маска 4 состоит из металлической основы в виде сетки 5 . на стали, настолько тонкой, чтобы не было теней рисунка из фоторезиста 6 и нанесенного испарением защитного .слоя 7 из хрома, который предохраняет фоторезист 6 от нагрузок во время процессов испарения и восстановления. Предназначенный для испарения материала, например медь, при испарении в виде струи через маску 4 поступает на подложку !.

Изменение направления испаряемых или напыляемых частиц материала, возникающее при столкновении их друг с другом или молекулами газа, влечет за собой проникновение испаряемого материала на сетку 5, за счет чего образуется замкнутый структурный слой 2.

При изготовлении тонкопленочных интегральных схем применяется сетка с шириной ячейки 60-100 мк и толщиной проволоки 30-50 мк, 4

Чем меньше проволока сетки, тем точнее могут быть выполнены структуры.

Формула изобретения

Способ изготовления масок для нанесения на подложку, например вакуумным испарением, рисунка электронных элементов и печатных проводников, включающий выполнение методами фотолитографии рисунка из фоторезиста на металлической основе маски, отличающийся тем, что, с целью получения сложного рисунка за один цикл нанесения, рисунок из фоторезиста выполняют на металлической основе маски в виде сетки, на рисунок из фоторезиста и на пробельные места сетки наносят маскирующее защитное покрытие, после чего удалением фоторезиста с нанесенным на него маскирующим защитным покрытием получают рисунок маски.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Труды института инженеров по электронике и радиоэлектронике.

1966, 9 3, с. 23-26.